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[发明专利]一种提高ALD膜厚均匀性的方法-CN202311221317.3在审
发明人：陈庆敏;卓倩武;俞玉松;张旭冉;贾建英 -专利权人：无锡松煜科技有限公司
申请日： 2023-09-21 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本发明属于气相沉积技术领域，尤其涉及一种提高ALD膜厚均匀性的方法。本发明膜制备过程包括如下步骤：将基底放置于所述反应腔内，并对所述反应腔进行抽真空和升温处理；通入水前驱体到反应腔，对硅片进行预处理；通入铝前驱体，沉积于硅片表面；通入惰性保护气吹扫；通入水前驱体，用于与铝前驱体反应；通入惰性保护气，用于吹扫掉多余的水前驱体；重复上述步骤数次。在通入铝前驱体或者水前驱体的同时，通入一定量的惰性保护气，如氮气，这样氮气和铝前驱体或者水前驱体进入后混合，能够把反应气体均匀分散开来，就能够解决大产能反应腔室中部分位置量少的现象。
一种提高 ald 均匀方法

[发明专利]硅片正面与背面不同厚度的Al2-CN202310937265.3有效
发明人：陈庆敏;卓倩武;俞玉松 -专利权人：无锡松煜科技有限公司
申请日： 2023-07-28 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明涉及半导体制造技术领域，公开了硅片正面与背面不同厚度的Al2O3薄膜的制备方法。基于双插硅片的管式原子层沉积法，本发明通过在待沉积Al2O3薄膜的硅片载具铝舟上设置有用于固定硅片位置的侧槽及底槽，沿着原子层沉积室的进气至出气方向，通过使每组定位齿杆的侧槽及底槽开口依次增大，使背面相对的2片硅片的背面距离沿着前驱体进气至出气方向逐渐增大，并在沉积薄膜的过程中加大N2的流量确保背面相对的2片硅片的背面距离，最终使硅片正面与背面分别制备得到厚度均匀的Al2O3薄膜，且硅片正面的Al2O3薄膜厚度大于硅片背面的Al2O3薄膜厚度。使用本发明制备得到的硅片片内正面、背面各自的Al2O3薄膜均匀性及批内均匀性较好。
硅片正面背面不同厚度 al base sub

[发明专利]一种提升氧化铝钝化膜沉积均匀性的方法及应用-CN202310937284.6有效
发明人：陈庆敏;卓倩武;俞玉松 -专利权人：无锡松煜科技有限公司
申请日： 2023-07-28 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明涉及太阳能电池技术领域，尤其涉及一种提升氧化铝钝化膜沉积均匀性的方法及应用。本申请通过在氧化铝钝化膜的沉积过程中，创造性的在每组铝前驱体、氧前驱体以及吹扫气的通入后主动增加一个无干扰的中间处理步骤，能够有效提升氧化铝钝化膜沉积均匀性，减少了在氧化铝薄膜引入缺陷以及杂质的可能性，有效提高了薄膜的沉积质量和稳定性，从而能够有效满足太阳能电池领域对于氧化铝钝化膜的需求，提升产品质量。
一种提升氧化铝钝化沉积均匀方法应用

[发明专利]一种提高硼扩散均匀度的方法-CN202310789442.8有效
发明人：陈庆敏;卓倩武;俞玉松;张旭冉;贾建英 -专利权人：无锡松煜科技有限公司
申请日： 2023-06-30 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： C30B31/16 文献下载
摘要：本发明涉及光伏电池制造技术领域，尤其涉及一种提高硼扩散均匀度的方法。包括如下步骤：S01.在反应腔室内放入插有硅片的石英舟，并进行前扩散步骤；S02.进行低压通源扩散步骤，低压通源扩散步骤包括：向反应腔室内同时通入三氯化硼，氧气及氮气；S03.在低压通源扩散步骤结束后，停止向反应腔室中通入三氯化硼，且通入氮气提升反应腔室内气压；S04.进行高压通源扩散步骤，高压通源扩散步骤包括：同时通入三氯化硼，氧气及氮气；本发明通过使用高低压力分步通入硼源，利用反应腔室高压和低压来控制硼源在腔室里流动的速度，从而扩散出整体高均匀度的方阻。并且本发明用工艺的方法弥补炉口炉尾方阻均匀度差的问题，机台可省略因抽气导致的反应腔加长的结构。
一种提高扩散均匀方法

