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[发明专利]光检测元件和光检测装置-CN202310512225.4在审
发明人：广濑遥平;八木岩;平田晋太郎;茂木英昭;坂东雅史;榎修 -专利权人：索尼公司;索尼半导体解决方案公司
申请日： 2017-07-20 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： H10K30/60 文献下载
摘要：本发明涉及光检测元件和光检测装置。其中，光检测元件可包括：第一电极；第二电极，其与所述第一电极相对；以及光电转换层，设置在所述第一电极与所述第二电极之间，其中所述光电转换层包括激子产生层和激子离解层，所述激子产生层包括第一半导体材料和第二半导体材料，所述激子离解层包括第三半导体材料，并且其中，所述第一半导体材料的LUMO能级等于所述第二半导体材料的LUMO能级，或者所述第一半导体材料的HOMO能级等于所述第二半导体材料的HOMO能级。
检测元件装置

[发明专利]光电转换元件和固态成像装置-CN201780072926.3有效
发明人：长谷川雄大;坂东雅史;平田晋太郎;茂木英昭;八木岩;氏家康晴;根岸佑树 -专利权人：索尼公司
申请日： 2017-11-29 - 公布日： 2023-07-18 - 主分类号： H10K30/20 文献下载
摘要：本发明涉及成像装置和包括成像装置的电子设备，其中，所述成像装置包括：第一电极；第二电极；光电转换层，其设置在所述第一电极和所述第二电极之间，并包括第一有机半导体材料、第二有机半导体材料和第三有机半导体材料，其中，所述第二有机半导体材料包括亚酞菁材料，并且其中，所述第二有机半导体材料具有范围为‑6eV至‑6.7eV的最高占据分子轨道能级。
光电转换元件固态成像装置

[发明专利]固态摄像元件和固态摄像装置-CN202310099447.8在审
发明人：广濑遥平;八木岩;平田晋太郎;茂木英昭;坂东雅史;榎修 -专利权人：索尼公司;索尼半导体解决方案公司
申请日： 2017-07-20 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明涉及固态摄像元件和固态摄像装置。其中，固态摄像元件可包括：下电极；上电极，其与所述下电极相对；光电转换层，其设置在所述下电极与所述上电极之间，并包括第一有机半导体材料；以及上部中间层，其设置在所述上电极与所述光电转换层之间，并包括分子中具有卤素原子的第二有机半导体材料，所述第二有机半导体材料的浓度范围在0体积％以上且小于0.05体积％。
固态摄像元件装置

[发明专利]固态摄像元件和固态摄像装置-CN201780042242.9有效
发明人：广濑遥平;八木岩;平田晋太郎;茂木英昭;坂东雅史;榎修 -专利权人：索尼公司;索尼半导体解决方案公司
申请日： 2017-07-20 - 公布日： 2023-05-12 - 主分类号： H10K65/00 文献下载
摘要：[技术方案]根据本发明的实施例的第一固态摄像元件设置有：下电极；上电极，其与下电极相对设置；光电转换层，其设置在下电极与上电极之间，并含有第一有机半导体材料；以及上部中间层，其设置在上电极与光电转换层之间，并包括分子中具有卤素原子的第二有机半导体材料，所述第二有机半导体材料的浓度在0体积％以上且0.05体积％以下。
固态摄像元件装置

[发明专利]摄像元件和摄像装置-CN202180023417.8在审
发明人：定荣正大;平田晋太郎;汤川富之;铃木凉介;中野博史;林利彦;高口辽太郎;八木岩;村田贤一 -专利权人：索尼半导体解决方案公司;索尼集团公司
申请日： 2021-03-24 - 公布日： 2022-12-02 - 主分类号： H01L27/18 文献下载
摘要：根据本技术实施方案的摄像元件包括：第一电极；第二电极；第三电极；光电转换层；和半导体层。所述第一电极和所述第二电极并排布置着。所述第三电极被布置成与所述第一电极及所述第二电极相对。所述光电转换层被设置在所述第一电极及所述第二电极与所述第三电极之间。所述半导体层被设置在所述第一电极及所述第二电极与所述光电转换层之间。所述半导体层具有从所述光电转换层侧起依次层叠着的第一层和第二层。所述第二层的在导带最下端处的能级比所述第一层的在导带最下端处的能级浅。
摄像元件装置

[发明专利]固态成像装置和固态成像装置的制造方法-CN202080071698.X在审
发明人：定荣正大;村田贤一;古闲史彦;八木岩;平田晋太郎;富樫秀晃;齐藤阳介;藤井宣年 -专利权人：索尼半导体解决方案公司;索尼集团公司
申请日： 2020-11-12 - 公布日： 2022-05-27 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：根据本公开一个实施方案的固态成像装置包括：多个光电转换部，其层叠在半导体基板上且具有彼此不同的波长选择性；和配线，其形成在所述半导体基板上且电气连接到所述多个光电转换部。各个所述光电转换部包括光电转换膜以及隔着所述光电转换膜配置的第一电极和第二电极。所述配线在所述半导体基板的法线方向上延伸，并且包括与各个所述光电转换部的第二电极接触形成的垂直配线。
固态成像装置制造方法

