“公文创一”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果29个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]表面处理组合物及晶圆的制造方法-CN202280015092.3在审
发明人：照井贵阳;奥村雄三;公文创一 -专利权人：中央硝子株式会社
申请日： 2022-02-21 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： H01L21/304 文献下载
摘要：本发明的表面处理组合物是以蒸气形式被供给至表面具有凹凸图案的晶圆的表面的、用于在表面形成拒水性保护膜的、包含甲硅烷基化剂及溶剂的表面处理组合物，其中，甲硅烷基化剂包含三烷基甲硅烷基胺，溶剂包含选自由二醇醚乙酸酯及二醇乙酸酯组成的组中的至少1种或2种以上，溶剂的总量100质量％中，二醇醚乙酸酯及二醇乙酸酯的总计含量为50质量％以上。
表面处理组合制造方法

[发明专利]拒水性保护膜形成用化学溶液和晶片的表面处理方法-CN201880086426.X有效
发明人：福井由季;照井贵阳;山田周平;奥村雄三;公文创一;盐田彩织;近藤克哉 -专利权人：中央硝子株式会社
申请日： 2018-12-26 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： H01L21/304 文献下载
摘要：本发明提供一种能够进一步改善拒水性赋予效果的拒水性保护膜形成用化学溶液。本发明的拒水性保护膜形成用化学溶液具有(I)下述通式[1]所示的氨基硅烷化合物、(II)下述通式[2]所示的硅化合物和(III)非质子性溶剂，(I)的含量相对于(I)～(III)的总量为0.02～0.5质量％。
水性保护膜形成化学溶液晶片表面处理方法

[发明专利]基板、选择性膜沉积方法、有机物的沉积膜及有机物-CN202280009700.X在审
发明人：冈田卓也;山本纯基;谷口敬寿;吉浦一基;近藤克哉;公文创一;宫崎达夫 -专利权人：中央硝子株式会社
申请日： 2022-01-28 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： C23C26/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种选择性膜沉积方法，其特征在于，将具有露出了含有金属元素的第一表面区域与含有非金属无机材料的第二表面区域这两者的结构的基板暴露于含有下述通式(1)所表示的有机物与溶剂的溶液中，使所述有机物的膜较之所述第二表面区域选择性地沉积于所述第一表面区域，R1(X)m (1)在通式(1)中，R1为碳原子数为4～100的任选具有杂原子或卤素原子的烃基，所述烃基的m个氢原子被X取代。X为‑PO3(R2)2、‑O‑PO3(R2)2、‑CO2R2、‑SR2或‑SSR1。R2各自为氢原子或碳原子数为1～6的烷基。m为正整数，当将该烃基的碳原子数设为r时，m/r为0.01～0.25。
基板选择性沉积方法有机物

[发明专利]表面处理剂和表面处理体的制造方法-CN201880083226.9有效
发明人：福井由季;奥村雄三;照井贵阳;公文创一 -专利权人：中央硝子株式会社
申请日： 2018-12-14 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： H01L21/304 文献下载
摘要：本发明提供一种在配液时能够以短时间溶解原料且能够表现出优异拒水性赋予效果的表面处理剂、以及使用该表面处理剂来制造表面处理体的方法。本发明的表面处理剂是被处理体的表面处理中使用的表面处理剂，其包含：(I)下述通式[1]、[2]和[3]所示的硅化合物之中的至少1种；(II)下述通式[4]所示的含氮杂环化合物、下述通式[5]所示的含氮杂环化合物和咪唑之中的至少1种；以及(III)有机溶剂。(R1)a(H)bSi[N(R2)C(＝O)R3]4‑a‑b[1](R4)c(H)dSi[OC(＝O)R5]4‑c‑d[2](R6)e(H)fSi[OC(R7)＝NSi(R8)g(H)3‑g]4‑e‑f[3]
表面处理制造方法

[发明专利]湿式蚀刻方法-CN202180070131.5在审
发明人：吉浦一基;冈田卓也;渡边谦太;公文创一;中村阳介;谷口敬寿 -专利权人：中央硝子株式会社
申请日： 2021-10-11 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： C23F1/10 文献下载
摘要：本公开中提出的湿式蚀刻方法，其为利用表面改质液对基板上的含金属膜进行预处理，接着使用蚀刻液进行蚀刻的湿式蚀刻方法，前述蚀刻液为包含键合有三氟甲基及羰基的β‑二酮和有机溶剂的溶液，前述含金属膜包含能够与前述β‑二酮形成络合物的金属元素，前述表面改质液包含对前述金属元素的氧化性物质，前述湿式蚀刻方法包括：第一工序，使前述表面改质液与前述含金属膜接触而在前述含金属膜的表面形成前述金属元素的氧化膜；和第二工序，使前述蚀刻液与具有前述氧化膜的前述含金属膜接触。
蚀刻方法