[发明专利]提升TOPCon电池ALD钝化膜批间均匀性的方法及应用-CN202310937307.3在审
发明人：陈庆敏;卓倩武;俞玉松 -专利权人：无锡松煜科技有限公司
申请日： 2023-07-28 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明涉及太阳能电池技术领域，尤其涉及提升TOPCon电池ALD钝化膜批间均匀性的方法及应用，所述方法包括在每组前驱体气体通入后增加一个通入推进气的步骤，从而加快了前驱体气体的扩散速度，使得位于原子层沉积室头部以及尾部的硅片其表面的氧化铝沉积速度保持一致，进而减少了同一批次内不同硅片表面氧化铝钝化膜的均匀性。同时通过控制吹扫气的通入量，能够在短时间内有效提升对于基底表面残余前驱体气体以及反应副产物的吹扫效果，从而减少了因为杂质未被吹扫干净而导致的沉积不均匀的问题。
提升 topcon 电池 ald 钝化膜批间均匀方法应用

[发明专利]一种硼扩散设备及其使用方法-CN202310771873.1有效
发明人：陈庆敏;卓倩武;俞玉松;张旭冉;贾建英 -专利权人：无锡松煜科技有限公司
申请日： 2023-06-28 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： H01L21/22 文献下载
摘要：本发明属于光伏电池制造技术领域，尤其涉及一种硼扩散设备及其使用方法。本发明硼扩散炉包括：炉体，用于提供扩散剂输送到硅片表面的场所；进气系统；排气系统；其中，所述进气系统包括至少部分设置在所述炉体内的前部进气管以及中部进气管，所述中部进气管位于所述炉体中部的部分的设有出气口，所述出气口的开口朝向接近水平。本发明的硼扩散设备在控制硼扩散整体进气量不变的情况下，将常规的单路进气改为双路进气，即增加一路额外的进气管路，且该管路的出口处在炉管中部，炉管中部的进气管路具有水平方向的两个出气口，水平设置的出气口一方面均匀了炉体内部硼扩散均匀性，另一方面避免了硼源直接喷到硅片上。
一种扩散设备及其使用方法

[发明专利]一种提高TOPcon电池LPCVD直通率的方法-CN202310677446.7在审
发明人：陈庆敏;卓倩武;俞玉松;张旭冉;贾建英 -专利权人：无锡松煜科技有限公司
申请日： 2023-06-09 - 公布日： 2023-08-18 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明提供一种提高TOPcon电池LPCVD直通率的方法，在微负压条件下，利用LPCVD工艺在硅片表面沉积隧穿氧化层；所述微负压条件为300~700torr。本发明采用微负压沉积隧穿氧化层工艺，使得LPCVD工艺的整个反应过程中，反应腔室的压力保持低于大气压状态，无热气流经过炉门及密封圈，改善了反应室的密封性，避免反应室内的气体泄漏或者炉管外的空气混入反应室内，确保隧穿氧化层和非晶硅薄层的沉积质量，从而提高看了TOPcon电池的转换效率；同时，使后续的沉积非晶硅层工序中抽真空至低压工艺保持稳定状态，降低返工率，从而提高TOPcon电池中LPCVD直通率。
一种提高 topcon 电池 lpcvd 直通方法

