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专利名称

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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]主动元件电路基板-CN201410727677.5有效
发明人：徐振航;余宗玮;许毓麟;辛哲宏 -专利权人：元太科技工业股份有限公司
申请日： 2014-12-04 - 公布日： 2019-04-02 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本发明提供一种主动元件电路基板，其包括基板、多个主动元件以及第一平坦层。主动元件设置在基板上。各主动元件包括栅极、通道层、源极以及漏极。通道层与栅极堆叠设置。源极以及漏极设置在通道层上且位于通道层的相对两侧，以定义出通道层的通道区。第一平坦层设置在基板上，其中主动元件包括至少一第一主动元件以及至少一第二主动元件。第一主动元件设置在第一平坦层与基板之间，且第一平坦层设置在第一主动元件与第二主动元件之间。第一主动元件的通道区与第二主动元件的通道区在平行基板的方向上的最小直线距离大于或等于5μm。
主动元件路基

[发明专利]薄膜晶体管-CN201310220993.9有效
发明人：林冠峄;舒芳安;蔡耀州;余宗玮 -专利权人：元太科技工业股份有限公司
申请日： 2013-06-03 - 公布日： 2018-10-12 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明是有关于一种薄膜晶体管，包括基板、第一栅极层、绝缘层、第一源/漏极层、第二源/漏极层、半导体层、保护层以及第二栅极层。第一栅极层配置于基板上。绝缘层配置于第一栅极层上。第一源/漏极层配置于绝缘层上。第二源/漏极层配置于绝缘层上。半导体层配置于绝缘层上，并且覆盖第一源/漏极层以及第二源/漏极层。保护层配置于绝缘层上，并且覆盖半导体层。第二栅极层配置于保护层上。第二栅极层利用贯孔与第一栅极层连接，以使两者接触并且保持在同一电位。
栅极层源/漏极绝缘层保护层配置薄膜晶体管半导体层基板半导体层配置电位绝缘层配置覆盖贯孔

[发明专利]像素结构及像素结构的制造方法-CN201410408580.8有效
发明人：林冠峄;舒芳安;余宗玮;吴纪良 -专利权人：元太科技工业股份有限公司
申请日： 2014-08-19 - 公布日： 2018-04-03 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种接触窗结构、像素结构及像素结构的制造方法。该接触窗结构包含第一金属层、第一绝缘层、第二金属层、第二绝缘层及第三金属层。第一绝缘层设置于第一金属层上，且第一绝缘层具有第一开口，第一开口暴露部分第一金属层。第二金属层覆盖第一开口，且通过第一开口接触第一金属层。第二绝缘层设置于第一绝缘层上，且第二绝缘层具有第二开口，第二开口暴露第二金属层及部分第一绝缘层，其中第二开口在第一金属层上的投影区域涵盖第一开口在第一金属层上的投影区域。第三金属层覆盖第二绝缘层及第二开口，且通过第二开口接触第二金属层。本发明提供的接触窗结构可提升光刻工艺的分辨率。
接触结构像素制造方法

[发明专利]薄膜晶体管结构-CN201310348279.8有效
发明人：徐振航;余宗玮;陈蔚宗;辛哲宏 -专利权人：元太科技工业股份有限公司
申请日： 2013-08-09 - 公布日： 2017-06-06 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明是有关于一种薄膜晶体管结构，包括基板、栅极、氧化物半导体层、栅绝缘层、源极、漏极、硅质吸光层以及绝缘层。栅绝缘层配置于氧化物半导体层与栅极之间。氧化物半导体层与栅极在厚度方向上堆叠。源极与漏极都配置于基板上并接触氧化物半导体层。氧化物半导体层的一部分没有被源极与漏极接触而定义出通道区，且通道区位于源极与漏极之间。氧化物半导体层位于基板与硅质吸光层之间。硅质吸光层的能隙小于2.5eV。绝缘层配置于氧化物半导体层与硅质吸光层之间，且绝缘层与硅质吸光层彼此接触。借由本发明，能够提高薄膜晶体管的元件特性。
薄膜晶体管结构