[发明专利]半导体基板的表面处理方法及表面处理剂组合物-CN202180036555.X在审
发明人：奥村雄三;福井由季;盐田彩织;照井贵阳;公文创一 -专利权人：中央硝子株式会社
申请日： 2021-05-19 - 公布日： 2023-02-03 - 主分类号： H01L21/304 文献下载
摘要：本发明的半导体基板的表面处理方法是对于基板的主表面上具有形成有图案的图案形成区域与形成于图案形成区域的周缘的斜面区域的半导体基板的主表面进行处理的处理方法，前述图案具有图案尺寸为30nm以下的凹凸结构，前述方法包括表面处理工序，其使包含甲硅烷基化剂的表面处理剂组合物接触半导体基板的主表面的图案形成区域及斜面区域上，对使表面处理剂组合物接触而经表面处理的二氧化硅基板的表面，IPA后退角在室温25度下为3°以上、和/或水后退角在室温25度下为40°以上。
半导体表面处理方法组合

[发明专利]半导体基板的表面处理方法及表面处理剂组合物-CN202180036504.7在审
发明人：奥村雄三;福井由季;盐田彩织;照井贵阳;公文创一 -专利权人：中央硝子株式会社
申请日： 2021-05-19 - 公布日： 2023-01-31 - 主分类号： H01L21/304 文献下载
摘要：本发明的半导体基板的表面处理方法是对于基板的主表面上具有形成有图案的图案形成区域与未形成图案的图案未形成区域的半导体基板的主表面进行处理的处理方法，前述图案具有图案尺寸为30nm以下的凹凸结构，前述方法包括表面处理工序，其使包含甲硅烷基化剂的表面处理剂组合物接触半导体基板的主表面的图案形成区域及图案未形成区域，在表面处理工序后的图案未形成区域的表面上的、对2‑丙醇的IPA接触角在室温25度下为2°以上、和/或对纯水的水接触角在室温25度下为50°以上。
半导体表面处理方法组合

[发明专利]升华性膜形成组合物及基板的制造方法-CN202180021714.9在审
发明人：照井贵阳;公文创一;福井由季 -专利权人：中央硝子株式会社
申请日： 2021-03-10 - 公布日： 2022-11-08 - 主分类号： H01L21/304 文献下载
摘要：本发明的升华性膜形成组合物包含升华性物质和升华性物质的饱和溶解度大于10质量％的溶剂。
升华形成组合制造方法

[发明专利]保护膜形成用化学溶液及晶圆的清洗方法-CN202080082684.8在审
发明人：照井贵阳;公文创一 -专利权人：中央硝子株式会社
申请日： 2020-11-11 - 公布日： 2022-07-15 - 主分类号： H01L21/304 文献下载
摘要：提供一种保护膜形成用化学溶液以及晶圆的清洗方法，所述保护膜形成用化学溶液用于晶圆的表面处理，所述晶圆在表面具有凹凸图案、且前述凹凸图案的至少一部分包含选自由Si元素及金属元素组成的组中的至少1者，前述保护膜形成用化学溶液包含保护膜形成剂和具有氟原子的溶剂，前述保护膜形成剂为特定的化合物。
保护膜形成化学溶液清洗方法

[发明专利]表面处理剂和表面处理体的制造方法-CN202080042729.9在审
发明人：福井由季;奥村雄三;照井贵阳;公文创一 -专利权人：中央硝子株式会社
申请日： 2020-06-04 - 公布日： 2022-02-01 - 主分类号： G03F7/40 文献下载
摘要：本公开提供：在配液时能够在短时间内溶解原料、能表现出优异的赋予拒水性的效果的表面处理剂、及使用了该表面处理剂的表面处理体的制造方法。本公开的表面处理剂包含：(I)下述通式[1]和[2]所示的硅化合物中的至少1种；(II)下述通式[3]所示的含氮杂环化合物、下述通式[4]所示的含氮杂环化合物、及咪唑中的至少1种；(III)有机溶剂；及(IV)下述通式[5]和[6]所示的硅化合物中的至少1种。(R1)a(H)bSi[N(R2)C(＝O)R3]4‑a‑b[1]，(R4)c(H)dSi[OC(R5)＝NSi(R6)e(H)3‑e]4‑c‑d[2]，(R13)f(H)gSi[OC(＝O)R14]4‑f‑g[5]，(R15)h(H)iSiX4‑h‑I[6]
表面处理制造方法

