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[发明专利]绝缘片及其制造方法和旋转电机-CN202210594268.7在审
发明人：江头康平;名取诗织;保田直纪;长谷川和哉 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2022-05-27 - 公布日： 2022-12-23 - 主分类号： D21H19/24 文献下载
摘要：绝缘片(1)以绝缘纸、绝缘膜、无纺织布和网状布中的任意一种或两种以上为基材(2)，在基材(2)上形成由未固化或半固化状态的热固性树脂组合物构成的绝缘树脂层(3)。所述热固性树脂组合物具有25℃时固态的热固性树脂、25℃时液态的热固性树脂、小于等于60℃时反应惰性的潜在性固化剂，相对于所述固态的热固性树脂和所述液态的热固性树脂的总计100质量份，将固态的热固性树脂设为10质量份至90质量份的范围，绝缘树脂层(3)不形成在被切断的区域和弯曲成型的加工区域中的任意一个或两个区域。具有优异的散热性。
绝缘及其制造方法旋转电机

[发明专利]热固性树脂组合物、片型绝缘清漆及其制造方法、电气设备以及旋转电机-CN202011144108.X有效
发明人： 保田直纪;名取诗织;长谷川和哉;冈本省吾 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2020-10-23 - 公布日： 2022-11-29 - 主分类号： C09D163/02 文献下载
摘要：本发明提供一种片型绝缘清漆用的热固性树脂组合物，该片型绝缘清漆能实实在在地填补绝缘对象的构件之间的间隙，直到细微部分，将两者绝缘并固定。热固性树脂组合物用于配置在绝缘对象的构件之间的间隙处的片型绝缘清漆，包含在25℃下为固体的热固性树脂(A)、在25℃下为液态的热固性树脂(B)、在60℃以下为反应惰性的潜固化剂、最大粒径比间隙的尺寸小且平均粒径小于间隙尺寸的0.5倍的无机填充剂，相对于热固性树脂(A)和热固性树脂(B)的总和100质量份包含30质量份～70质量份的热固性树脂(A)，无机填充剂相对于组合物整体的体积比在50％以下。使用该树脂组合物的片型绝缘清漆的膜厚设定为间隙尺寸的1.1倍～2.0倍，在25℃、25MPa的压力下压缩10％以上。
热固性树脂组合绝缘清漆及其制造方法电气设备以及旋转电机

[发明专利]绝缘片材及其制造方法、以及旋转电机-CN202011460968.4有效
发明人：名取诗织;保田直纪;长谷川和哉;前川健二;早坂康宏 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2020-12-11 - 公布日： 2022-07-01 - 主分类号： B32B7/02 文献下载
摘要：本发明提供一种能够填充绝缘对象的构件之间的间隙、将两者绝缘并固定的绝缘片材，谋求旋转电机的绝缘可靠性、散热性和抗振性的提高。绝缘片材(1)以绝缘纸和热塑性绝缘膜中的任一者或两者为基材(2)，在基材(2)的一面或两面形成有由未固化或半固化状态的热固性树脂组合物构成的绝缘树脂层(3)。热固性树脂组合物包含在25℃下为固体的热固性树脂(A)、在25℃下为液态的热固性树脂(B)、在60℃以下为反应惰性的潜固化剂、最大粒径比绝缘树脂层的膜厚小且平均粒径小于所述膜厚的0.5倍的无机填充剂。绝缘片材(1)的绝缘树脂层(3)可通过常温下的加压被高效地压缩到规定厚度，并且通过固化处理时的加热而浸透至定子铁芯(12)与定子线圈(11)的间隙，因此能将两者绝缘并固定。
绝缘及其制造方法以及旋转电机