[发明专利]光电转换元件和摄像元件-CN202080064448.3在审
发明人：平野英孝;长谷川雄大;榎修;八木岩;齐藤阳介;妹尾雅美 -专利权人：索尼集团公司;索尼半导体解决方案公司
申请日： 2020-10-20 - 公布日： 2022-04-26 - 主分类号： H01L51/42 文献下载
摘要：根据本公开的实施方案的光电转换元件10A包括：第一电极21；第二电极23，其设置成与第一电极21相对；和光电转换层22，其设置在第一电极21和第二电极23之间，光电转换层22包括作为第一有机半导体材料的空穴传输材料，空穴传输材料吸收蓝色光。
光电转换元件摄像

[发明专利]光电转换元件、图像拾取元件、层叠型图像拾取元件和固态图像拾取装置-CN202110182486.5在审
发明人：村田昌树;茂木英昭;平田晋太郎;八木岩;氏家康晴;坂东雅史;白泽乐;小林一;中本光则;户木田裕一 -专利权人：索尼公司
申请日： 2016-07-14 - 公布日： 2021-06-18 - 主分类号： H01L27/30 文献下载
摘要：一种通过顺次层叠至少第一电极、有机光电转换层和第二电极而构成的图像拾取元件，所述有机光电转换层包含具有以下结构式(1)的第一有机半导体材料。
光电转换元件图像拾取层叠固态装置

[发明专利]光电转换元件、图像拾取元件、层叠型图像拾取元件和固态图像拾取装置-CN202110182765.1在审
发明人：村田昌树;茂木英昭;平田晋太郎;八木岩;氏家康晴;坂东雅史;白泽乐;小林一;中本光则;户木田裕一 -专利权人：索尼公司
申请日： 2016-07-14 - 公布日： 2021-06-18 - 主分类号： H01L27/30 文献下载
摘要：一种通过顺次层叠至少第一电极、有机光电转换层和第二电极而构成的图像拾取元件，所述有机光电转换层包含具有以下结构式(1)的第一有机半导体材料。
光电转换元件图像拾取层叠固态装置

[发明专利]固态摄像元件、固态摄像装置和固态摄像元件的读取方法-CN201980047479.5在审
发明人：村田贤一;定荣正大;古闲史彦;八木岩;平田晋太郎;富樫秀晃;齐藤阳介;高桥新吾 -专利权人：索尼公司;索尼半导体解决方案公司
申请日： 2019-07-25 - 公布日： 2021-02-26 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本公开提供一种固态摄像元件，其包括半导体基板(300)和用于将光转换成电荷的第一和第二光电转换部(500、600)。第一和第二光电转换部(500、600)均具有层叠结构，所述层叠结构包括上部电极(502、602)、下部电极(508、608)、夹在所述上部电极和所述下部电极之间的光电转换膜(504、604)和经由所述光电转换膜和绝缘膜面对所述上部电极的累积电极(510、610)。第一和第二光电转换部(500、600)的下部电极(508、608)经由共用贯通电极(460)与共用电荷累积部(314)电气连接，所述共用贯通电极设置为第一和第二光电转换部(500、600)共用并且贯通所述半导体基板(300)，所述共用电荷累积部在所述半导体基板(300)内设置为第一和第二光电转换部(500、600)共用。
固态摄像元件装置读取方法

[发明专利]光电转换元件、图像拾取元件、层叠型图像拾取元件和固态图像拾取装置-CN201680034240.0有效
发明人：村田昌树;茂木英昭;平田晋太郎;八木岩;氏家康晴;坂东雅史;白泽乐;小林一;中本光则;户木田裕一 -专利权人：索尼公司
申请日： 2016-07-14 - 公布日： 2021-02-19 - 主分类号： H01L51/42 文献下载
摘要：一种通过顺次层叠至少第一电极、有机光电转换层和第二电极而构成的图像拾取元件，所述有机光电转换层包含具有以下结构式(1)的第一有机半导体材料。
光电转换元件图像拾取层叠固态装置

