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[发明专利]锗光电探测器及通过应力记忆提高其长波响应的方法-CN202310905207.2有效
发明人：杨荣;余明斌 -专利权人：上海铭锟半导体有限公司
申请日： 2023-07-24 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明提供一种锗光电探测器及通过应力记忆提高其长波响应的方法，属于锗光电探测器技术领域，包括以下步骤：在单晶硅衬底上以氧化硅开窗定义位置，选择性外延生长单晶锗层，然后沉积多晶硅层并刻蚀成覆盖锗层的图形，再沉积氮化硅，所述氮化硅将所述多晶硅层上方和四周全部包围；在高温下对此结构进行快速热退火；退火完成后去除氮化硅，再制成探测器。
光电探测器通过应力记忆提高长波响应方法

[发明专利]铅掺杂型锗红外光电探测器及其形成方法-CN201910242772.9有效
发明人：汪巍;方青;涂芝娟;曾友宏;蔡艳;王庆;王书晓;余明斌 -专利权人：上海新微技术研发中心有限公司
申请日： 2019-03-28 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01L31/101 文献下载
摘要：本发明涉及光电子技术领域，尤其涉及一种铅掺杂型锗红外光电探测器及其形成方法。所述铅掺杂型锗红外光电探测器包括硅衬底以及位于所述硅衬底表面的器件结构；所述器件结构包括沿垂直于所述硅衬底的方向依次叠置的下接触层、锗吸收层和上接触层；所述锗吸收层中掺杂有铅元素，以扩展锗红外光电探测器的探测范围。本发明使得光电探测器在短波红外到中波红外波段都能实现高效吸收，提高了红外光电探测器的探测范围和探测灵敏度。
掺杂红外光电探测器及其形成方法

[发明专利]一种硅基单片红外像素传感器的制造方法-CN201811110509.6有效
发明人：汪巍;方青;涂芝娟;曾友宏;蔡艳;王庆;王书晓;余明斌 -专利权人：上海新微技术研发中心有限公司
申请日： 2018-09-21 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本申请提供一种硅基单片红外像素传感器及其制造方法，该硅基单片红外像素传感器包括：硅基衬底11；位于硅基衬底11上的缓冲层12；以及位于缓冲层12上的红外探测器13和晶体管14，其中，红外探测器13和晶体管14均采用锗锡(GeSn)材料。根据本申请，红外探测器和晶体管都采用锗锡(GeSn)材料制备，因此，能够结合锗锡(GeSn)材料在红外波段的高响应特性和锗锡(GeSn)材料晶体管的高迁移率特性，并且，能够在标准CMOS工艺下，将光电探测器和晶体管集成在一个硅衬底中以形成单片红外像素传感器。
一种单片红外像素传感器制造方法

[发明专利]一种硅基二硫化钼的太赫兹调制器及其制备方法-CN202310916213.8在审
发明人：曾友宏;杨荣;余明斌 -专利权人：上海铭锟半导体有限公司
申请日： 2023-07-25 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： G02F1/01 文献下载
摘要：本发明公开了一种硅基二硫化钼的太赫兹调制器及其制备方法，包括硅基二硫化钼异质结结构，所述硅基二硫化钼异质结结构从下至上依次包括Si衬底、第一SiO2层、MoS2层和第二SiO2层，第二SiO2层中设置有加热电极，所述加热电极上方设置有接触电极。制备方法为从下至上在Si衬底上沉积MoS2层、SiO2层、加热电极层，随后刻蚀出加热电极，再在加热电极周围填充SiO2层，在填充的SiO2层上刻蚀出金属接触电极的填充孔，在填充孔内沉积金属接触电极。本申请的调制器使用加热电极对MoS2层进行加热，进而对穿过调制器的太赫兹波进行调制，结构简单，加热迅速，调制效率高。
一种二硫化钼赫兹调制器及其制备方法