[发明专利]凹凸图案干燥用组合物、及表面具有凹凸图案的基板的制造方法-CN202080021628.3在审
发明人：照井贵阳;公文创一;福井由季 -专利权人：中央硝子株式会社
申请日： 2020-03-17 - 公布日： 2021-10-29 - 主分类号： H01L21/304 文献下载
摘要：本发明的凹凸图案干燥用组合物包含升华性物质、及1大气压下的沸点比升华性物质的沸点或升华点低5℃以上且1大气压下的沸点为75℃以下的溶剂。
凹凸图案干燥组合表面具有制造方法

[发明专利]倒角部处理剂组合物和晶圆的制造方法-CN201980076584.1在审
发明人：福井由季;奥村雄三;照井贵阳;公文创一 -专利权人：中央硝子株式会社
申请日： 2019-10-21 - 公布日： 2021-07-23 - 主分类号： H01L21/304 文献下载
摘要：本发明的倒角部处理剂组合物为用于对晶圆的倒角部进行处理的、含有甲硅烷基化剂的倒角部处理剂组合物，具有按照规定的步骤测得的表面改质指标Y与表面改质指标Z满足0.5≤Y/Z≤1.0的特性。
倒角处理组合制造方法

[发明专利]保护膜形成用化学溶液-CN201611028598.0有效
发明人：斋藤真规;荒田忍;斋尾崇;公文创一;七井秀寿;赤松佳则 -专利权人：中央硝子株式会社
申请日： 2010-10-20 - 公布日： 2020-09-08 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明涉及保护膜形成用化学溶液。本发明公开了一种晶片的拒水性保护膜形成用化学溶液，其特征在于，其为包含拒水性保护膜形成剂的化学溶液，所述拒水性保护膜形成剂用于在表面形成有微细的凹凸图案且该凹凸图案的至少凹部表面的一部分包含选自由钛、氮化钛、钨、铝、铜、锡、氮化钽、钌以及硅组成的组中的至少1种物质的晶片的清洗时至少在前述凹部表面形成拒水性保护膜，该拒水性保护膜形成剂为非水溶性的表面活性剂。利用该化学溶液形成的拒水性保护膜可以防止清洗工序中的晶片的图案倾塌。
保护膜形成化学溶液

[发明专利]晶片的清洗方法-CN201480054698.3有效
发明人：斋藤真规;斋尾崇;公文创一;荒田忍 -专利权人：中央硝子株式会社
申请日： 2014-09-08 - 公布日： 2018-09-21 - 主分类号： H01L21/304 文献下载
摘要：本发明的晶片的清洗方法是表面形成有凹凸图案且该凹凸图案的凹部表面具有钛、钨、铝、铜、锡、钽和钌之中的至少1种元素的晶片的清洗方法，该方法至少具备：前处理工序，在凹凸图案的至少凹部保持清洗液；保护膜形成工序，在上述前处理工序后，在凹凸图案的至少凹部保持保护膜形成用化学溶液；以及干燥工序，通过干燥而从凹凸图案去除液体，上述保护膜形成用化学溶液是包含拒水性保护膜形成剂的化学溶液，所述拒水性保护膜形成剂用于在至少上述凹部表面形成拒水性保护膜，若上述保护膜形成用化学溶液为碱性则上述清洗液为酸性，若上述保护膜形成用化学溶液为酸性则上述清洗液为碱性。
晶片清洗方法

[发明专利]基板的处理方法和用于该方法的溶剂-CN201680065817.4在审
发明人：八尾章史;公文创一;藤原昌生;七井秀寿 -专利权人：中央硝子株式会社
申请日： 2016-10-26 - 公布日： 2018-07-31 - 主分类号： H01L21/304 文献下载
摘要：本发明的基板的处理方法的特征在于，其为将半导体基板的表面用水系清洗液清洗，将附着于基板表面的水系清洗液置换为超临界流体而干燥的方法，作为该流体，使用Fe、Ni、Cr、Al、Zn、Cu、Mg、Li、K、Na、Ca的各元素的含量分别为500质量ppb以下、且含有碳数为2～6的含氟醇的溶剂。该处理方法中，能使超临界流体中的氟原子的释放量降低。
超临界流体溶剂基板半导体基板水系清洗液表面用水基板表面氟原子含氟醇清洗液释放量流体碳数附着清洗置换

1
2
下一页»
尾页
共 29 条