[发明专利]绝缘片材及其制造方法、以及旋转电机-CN202111374190.X在审
发明人： 保田直纪;名取诗织;长谷川和哉;江头康平 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2021-11-19 - 公布日： 2022-05-27 - 主分类号： H02K3/34 文献下载
摘要：一种绝缘片材及其制造方法、以及旋转电机。本发明的绝缘片材包括具有空孔、空隙或网眼的片状的基材，和设置于基材的一个面或两个面上的由热固性树脂组合物构成的绝缘树脂层；基材由绝缘纸、绝缘膜、无纺布和网格布中的任意一块单层片材或者多块片材层叠而成的层叠片材形成；绝缘树脂层呈未固化或半固化的状态；热固性树脂组合物具有在25℃下为固体的第一热固性树脂、在25℃下为液态的第二热固性树脂、以及在60℃以下为反应惰性的潜固化剂；将第一热固性树脂和第二热固性树脂的总质量设为100质量份时，第一热固性树脂的质量份在10质量份～90质量份的范围内。
绝缘及其制造方法以及旋转电机

[发明专利]固化性组合物及其固化物以及旋转机-CN201680082248.4有效
发明人：大泽梓;马渊贵裕;保田直纪 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2016-12-21 - 公布日： 2021-04-09 - 主分类号： C08L63/00 文献下载
摘要：本发明涉及固化性组合物及其固化物以及旋转机。固化性组合物(X)含有环氧树脂(A)、固化剂(B)、固化促进剂(C)及亲水性无机粒子(D)。环氧树脂(A)含有第1环氧树脂(a1)及第2环氧树脂(a2)。第1环氧树脂(a1)为具有亲水基团的链状脂肪族环氧树脂，且水溶率为20质量％以上且99质量％以下。第2环氧树脂(a2)含有选自由环状脂肪族环氧树脂、芳香族环氧树脂和杂环式环氧树脂组成的组中的至少1种。
固化组合及其以及旋转

[发明专利]无溶剂型清漆组合物、绝缘线圈及其制造方法、旋转机以及密闭型电动压缩机-CN201580083640.6有效
发明人： 保田直纪;山本茂之;柬理寿史;堤贵弘;大野真史;佐野孝辅;日高元雄 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2015-10-08 - 公布日： 2019-12-13 - 主分类号： C09D4/02 文献下载
摘要：本发明为无溶剂型清漆组合物，其特征在于，包含：在1分子中具有2个以上的(甲基)丙烯酰基的热固化性树脂(A)、在1分子中具有1个以上的环氧基的热固化性树脂(B)、具有醚键或酯键的单官能性乙烯基系单体、10小时半衰期温度为40℃以上的有机过氧化物和环氧树脂用固化催化剂，热固化性树脂(A)和热固化性树脂(B)的混合树脂的环氧当量为500～5000。该无溶剂型清漆组合物可作为以下的绝缘清漆来使用：在固化处理工序中能量损失少并且固化时间短，而且提供即使暴露于处于高温高压下的包含制冷剂及冷冻机油的制冷剂系环境中也难以产生低聚物等的析出的固化物。
热固化性树脂清漆组合物无溶剂型制冷剂环氧树脂密闭型电动压缩机固化处理工序有机过氧化物固化催化剂小时半衰期丙烯酰基高温高压环氧当量混合树脂基系单体绝缘清漆绝缘线圈冷冻机油能量损失析出单官能低聚物固化物环氧基性乙烯旋转机醚键酯键固化暴露制造

[发明专利]水分散型绝缘清漆组合物、使用其的绝缘线圈及密闭型电动压缩机的制造方法、绝缘线圈及密闭型电动压缩机-CN201480056737.3有效
发明人： 保田直纪;山本茂之;柬理寿史;白藤好范;水野康太;龟川展幸;日高元雄 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2014-09-11 - 公布日： 2017-10-03 - 主分类号： C09D4/02 文献下载
摘要：本发明的水分散型绝缘清漆组合物，其特征在于，将在1分子中具有2个以上的(甲基)丙烯酰基的热固化性树脂、溶解于该热固化性树脂的在1分子中具有2个以上的(甲基)丙烯酰基或烯丙基的多官能性乙烯基单体、作为反应引发剂的有机过氧化物、作为分散剂的表面活性剂、和水混合而成，并且不含具有一个反应性基团的单官能性乙烯基单体。本发明的水分散型绝缘清漆组合物在线圈的绝缘处理时VOC的产生显著地少，并且可以实现线圈卷线的、龟裂抑制、电绝缘确保、物理的支持、发热抑制及保护，具有长期可使用时间。
水分绝缘清漆组合使用线圈密闭电动压缩机制造方法

