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专利名称

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申请人
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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[实用新型]一种稀土萃取槽稀土料液喷洒装置-CN202122381991.0有效
发明人：侯贵恒 -专利权人： 余宏萍
申请日： 2021-09-29 - 公布日： 2022-03-22 - 主分类号： C22B3/02 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种喷洒装置，尤其涉及一种稀土萃取槽稀土料液喷洒装置。本实用新型要解决的技术问题是提供一种较均匀且较方便的稀土萃取槽稀土料液喷洒装置。本实用新型提供了这样一种稀土萃取槽稀土料液喷洒装置，包括有：第一支撑板，其上沿周连接有第一支撑板上；连接柱，其连接在固定杆之间；第二支撑板，其连接在第一支撑板上；装料桶，其转动式地连接在第二支撑板上；吸水管，其连接在装料桶上；出水管，其沿周连接在吸水管与装料桶之间；喷洒斗，其连接在出水管上；水泵，其连接在吸水管上。通过喷洒斗和动力组件对稀土较均匀的喷洒，提高工作效率；通过打开组件对装料桶进行打开，节省人力，方便人们工作。
一种稀土萃取喷洒装置

[实用新型]一种稀土原料破碎装置-CN202122335242.4有效
发明人：侯贵恒 -专利权人： 余宏萍
申请日： 2021-09-26 - 公布日： 2022-01-11 - 主分类号： B02C18/14 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种原料破碎装置，尤其涉及一种稀土原料破碎装置。本实用新型要解决的技术问题是提供一种效率较高且较均匀的稀土原料破碎装置。本实用新型提供了这样一种稀土原料破碎装置，包括有：装料框，其上连接有第一支撑柱；固定框，其连接在第一支撑柱之间；支撑架，其连接在固定框上；第二支撑柱，其连接在固定框上；第一转轴，其转动式地连接在第二支撑柱上；挡板，其连接在第一转轴上；手柄，其连接在挡板上；破碎组件，其连接在装料框上。通过固定框和破碎组件对稀土原料进行高效率破碎，从而不需要使用破碎工具将其进行敲碎，且破碎较均匀，通过挡板和手柄对固定框进行打开，节省人力，方便人们工作。
一种稀土原料破碎装置

[实用新型]一种自动供料粉刷滚筒-CN202020971815.5有效
发明人：张蕾;余宏萍 -专利权人： 余宏萍
申请日： 2020-06-01 - 公布日： 2021-03-12 - 主分类号： E04F21/08 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种自动供料粉刷滚筒，包括筒刷，所述筒刷上端活动连接了一个防滴漏塑料罩，所述筒刷下方连接了进料管，所述进料管另一端连接了抽料机构，所述抽料机构下方设有料筒。本实用新型所述的一种自动供料粉刷滚筒，通过在料筒上增加了供料装置实现了料筒内漆料的抽离并通过相连接的进料管完成漆料的传导，将漆料供给到具有空心结构的筒刷中，并通过筒刷上的细孔向外分泌漆料完成漆料的供给，有效避免了平凡蘸料带来的麻烦；再通过防滴漏塑料罩完成对滴漏漆料的收集，有效缓解了对地面的污染；其料筒与筒刷连成一体，且下方装有万向轮使其可以随筒刷拖动，可以有效减少工人师傅来回拎动料筒带来的诸多不便。
一种自动供料粉刷滚筒

[实用新型]一种疫情防疫用喷液器-CN202020746117.5有效
发明人： 余宏萍 -专利权人： 余宏萍
申请日： 2020-05-08 - 公布日： 2020-07-10 - 主分类号： A61L2/18 文献下载
摘要：一种疫情防疫用喷液器，包括底座、安装在底座一侧的支架以及安装在底座上的储液箱，支架内设置喷洒角度调节机构，储液箱一侧设置混合机构；喷洒角度调节机构包括安装座，安装座内设置旋转接头，旋转接头与承载接头转动连接，承载接头安装在安装座内，承载接头一端与输液软管连接，输液软管一端与储液箱连接，旋转接头一端与主输液管连通，主输液管一端与分流管连接，分流管上设置多组喷淋头，旋转接头上设置调节齿轮，调节齿轮与齿条啮合，齿条固定在电动推杆的活塞杆下端，电动推杆安装在安装座上侧面上。本实用新型能够实现喷洒消毒的调节功能，扩大调节范围，同时便于消毒液的混合，提高消毒液的混合效率。
一种疫情防疫用喷液器