[发明专利]一种制备TOPCon电池中非晶硅薄膜的方法及装置-CN202310677409.6有效
发明人：陈庆敏;卓倩武;俞玉松;张旭冉;贾建英 -专利权人：无锡松煜科技有限公司
申请日： 2023-06-09 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： H01L31/20 文献下载
摘要：本发明提供一种制备TOPCon电池中非晶硅薄膜的方法及装置，方法包括：步骤（1）：提供一个低压化学气相沉积室；低压化学气相沉积室内设有硅片载具、进气管和出气管，进气管位于硅片载具下方；进气管具有出气孔；步骤（2）：在靠近出气孔的硅片载具的底部与出气孔之间设置挡流板；步骤（3）：在硅片载具内放置硅片；抽真空至100 mtorr，并加热至600~650℃；通入氧气形成650torr的微负压，沉积隧穿氧化层；步骤（4）：再次抽真空至150mtorr，通入硅烷发生反应，沉积非晶硅薄膜。本发明通过采用微负压工艺及挡流板提高非晶硅薄膜的沉积均匀性，提高TOPCon电池的转换效率和外观良率。
一种制备 topcon 电池中非薄膜方法装置

[发明专利]一种石英件防护处理方法-CN202211124503.0在审
发明人：陈庆敏;俞玉松;卓倩武 -专利权人：无锡松煜科技有限公司
申请日： 2022-09-15 - 公布日： 2022-12-09 - 主分类号： C03C17/245 文献下载
摘要：本发明公开了一种石英件防护处理方法，包括以下步骤：步骤S1，提供一个石英件，将石英件清洗及烘干；步骤S2，将清洗后的石英件放入制备Al2O3层的设备中，在石英件表面形成一层Al2O3层；步骤S3，将预处理后的石英件投入生产使用。本发明使用制备Al2O3层的设备对LPCVD中使用的石英件进行一个预处理，在石英件表面生长或形成一层具有一定厚度的Al2O3薄膜，这层膜介于石英件与LPCVD工艺产物硅之间，成为接触区域的隔离层，有效的避免了石英件的二氧化硅材质与反应产物硅的直接接触，实现两者之间的柔性接触，利用Al2O3的柔性作用来保护石英件从而延长石英件的使用寿命，降低生产成本。
一种石英防护处理方法

[发明专利]一种光伏N型TOPCon电池ALD钝化膜制造工艺-CN202210856578.1在审
发明人：陈庆敏;俞玉松;卓倩武 -专利权人：无锡松煜科技有限公司
申请日： 2022-07-20 - 公布日： 2022-11-01 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种光伏N型TOPCon电池ALD钝化膜制造工艺，包括以下步骤：步骤S1，在工艺腔室内放入经湿法工序处理后的基体，在工艺腔室内形成真空恒温环境，目标温度为200‑300℃；步骤S2，在工艺腔室内循环通入O3气体，清除硅片表面的湿法残留并制备SiO2薄膜；步骤S3，在工艺腔室内通入H2O蒸汽，在SiO2表面沉积形成钝化界面；步骤S4，在工艺腔室内交替通入TMA和H2O蒸汽，生长出高钝化的Al2O3薄膜；步骤S5，吹扫破真空，完成工艺。本发明可有效的清除硅片表面的湿法残留，对提升电池Eta（转换效率）有明显作用。
一种 topcon 电池 ald 钝化制造工艺

[实用新型]一种来料刮板简易检验装置-CN201920198322.X有效
发明人： 俞玉松;刘小军;王强;王正华;端伟佳 -专利权人：安徽越众光伏科技有限公司
申请日： 2019-02-13 - 公布日： 2019-11-05 - 主分类号： B65G47/22 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种来料刮板简易检验装置，包括第一压杆、第二压杆、伸缩内板与升降台架，所述伸缩内板活动套接在第一压杆与第二压杆的内表面，且第一压杆与第二压杆之间通过伸缩内板对接固定，所述伸缩内板的两侧外表面均固定安装有两组限位栓，且伸缩内板的前部内侧等间距开设有三组限位滑槽，所述伸缩内板的两端外表面均固定安装有弹簧内板，且伸缩内板与弹簧内板之间通过固定圆槽对接固定，所述升降台架固定安装在第一压杆与第二压杆的下端外表面；本实用新型通过伸缩内板与升降台架的设置，使得本实用新型中的检验装置同时具有横向和纵向调节结构，令检验装置可以对不同型号的来料刮板进行检验操作，增加设备适用范围，较为实用。
内板伸缩压杆检验装置本实用新型升降台架料刮对接固定弹簧简易固定圆槽活动套接限位滑槽增加设备纵向调节内表面限位栓两组前部下端检验