[发明专利]铸塑成形用环氧树脂组合物、以及使用了其的高电压设备用模制品及其制造方法-CN201410299785.7有效
发明人： 保田直纪;山本茂之;野村彻;矶谷浩;长谷川洋;桥爪爱一郎;笠松直生 -专利权人：三菱电机株式会社;长濑化成株式会社
申请日： 2014-06-27 - 公布日： 2014-12-31 - 主分类号： C08L63/00 文献下载
摘要：本发明提供确保长的适用期、且在铸塑温度区域中具有速固化性且成形性优异、可以产生具有高的电绝缘性及高的韧性均质的成型物的铸塑成形用环氧树脂组合物。本发明为一种铸塑成形用环氧树脂组合物，其含有双酚型环氧树脂、酸酐系固化剂、固化促进剂和无机填充剂，其中，所述固化促进剂包含反应活性开始温度不同的3种固化促进剂，无机填充剂的量相对于树脂组合物全体为40～85重量％。
塑成环氧树脂组合以及使用电压备用制品及其制造方法

[发明专利]半导体装置-CN201010113008.0无效
发明人：清水和宏;秋山肇;保田直纪 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2006-07-18 - 公布日： 2010-09-08 - 主分类号： H01L23/525 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体装置。半导体制造装置中的描绘图案印刷部具有分别射出导电性溶剂、绝缘性溶剂和界面处理液的印刷头，印刷头根据来自晶片测试部的描绘图案的信息、来自存储部的与该晶片有关的信息和来自芯片坐标识别部的坐标信息，可以对该晶片印刷所要的电路描绘图案，半导体制造方法使用半导体制造装置，并利用印刷处理形成所要的电路，制造出半导体装置，在半导体装置上形成焊盘电极等，以便可以利用电路描绘图案的印刷对该半导体装置进行修整处理。
半导体装置

[发明专利]等离子体CVD设备、形成薄膜的方法及半导体装置-CN200780010859.9有效
发明人：熊田辉彦;信时英治;保田直纪 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2007-03-23 - 公布日： 2009-04-15 - 主分类号： H01L21/314 文献下载
摘要：提供了一种等离子体CVD设备，所述等离子体CVD设备包括：具有用于供给具有环硼氮烷骨架化合物的入口(5)的反应室(1)；设置在反应室(1)中的供电电极(7)，用于支承衬底(8)并且被施加负电荷(7)；以及等离子体产生工具(12)，其介由衬底(8)与供电电极(7)相对设置，用于在反应室(1)内产生等离子体(11)。还提供了一种薄膜形成方法，其中薄膜通过采用具有环硼氮烷骨架的化合物作为原料而形成，以及包括由这样方法形成的薄膜作为绝缘膜的半导体装置。本发明能够产生其中低介电常数和高机械强度可稳定保持长时间且保证绝缘特性的薄膜。
等离子体 cvd 设备形成薄膜方法半导体装置

[发明专利]化学气相沉积成膜用组合物及生产低介电常数膜的方法-CN200680042613.5无效
发明人：熊田辉彦;信时英治;保田直纪;山本哲也;中谷泰隆;神山卓也 -专利权人：株式会社日本触媒
申请日： 2006-11-15 - 公布日： 2008-11-19 - 主分类号： C23C16/38 文献下载
摘要：本发明提供一种包含由化学式1表示的环硼氮烷化合物的化学气相沉积成膜用组合物，其满足以下至少一个条件：所述组合物中各种卤素原子的含量为100ppb以下的条件，或所述组合物中各种金属元素的含量为100ppb以下的条件。在化学式1中，R¹可以相同或不同，其为氢原子、烷基、烯基或炔基，其至少之一为氢原子；R²可以相同或不同，其为氢原子、烷基、烯基或炔基，其至少之一为烷基、烯基或炔基。通过使用该组合物，可改进由含环硼氮烷环的化合物生产的薄膜的物理性质如低介电常数性和机械强度。
化学沉积成膜用组合生产介电常数方法