[发明专利]多晶硅晶粒尺寸测量装置及多晶硅晶粒的尺寸测量方法-CN201610643326.5有效
发明人： 余宏萍 -专利权人：武汉华星光电技术有限公司
申请日： 2016-08-08 - 公布日： 2019-02-19 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明提供一种多晶硅晶粒尺寸测量装置及多晶硅晶粒的尺寸测量方法，所述多晶硅晶粒尺寸测量装置的结构简单，所述多晶硅晶粒的尺寸测量方法易于操作，利用光学原理测量多晶硅晶粒尺寸，可快速有效的分析出多晶硅薄膜的晶粒尺寸和结晶均匀性，减少了切片、泡酸和扫描电子显微镜测试环节，提高多晶硅晶粒尺寸测量效率和降低生产成本，并可对生产过程中多晶硅薄膜的结晶质量进行量化性实时监控。
多晶晶粒尺寸测量装置测量方法

[发明专利]一种多晶硅薄膜和薄膜晶体管的制备方法-CN201810827786.2在审
发明人：何鹏;余宏萍 -专利权人：武汉华星光电技术有限公司
申请日： 2018-07-25 - 公布日： 2018-12-04 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本申请公开了一种多晶硅薄膜和薄膜晶体管的制备方法，所述方法包括：提供基板，在基板上形成非晶硅薄膜；将非晶硅薄膜置于空气中进行氧化，以在非晶硅薄膜上形成氧化膜；利用氢氟酸对氧化膜进行刻蚀，刻蚀后保留部分氧化膜；对非晶硅薄膜进行准分子激光处理，形成多晶硅薄膜。通过上述方式，本申请能够降低多晶硅薄膜表面的粗糙度。
非晶硅薄膜多晶硅薄膜氧化膜薄膜晶体管基板刻蚀制备多晶硅薄膜表面准分子激光粗糙度氢氟酸申请保留

[发明专利]一种测量多晶硅粗糙度的方法及装置-CN201710447035.3在审
发明人： 余宏萍 -专利权人：武汉华星光电技术有限公司
申请日： 2017-06-14 - 公布日： 2017-11-24 - 主分类号： G01B11/30 文献下载
摘要：本发明提供了一种测量多晶硅粗糙度的方法及装置，所述方法操作方便，所述装置结构简单，通过将多晶硅放置于光源与积分球之间的不同位置，在积分球中测得多晶硅位于不同位置时的穿透率，根据穿透率计算出所述多晶硅的雾度，再以多晶硅雾度和粗糙度的数学关系得出多晶硅的表面粗糙度。本方案不需要对多晶硅进行切片取样，大大缩短测量时间、节约成本，并且可对多晶硅粗糙度进行实时监控。
一种测量多晶粗糙方法装置

[发明专利]一种制造高红外吸收硅材料的方法-CN201410404489.9无效
发明人：李世彬;王健波;张鹏;余宏萍;吴志明 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2014-08-18 - 公布日： 2014-11-19 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种制造高红外吸收硅材料的方法，包括：制备硅衬底材料；在硅衬底材料上注入掺杂离子，形成掺杂层；用激光脉冲照射形成了掺杂层的硅衬底材料的表面，使该表面形成平整表面。本发明的实例的方法中，首先利用离子注入技术在硅衬底上形成高浓度掺杂，从而拓宽能带吸收，增加吸收率，然后利用低能激光脉冲照射修复表面损伤和缺陷且保持表面平整度。这样，不仅可以通过高浓度的表面掺杂拓宽能带吸收，而且通过控制激光脉冲能量可以减少离子注入带来的表面损伤及缺陷。同时，表面平整的硅材料利于后续的半导体加工，且工艺重复性和均匀性较好。
一种制造红外吸收材料方法