[实用新型]一种制绒上料隐裂片挑选装置-CN201920209579.0有效
发明人：端伟佳;刘小军;俞玉松;王正华;王强 -专利权人：安徽越众光伏科技有限公司
申请日： 2019-02-19 - 公布日： 2019-11-05 - 主分类号： B07C5/34 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种制绒上料隐裂片挑选装置，包括传送带、电池片盘、支撑架、CCD相机、插槽座、吸盘和电致发光片，所述传送带顶部安装有若干个电池片盘，所述传送带两侧均安装有挡板，且挡板上方安装有支撑架；本实用新型将电池片均匀放置到电池片盘的电池片孔内，然后在经过电致发光片照射后，通过CCD相机拍摄图像传递给电控箱，通过显示器直接查看，其中判断出隐裂片时，对应的按下控制面板的按钮，当电池片盘输送到支撑滑轨下方时，气泵控制对应的吸盘吸住电池片孔内的隐裂片，然后移动至隐裂片收集盒上方后放下，完成隐裂片的挑选，操作简单且工作效率块，保障了后续的电池片的使用。
电池片裂片传送带吸盘本实用新型电致发光片挡板挑选装置支撑架上料制绒顶部安装工作效率均匀放置控制面板拍摄图像气泵控制支撑滑轨插槽座电控箱收集盒按钮按下吸住隐裂显示器照射传递移动

[实用新型]一种来料网板简易检验装置-CN201920212148.X有效
发明人：刘小军;王强;王正华;俞玉松;端伟佳 -专利权人：安徽越众光伏科技有限公司
申请日： 2019-02-18 - 公布日： 2019-10-29 - 主分类号： B25H1/18 文献下载
摘要：本实用新型公开一种来料网板简易检验装置，包括主支架，所述主支架的上表面安装有检测板，所述检测板的上表面嵌入安装有透光玻璃，且检测板的上表面设置有网板固定架，所述主支架的后表面安装有照明支架，所述照明支架的前表面与检测板的后表面衔接处设置有斜度调节架，所述斜度调节架包括第一卡轨和第二卡轨，所述第一卡轨和第二卡轨之间连接有连杆，且第一卡轨和第二卡轨的前表面均设置有夹块；本实用新型能够对检测板进行倾斜度的灵活调节，方便了对来料网板进行检测，且能较好的对来料网板进行固定，同时提供较好的照明调节，在对来料网板进行检测时，能够较好的对来料网板进行全方位的观察，具有较好的使用效果。
卡轨料网检测板上表面主支架本实用新型斜度调节架检验装置照明支架后表面前表面简易倾斜度嵌入安装透光玻璃照明调节固定架衔接处检测夹块网板灵活观察

[实用新型]一种石墨舟-CN201520986158.0有效
发明人：陆义;张忠文;张玉前;徐文俊;董朋;俞玉松 -专利权人：通威太阳能（合肥）有限公司
申请日： 2015-12-03 - 公布日： 2016-04-20 - 主分类号： H01L21/673 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种石墨舟，包括多个交错分布的石墨舟片，多个交错分布的石墨舟片通过多个石墨杆串接后且每个石墨杆的两端通过石墨螺母紧固，串接在石墨舟片顶端的石墨杆上且位于石墨舟片间套装有上部陶瓷管，串接在石墨舟片底端的石墨杆上且位于石墨舟片间套装有下部陶瓷管，串接在石墨舟片两端部的石墨杆上且位于石墨舟片间套装有导电块；其中，上部陶瓷管的长度为10.7-10.9mm，下部陶瓷管的长度为10.9-11.1mm。本实用新型上部陶瓷管长度小，下部陶瓷管长度大，石墨舟片间的间距处于上小下大的格局，弥补了硅片厚薄不均的缺陷，使硅片镀膜时沉积速率一致，减少单边发红造成的色差，提高镀膜的均匀性。
一种石墨

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