[发明专利]等离子体CVD装置-CN200580035904.7无效
发明人：熊田辉彦;保田直纪;信时英治;松本纪久;松野繁 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2005-10-07 - 公布日： 2007-09-26 - 主分类号： H01L21/312 文献下载
摘要：本发明提供等离子体CVD装置，其具备供给含有硼嗪骨架的化合物的设备(5)、为了发生等离子体的等离子体发生器、在设置基板(8)的电极(7)上施加负电荷的设备(2)。根据这样的本发明，可以提供长期稳定地获得低介电常数和高机械强度，同时降低在加热膜时放出的气体成分(脱气)量，在器件制造工艺上不引起不适宜情况的等离子体CVD装置。
等离子体 cvd 装置

[发明专利]膜的制造方法与使用该方法制造的膜的半导体装置-CN200580031218.2无效
发明人：熊田辉彦;保田直纪;信时英治;松本纪久;松野繁 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2005-10-07 - 公布日： 2007-08-22 - 主分类号： H01L21/312 文献下载
摘要：本发明提供使用具有硼嗪骨架的化合物(优选下述化学式(1)(式中，R₁－R₆可以分别相同也可以不同，分别单独地选自氢原子、C_1－4的烷基，链烯基或炔基，并且R₁－R₆的至少1个不是氢原子)表示的化合物)作为原料，采用化学气相淀积法在基板上形成膜的方法中，对设置前述基板的部位施加负电荷为特征的膜的制造方法，及使用该方法制造的膜的半导体装置。采用这样的发明可提供长期、稳定地得到低介电常数和高机械强度，同时降低加热膜时放出的气体成分(放出气)量，不引起器件制造工艺上的问题的膜的制造方法。
制造方法使用半导体装置

[发明专利]半导体制造装置、半导体制造方法及半导体装置-CN200610105554.3有效
发明人：清水和宏;秋山肇;保田直纪 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2006-07-18 - 公布日： 2007-02-28 - 主分类号： H01L21/288 文献下载
摘要：半导体制造装置中的描绘图案印刷部具有分别射出导电性溶剂、绝缘性溶剂和界面处理液的印刷头，印刷头根据来自晶片测试部的描绘图案的信息、来自存储部的与该晶片有关的信息和来自芯片坐标识别部的坐标信息，可以对该晶片印刷所要的电路描绘图案，半导体制造方法使用半导体制造装置，并利用印刷处理形成所要的电路，制造出半导体装置，在半导体装置上形成焊盘电极等，以便可以利用电路描绘图案的印刷对该半导体装置进行修整处理。
半导体制造装置方法

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN200610092572.2有效
发明人：熊田辉彦;信时英治;保田直纪;后藤欣哉;松浦正纯 -专利权人：株式会社瑞萨科技
申请日： 2006-06-15 - 公布日： 2006-12-20 - 主分类号： H01L23/532 文献下载
摘要：本发明提供了一种通过使用环硼氮烷系的化合物的绝缘膜来提高绝缘材料和布线材料间的附着性或机械强度等特性的半导体器件及其制造方法。本发明的半导体器件包括：在凹部埋入了第1导体层2的第1绝缘层1，在第1绝缘层上形成的刻蚀阻止层3，在刻蚀阻止层3上形成的第2绝缘层4，在第2绝缘层4上形成的第3绝缘层7，被埋入到第2绝缘层4和第3绝缘层7的凹部的第2导体层5；其特征在于：第2绝缘层4和第3绝缘层7是以含碳的环硼氮烷化合物为原料、利用化学汽相淀积法而形成的；第3绝缘层7的含碳率比第2绝缘层4的含碳率低。
半导体器件及其制造方法

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