[发明专利]固态摄像元件及其制造方法-CN201980031496.X在审
发明人：定荣正大;村田贤一;古闲史彦;八木岩;平田晋太郎;富樫秀晃;齐藤阳介 -专利权人：索尼公司;索尼半导体解决方案公司
申请日： 2019-04-19 - 公布日： 2020-12-22 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：提供了一种具有像素晶体管和配线的固态摄像元件及其制造方法，固态摄像元件在抑制制造成本增加的同时，能够从层叠的光电转换膜有效地输出并传输像素信号。提供了这样的固态摄像元件，其包括：半导体基板；第一光电转换单元，设置在半导体基板上；及控制单元，被设置成与第一光电转换单元层叠，且包括用于控制第一光电转换单元的多个像素晶体管，其中，第一光电转换单元包括：第二电极；第一光电转换膜，设置在第二电极的上方，并且将光转换为电荷；以及第一电极，设置在第一光电转换膜上，多个像素晶体管包括放大晶体管，放大晶体管对电荷进行放大并将电荷作为像素信号输出，并且放大晶体管的沟道形成区由氧化物半导体层形成。
固态摄像元件及其制造方法

[发明专利]固态成像元件、固态成像装置、电子设备以及固态成像元件的制造方法-CN201980029961.6在审
发明人：富樫秀晃;八木岩;定荣正大;古闲史彦;村田贤一;平田晋太郎;齐藤阳介;古川明 -专利权人：索尼公司;索尼半导体解决方案公司
申请日： 2019-06-11 - 公布日： 2020-12-15 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明提供了能够增强特性的固态成像元件、固态成像装置、电子设备以及固态成像元件的制造方法。本发明提供了一种固态成像元件(10)，包括：层叠结构，所述层叠结构具有：半导体基板(500)；第一光电转换部(PD 200)，所述第一光电转换部设置在所述半导体基板的上方，并将光转换为电荷；和第二光电转换部(PD 100)，所述第二光电转换部设置在所述第一光电转换部的上方，并将光转换为电荷。所述第一光电转换部和所述第二光电转换部具有光电转换层叠结构，在所述光电转换层叠结构中层叠有共通电极(102,202)、光电转换膜(104,204)和读出电极(108,208)，使得所述第一光电转换部和所述第二光电转换部以垂直于所述层叠结构的层叠方向的垂直面作为对称轴而彼此呈线对称关系。
固态成像元件装置电子设备以及制造方法

[发明专利]光电转换元件和成像装置-CN201980025104.9在审
发明人：榎修;根岸佑树;长谷川雄大;八木岩;氏家康晴;齐藤阳介 -专利权人：索尼公司;索尼半导体解决方案公司
申请日： 2019-04-04 - 公布日： 2020-12-11 - 主分类号： H01L51/42 文献下载
摘要：根据本发明实施例的光电转换元件包括：第一电极；第二电极，被布置与所述第一电极相对；和光电转换层，被布置为在所述第一电极和所述第二电极之间并与所述第一电极和所述第二电极相对，所述光电转换层包括由以下通式(1)表示的第一化合物和骨架不同于第一化合物的第二化合物。(R1至R10分别独立地表示氢原子，卤素原子，氨基基团，羟基基团，烷氧基基团，酰基氨基基团，酰氧基基团，苯基基团，羧基基团，酰胺基团，羰基烷氧基基团，酰基基团，磺酰基基团，氰基基团和硝基基团，直链、支链或环状烷基基团，芳基基团，杂芳基基团，杂芳基氨基基团，具有芳基氨基作为取代基的芳基基团，具有杂芳基氨基作为取代基的芳基基团，具有芳基氨基作为取代基的杂芳基基团、具有杂芳基氨基作为取代基的杂芳基基团，或者它们的衍生物。R1至R10可以在除了R4和R5之间以外的两个相邻的取代基之间形成环。此外，R1至R10中的至少两者具有氢原子以外的取代基。)
光电转换元件成像装置

[发明专利]光电转换元件和固体摄像装置-CN202010730884.1在审
发明人：长谷川雄大;松泽伸行;尾花良哲;竹村一郎;中山典一;下川雅美;山口哲司;八木岩;茂木英昭 -专利权人：索尼半导体解决方案公司
申请日： 2016-05-19 - 公布日： 2020-11-27 - 主分类号： H01L51/42 文献下载
摘要：根据本发明一个实施方式的光电转换元件，其包括：相互面对的第一电极和第二电极；以及光电转换层，所述光电转换层被设置在所述第一电极和所述第二电极之间，且还包括具有互不相同的母体骨架的第一有机半导体材料、第二有机半导体材料和第三有机半导体材料。所述第一有机半导体材料是富勒烯或富勒烯衍生物。所述第二有机半导体材料在单层膜形式下在可见光区域内的极大光吸收波长的线吸收系数高于所述第一有机半导体材料的单层膜和所述第三有机半导体材料的单层膜在可见光区域内的极大光吸收波长的线吸收系数。所述第三有机半导体材料的HOMO能级是在所述第二有机半导体材料的HOMO能级以上的值。
光电转换元件固体摄像装置

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