[发明专利]基板结构及其制作方法-CN201510129843.6在审
发明人：林冠峄;林柏辛;舒芳安;徐振航;余宗玮 -专利权人：元太科技工业股份有限公司
申请日： 2015-03-24 - 公布日： 2016-02-03 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明提供一种基板结构及其制作方法，包括一可挠性基板、一栅极线、一栅极、一无机绝缘层、一半导体层、一源极与一漏极、一无机保护层以及一有机绝缘层；栅极电性连接栅极线；无机绝缘层覆盖栅极并暴露出部分可挠性基板；半导体层配置于无机绝缘层上且与栅极对应设置；源极与漏极由无机绝缘层延伸配置于半导体层上且暴露出部分半导体层；无机保护层覆盖部分源极与部分漏极并直接接触源极与漏极所暴露出的半导体层；有机绝缘层覆盖源极、漏极、无机保护层以及无机绝缘层所暴露出的可挠性基板。
板结及其制作方法

[发明专利]像素结构-CN201310516190.8在审
发明人：林冠峄;舒芳安;余宗玮 -专利权人：元太科技工业股份有限公司
申请日： 2013-10-24 - 公布日： 2014-09-17 - 主分类号： G02F1/1343 文献下载
摘要：本发明是有关于一种像素结构，配置于基板上。像素结构包括主动元件、第一电极、第二电极以及配向层。主动元件配置于基板上。第一电极配置于基板上并且具有多个第一狭缝，其中第一电极的厚度为至第二电极配置于基板上，电性独立于第一电极且第二电极的面积至少部分地位于第一狭缝中。第一电极与第二电极其中一者电性连接至主动元件。配向层至少覆盖第一电极以及第一狭缝。
像素结构

[发明专利]薄膜晶体管结构及其制作方法-CN201210497328.X有效
发明人：徐振航;余宗玮;辛哲宏 -专利权人：元太科技工业股份有限公司
申请日： 2012-11-28 - 公布日： 2014-05-07 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明是有关一种薄膜晶体管结构及其制作方法，其中的薄膜晶体管结构包括：金属氧化物半导体层、栅极、源极与漏极、栅绝缘层以及保护层。金属氧化物半导体层具有结晶表面，其中结晶表面是由多个彼此不相连的结晶颗粒所组成。结晶颗粒中的铟含量占金属氧化物半导体层中所有金属成分的50%以上。栅极配置于金属氧化物半导体层的一侧。源极与漏极配置于金属氧化物半导体层的另一侧上。栅绝缘层配置于栅极与金属氧化物半导体层之间。保护层配置于栅绝缘层上，其中金属氧化物半导体层的结晶表面直接接触栅绝缘层或保护层。
薄膜晶体管结构及其制作方法

[发明专利]半导体结构-CN201310087323.4有效
发明人： 余宗玮;舒芳安;蔡耀州;林冠峄 -专利权人：元太科技工业股份有限公司
申请日： 2013-03-11 - 公布日： 2014-02-12 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明是有关一种半导体结构，包括一栅极、一氧化物通道层、一栅绝缘层、一源极、一漏极以及一介电堆叠层。栅极配置于一基板上。氧化物通道层与栅极彼此上下堆叠。栅绝缘层配置于栅极与氧化物通道层之间。源极与漏极配置于氧化物通道层的一侧且彼此平行配置。氧化物通道层的一部分暴露于源极与漏极之间。介电堆叠层配置于基板上，且包括多层具有一第一折射率的第一无机介电层以及多层具有一第二折射率的第二无机介电层。第一及第二无机介电层交替堆叠。至少一第一无机介电层直接覆盖源极、漏极与氧化物通道层的部分。第一折射率小于第二折射率。
半导体结构

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