[发明专利]一种高方向性的波导光栅天线及其制备方法-CN202310891631.6有效
发明人：王庆;杨荣;余明斌 -专利权人：上海铭锟半导体有限公司
申请日： 2023-07-20 - 公布日： 2023-09-26 - 主分类号： G02B6/12 文献下载
摘要：本发明涉及集成光电子器件技术领域，具体涉及一种高方向性的波导光栅天线及其制备方法，包括上层和下层，所述下层为晶圆层，所述上层为光栅层，所述晶圆层顶面设置有波导图形，所述光栅层顶面设置有光栅。相比于交错刻蚀不同深度的光栅槽，以及在波导上下表面形成光栅图形并在光栅延伸方向上错开的方法，本发明可以节省一层光刻掩模版和降低制造成本。
一种方向性波导光栅天线及其制备方法

[发明专利]集成太阳能电池和CMOS电路的光电探测器及制造方法-CN202211661699.7有效
发明人：杨荣;余明斌 -专利权人：上海铭锟半导体有限公司
申请日： 2022-12-23 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： H01L27/144 文献下载
摘要：本发明公开了一种集成太阳能电池和CMOS电路的光电探测器及制造方法，该光电探测器包括由下至上的硅衬底和氧化层；其中，所述硅衬底和所述氧化层包括CMOS集成电路区域、探测器区域和硅太阳能电池区域。本发明通过修改硅衬底上浅沟槽隔离的成熟CMOS工艺流程，嵌入选择性硅、锗外延制作硅、锗探测器，并利用CMOS源漏区掺杂充当晶硅太阳能电池的电极接触区掺杂，通过金属连线连接电极。硅太阳能电池为探测器和CMOS电路提供电源，探测器将吸收的光信号转变为电信号，经过CMOS电路放大和处理信号，实现完整的光接收器功能，并独立于外部电源工作。本发明解决了目前集成太阳能电池和/或CMOS电路的光电探测器制造难度大、成本高的问题。
集成太阳能电池 cmos 电路光电探测器制造方法

[发明专利]锗光电探测器及通过热失配应力提高其长波响应的方法-CN202310905213.8在审
发明人：杨荣;余明斌 -专利权人：上海铭锟半导体有限公司
申请日： 2023-07-24 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明提供锗光电探测器及通过热失配应力提高其长波响应的方法，属于锗光电探测器技术领域，在单晶硅衬底上高温外延生长单晶锗层，然后沉积硅帽层，所述硅帽层厚度为0.5‑5微米，自然冷却到室温下，去除硅帽层后，再制成探测器。从高温下降到室温时锗因热膨胀系数大收缩较多而产生水平拉伸应力，其中，覆盖硅帽层的锗因衬底和帽层的双重拉伸而具有更大应力；室温下去掉硅帽层，原硅帽层贡献的应力被部分保留：即与锗层降温这一自退火过程产生的不可恢复的塑性形变相联系的这部分应力被保留，不随硅帽层去除而释放；而与可恢复的弹性形变相联系的这部分应力将随硅帽层去除而释放。因此曾经沉积硅帽层的锗层具有更大的拉伸引力。
光电探测器通过失配应力提高长波响应方法

[发明专利]热光移相器、热光移相器制造方法及热光移相器阵列-CN202310065973.2在审
发明人：王庆;杨荣;余明斌 -专利权人：上海铭锟半导体有限公司
申请日： 2023-01-12 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： G02F1/025 文献下载
摘要：本发明公开了一种热光移相器、热光移相器制造方法及热光移相器阵列，该热光移相器阵列包括若干个热光移相器构成的阵列通道；其中，相邻通道间对应热光移相器的加热电阻具有预设阻值差，两个对应热光移相器的加热电阻通过互连金属线串联，以使串联的每一组加热电阻的阻值和相等，每一组加热电阻通过金属电极并联。本发明通过采用两两加热电阻串联的方式，使每一组加热电阻的阻值和相等，组与组之间采用并联的方式互连，只需要控制一个输入电压即可实现移相器阵列相邻通道间的相位差的控制，且避免了特大电阻的出现。
移相器制造方法阵列