[发明专利]一种制造宽波段高吸收黑硅材料的方法-CN201410296521.6无效
发明人：李世彬;王健波;余宏萍;张鹏;吴志明 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2014-06-27 - 公布日： 2014-09-24 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种制造宽波段高吸收黑硅材料的方法，包括：获取P型重掺杂硅衬底；使用电感耦合等离子体-反应离子刻蚀法（ICP-RIE）对硅衬底进行刻蚀，在硅衬底表面上形成黑硅层；在黑硅层表面沉积钝化层。本发明的实施例的方法中，采用的是P型重掺杂硅衬底，并且选用ICP-RIE对硅表面进行刻蚀，由于ICP刻蚀选择比高，均匀性好，刻蚀的垂直度和光洁度较高，因此可以获得更好的截面形貌且污染较少。刻蚀之后获得的黑硅材料再通过原子层沉积(ALD)在黑硅层表面沉积一层Al₂O₃钝化层，可以降低反射，减少表面电荷复合率。
一种制造波段吸收材料方法

[发明专利]一种低温钯基氢气传感器及其制造方法-CN201410275104.3在审
发明人：李世彬;张鹏;余宏萍;王健波;吴双红;陈志 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2014-06-19 - 公布日： 2014-09-03 - 主分类号： G01N27/26 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种低温钯基氢气传感器，包括：阳极氧化铝支撑层；纳米金属钯颗粒层，设置在阳极氧化铝支撑层上；叉指电极，设置在所述纳米金属钯颗粒层上。本发明的实施例中提供的低温钯基氢气传感器及其制造方法以纳米金属钯颗粒层为气体敏感层，阳极氧化铝层（AAO）为支撑层，并采用金属叉指电极，获得的低温钯基氢气传感器对氢气具有良好的响应，相比传统的氢气传感器响应速度更快，工作温度更低，选择性良好，使用寿命长，而且工艺方法简单易操作，成本低廉，易于集成化，适合于大规模生产化要求。
一种低温氢气传感器及其制造方法

[发明专利]一种制造增强红外吸收黑硅材料的方法-CN201410275185.7无效
发明人：李世彬;张鹏;余宏萍;王健波;李伟;吴志明 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2014-06-19 - 公布日： 2014-09-03 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种制造增强红外吸收黑硅材料的方法，包括：在硅衬底上形成微米量级的微结构单元阵列，并且微结构单元阵列的周期和/或微结构单元的直径与探测目标的红外波长相同或者成比例；将硅衬底置于含硫气体中，并用激光脉冲辐照，获得增强红外吸收黑硅材料。本发明的实施例的方法中，在含硫气体环境中使用高能激光对硅衬底上周期性阵列结构进行辐照，形成微纳双重结构，并且在辐照过程中同时实现了硫元素掺杂。这样获得的黑硅材料的吸收波长得到扩展，吸收率更高，吸收波长范围更大；并且工艺步骤简单。
一种制造增强红外吸收材料方法

[发明专利]一种制造半导体材料的方法-CN201410178882.0在审
发明人：李世彬;余宏萍;张鹏;王建波;杨亚杰 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2014-04-30 - 公布日： 2014-08-06 - 主分类号： H01L43/14 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种制造半导体材料的方法，包括：对衬底基片进行预处理；将预处理后的衬底基片置于反应室中，在衬底基片上生长形成第一氮化铝层；在第一氮化铝层上生长形成氮化镓层；在氮化镓层上生长形成第二氮化铝层。根据本发明的实施例的方法制造的半导体材料中，形成了AlN/GaN/AlN结构的量子阱。在该量子阱结构中，由于AlN和GaN的自发极化不同，在两个异质结面行成相反的两种极化电荷，进一步的行成强的内建电场，驱使量子阱内能带反转，形成稳定的且低电阻的运输态。这样，不需要额外的外加电场驱使量子阱形成拓扑绝缘态，提高了半导体器件的稳定性和可靠性，降低了器件的能耗。
一种制造半导体材料方法

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