[发明专利]一种集成铌酸锂薄膜和量子光源的光芯片及其制备方法-CN202310307872.1在审
发明人：曾友宏;杨荣;余明斌 -专利权人：上海铭锟半导体有限公司
申请日： 2023-03-27 - 公布日： 2023-08-04 - 主分类号： G02B6/136 文献下载
摘要：本发明公开了一种集成铌酸锂薄膜和量子光源的光芯片及其制备方法，制备方法包括如下步骤：S1：在光刻胶的保护下，在LNOI晶圆上的单晶LiNbO3薄膜层刻蚀出LiNbO3光波导；S2：在光刻胶的保护下，在InP晶圆上制备出InP纳米束绝热锥体，所述InP纳米束绝热锥体内嵌有InAs量子点，且所述InP纳米束绝热锥体的尾部为由通孔阵列组成的布拉格反射结构；S3：通过聚焦离子束FIB的方法，将InP纳米束绝热锥体与衬底链接切断，并用纳米针吸附并转移InP纳米束绝热锥体，通过分子间作用力与LiNbO3光波导贴合。本发明制备方法通过InP纳米束绝热锥体的设计，可以将发射到纳米束中的单光子高效地传输到铌酸锂波导，从而解决薄膜铌酸锂光芯片缺少单光子发射器的问题。
一种集成铌酸锂薄膜量子光源芯片及其制备方法

[发明专利]相移器及硅基电光调制器-CN201811134136.6有效
发明人：涂芝娟;汪巍;方青;余明斌 -专利权人：上海新微技术研发中心有限公司
申请日： 2018-09-27 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： G02F1/015 文献下载
摘要：本发明提供一种相移器及硅基电光调制器，相移器包括：第一掺杂类型半导体层；第二掺杂类型半导体层，与第一掺杂类型半导体层间隔排布；第一介质层，位于第一掺杂类型半导体与第二掺杂类型半导体层之间；第二介质层，位于第一介质层与第二掺杂类型半导体层之间；插入材料层，位于第一介质层与第二介质层之间，插入材料层在外部驱动电压的作用下产生负电容效应。本发明的相移器通过增设在外部驱动电压的作用下可以产生负电容效应的插入材料层，负电容效应可使得相移器内部电压得到放大，当相移器用于硅基电光调制器时，可以减小硅基电光调制器正常工作所需的外部驱动电压，大大提高硅基电光调制器的调制效率，降低硅基电光调制器的功耗。
相移电光调制器

[发明专利]电沉积电极结构、全彩化显示结构及其制备方法-CN202111670157.1在审
发明人：李德鹏;项国洪;曾友宏;余明斌 -专利权人：上海新微技术研发中心有限公司
申请日： 2021-12-31 - 公布日： 2023-07-11 - 主分类号： H01L21/283 文献下载
摘要：本发明提供一种电沉积电极结构、全彩化显示结构及其制备方法，该制备方法包括以下步骤：形成包括多个第一电极块的第一电极层于绝缘基板上，形成第一绝缘层；形成包括多个第二电极块的第二电极层于第一绝缘层上，第一、第二电极块在水平方向上间隔排布；形成第二绝缘层；形成多个第一开口以显露第一电极块；形成第三电极块于第一开口中；形成多个第二开口以显露第二电极块；形成第四电极块于第二开口中。本发明将二维平面上制备的电极变为三维电极，利用电极之间的绝缘层来隔绝电极间相互影响，解决了二维平面电极容易短路的问题。由于两层电极的连线可以上下排布，节约了排布面积，使得像素间距进一步缩小，进而可以得到更高分辨率的色彩转换膜。
沉积电极结构全彩显示及其制备方法

[发明专利]一种大波长控制扫描角度的光学相控阵-CN202111638186.X在审
发明人：王庆;蔡艳;汪巍;余明斌 -专利权人：上海新微技术研发中心有限公司
申请日： 2021-12-29 - 公布日： 2023-07-11 - 主分类号： G02F1/29 文献下载
摘要：本发明提供一种大波长控制扫描角度的光学相控阵，该大波长控制扫描角度的光学相控阵包括光开关及多个光学相控子阵列，其中，光开关包括多个输出端；多个光学相控子阵列分别与光开关的不同输出端相连，光学相控子阵列包括依次相连的分束器、移相器及发射光栅结构，不同光学相控子阵列的发射光栅结构的光栅周期不同。本发明利用光开关加光学相控阵子阵列的方式来增大波长控制的扫描角度，其中，利用光开关选择工作的光学相控阵子阵列，两个子阵列在相同的激光器波长范围内，对应的偏转角度恰好互补，通过切换工作的子阵列就可以实现波长控制扫描角度的扩大，提高波长控制扫描角度的效率，通过增加子阵列的数量可以进一步增大波长控制的扫描角度。
一种波长控制扫描角度光学相控阵

[发明专利]偏振分束器及其形成方法-CN201910328570.6有效
发明人：汪大伟;汪巍;方青;涂芝娟;曾友宏;蔡艳;余明斌 -专利权人：上海新微技术研发中心有限公司
申请日： 2019-04-23 - 公布日： 2023-07-07 - 主分类号： G02B6/10 文献下载
摘要：本发明涉及光学技术领域，尤其涉及一种偏振分束器及其形成方法。所述偏振分束器包括：衬底；位于所述衬底表面且均沿第一方向延伸的第一波导、狭缝波导和第二波导；所述第一波导、所述狭缝波导与所述第二波导在沿与所述第一方向垂直的第二方向上平行排列，且所述狭缝波导位于所述第一波导与所述第二波导之间；所述第一方向为光线的传播方向，所述第一方向与所述第二方向均为平行于所述衬底的方向；所述光线中的横磁偏振光能够自所述第一波导经所述狭缝波导耦合至所述第二波导。本发明实现了对光线中TM偏振模式与TE偏振模式的分离，在未来的偏振复用以及传感等方面有着诸多潜在的应用。
偏振分束器及其形成方法

[发明专利]基于应力分散和裂纹阻挡图案的氮化硅器件制备方法-CN202310121948.1在审
发明人：余巨峰;杨荣;王庆;曾友宏;余明斌 -专利权人：上海铭锟半导体有限公司
申请日： 2023-02-15 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： G02B6/13 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于应力分散和裂纹阻挡图案的氮化硅器件制备方法，包括以下步骤：在半导体衬底上通过热氧方式生长氧化硅层；在氧化硅层表面沉积非晶硅层作为硬掩膜；使用具有副图案的掩膜版进行光刻，副图案包括若干交错排布的矩形图案，矩形图案填充于主图案之外的空白区域处；刻蚀非晶硅层，将副图案以凹槽或凸出形状转移到非晶硅层上；刻蚀氧化硅层后，再去除非晶硅层；生长氮化硅膜层；若副图案为凹槽形状，则使用化学机械抛光工艺去除多余的氮化硅，形成氮化硅器件图案；若副图案为凸出形状，则使用器件层掩膜版进行光刻工艺，刻蚀氮化硅膜层，形成氮化硅器件图案。本发明可降低氮化硅的应力累积，降低裂纹的产生，阻挡裂纹的扩散。
基于应力分散裂纹阻挡图案氮化器件制备方法

[发明专利]一种基于离子注入与退火方法的选区锗铅合金的制备方法-CN201910273253.9有效
发明人：汪巍;方青;涂芝娟;曾友宏;蔡艳;王庆;王书晓;余明斌 -专利权人：上海新微技术研发中心有限公司
申请日： 2019-04-04 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H01L21/265 文献下载
摘要：本发明提供了一种基于离子注入与退火方法的选区锗铅合金的制备方法。包括如下步骤：在衬底表面沉积基底介质层；在基底介质层中刻蚀开孔，露出所述衬底表面的外延生长区域；在所述外延生长区域内外延生长锗单晶层；采用离子注入方法在所述锗单晶层中注入铅离子；以及对注入有铅离子的锗单晶层进行退火，形成锗铅合金。根据本申请，在Ge外延层中注入Pb离子，可以有效调整Pd的含量，这为硅基光源的实现提供了新的材料选择；此外，所述GePb合金的制备方法是采用与CMOS完全兼容的离子注入方法引入Pb元素，结合退火，实现特定区域的GePb合金的制备，不仅工艺简单，而且与CMOS工艺的兼容性较好，有利于GePb合金在硅基器件中的应用。
一种基于离子注入退火方法选区铅合金制备

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