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[发明专利]膜状烧成材料及带支撑片的膜状烧成材料-CN201880059086.1有效
发明人：市川功;中山秀一;佐藤明德 -专利权人：琳得科株式会社
申请日： 2018-09-04 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：本发明提供一种膜状烧成材料1及带支撑片的膜状烧成材料，所述膜状烧成材料1含有烧结性金属颗粒10及粘结剂成分20，其中，烧结性金属颗粒10的含量为15～98质量％，粘结剂成分20的含量为2～50质量％，所述膜状烧成材料1在60℃下的拉伸弹性模量为4.0～10.0MPa，在60℃下的断裂伸长率为500％以上；所述带支撑片的膜状烧成材料具备含有烧结性金属颗粒及粘结剂成分膜状烧成材料1与设置在所述膜状烧成材料的至少一侧的支撑片2，其中，所述膜状烧成材料对支撑片的粘着力(a2)小于所述膜状烧成材料对半导体晶圆的粘着力(a1)，且所述粘着力(a1)为0.1N/25mm以上，所述粘着力(a2)为0.1N/25mm以上0.5N/25mm以下。
烧成材料支撑

[发明专利]固化性树脂膜及第1保护膜形成用片-CN201680061570.9有效
发明人： 佐藤明德;山岸正宪 -专利权人：琳得科株式会社
申请日： 2016-11-02 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： H01L21/301 文献下载
摘要：本发明涉及一种固化性树脂膜，其用于粘贴在半导体晶片的具有凸块的表面且通过进行固化而在上述表面形成第1保护膜，其中，该固化性树脂膜的固化物的杨氏模量为0.02MPa以上、且在80℃下通过探针粘性试验测定的载荷的峰值为500g以下。本发明的第1保护膜形成用片具备第1支撑片，且在第1支撑片的一侧表面上具备该固化性树脂膜。
固化树脂及第保护膜形成

[发明专利]带保护膜的半导体芯片的制造方法及半导体装置的制造方法-CN201780025391.4有效
发明人：稻男洋一;佐藤明德 -专利权人：琳得科株式会社
申请日： 2017-04-25 - 公布日： 2023-07-18 - 主分类号： H01L21/301 文献下载
摘要：本发明涉及一种带保护膜的半导体芯片(19)的制造方法，其中，在半导体晶圆(18)贴附能量射线固化性的保护膜形成用膜(13)后，对保护膜形成用膜(13)照射能量射线而使其固化，接着，对半导体晶圆(18)进行切割。对保护膜形成用膜(13)照射能量射线而制成保护膜(13’)时，保护膜(13’)的拉伸弹性模量为500MPa以上。本发明也涉及一种半导体装置的制造方法，其中，拾取带保护膜的半导体芯片(19)，并将半导体芯片(19)连接于衬底。
保护膜半导体芯片制造方法装置

[发明专利]带保护膜的半导体芯片的制造方法及半导体装置的制造方法-CN201780025300.7有效
发明人：稻男洋一;佐藤明德 -专利权人：琳得科株式会社
申请日： 2017-04-25 - 公布日： 2023-07-18 - 主分类号： H01L21/301 文献下载
摘要：本发明涉及一种带保护膜的半导体芯片(19)的制造方法，其中，对依次具备支撑片(10)、能量射线固化性的保护膜形成用膜(13)及半导体晶圆(18)的层叠体的半导体晶圆(18)进行切割，接着，对保护膜形成用膜(13)照射能量射线而使其固化。本发明也涉及一种半导体装置的制造方法，其中，拾取带保护膜的半导体芯片(19)，并将半导体芯片(19)连接于衬底。
保护膜半导体芯片制造方法装置

[发明专利]切割芯片接合片、半导体芯片的制造方法及半导体装置的制造方法-CN201780015580.3有效
发明人：铃木英明;土山彩香;佐藤明德;仲秋夏树 -专利权人：琳得科株式会社
申请日： 2017-02-24 - 公布日： 2023-04-11 - 主分类号： H01L21/301 文献下载
摘要：本发明提供一种切割芯片接合片(101)，其在基材(11)上具备粘合剂层(12)、且在粘合剂层(12)上具备膜状粘接剂(13)而成，粘合剂层(12)的厚度为20μm～50μm，粘合剂层(12)的断裂伸长率为5％～50％。一种半导体芯片(9)的制造方法，该方法通过在该切割芯片接合片(101)的膜状粘接剂(13)的第1面(13a)上形成设置半导体晶片而成的中间结构体，使用切割刀在所述中间结构体上形成从所述半导体晶片的表面到达粘合剂层(12)但不到达基材(11)的切口(10)，由此分割所述半导体晶片。
切割芯片接合半导体制造方法装置

[发明专利]层叠体及固化密封体的制造方法-CN201880098044.9有效
发明人： 佐藤明德;高丽洋佑;阿久津高志;垣内康彦;冈本直也;山田忠知;中山武人 -专利权人：琳得科株式会社
申请日： 2018-10-02 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： C09J7/29 文献下载
摘要：本发明涉及一种层叠体，其具有能量射线固化性树脂层(I)、和支撑该能量射线固化性树脂层(I)的支撑层(II)，上述能量射线固化性树脂层(I)包含具有粘合性的表面，上述支撑层(II)具有基材(Y)及粘合剂层，该基材(Y)及粘合剂层中的至少一者含有热膨胀性粒子，由上述能量射线固化性树脂层(I)固化而成的固化树脂层(I')和上述支撑层(II)通过使上述热膨胀性粒子膨胀的处理而在其界面分离。
层叠固化密封制造方法

[发明专利]半导体加工用片-CN201780003861.7有效
发明人： 佐藤明德;中村优智;山下茂之 -专利权人：琳得科株式会社
申请日： 2017-01-05 - 公布日： 2022-10-28 - 主分类号： C09J7/20 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体加工用片1，其至少具备：具有第一面101和第二面102的基材10、具有第一面801和第二面802的半导体贴附层80、及具有第一面301和第二面302的剥离膜30，第一面101的算术平均粗糙度Ra为0.01～0.8μm，第二面302的算术平均粗糙度Ra大于0.05μm且为0.8μm以下，将第二面802与第一面301贴附且在40℃下保管3天后的、在第二面802与第一面301的界面上的剥离力β为10～1000mN/50mm。该半导体加工用片1在具有优异的光线透射性的同时，不容易发生粘连。
半导体工用

[发明专利]保护膜形成膜、保护膜形成用片、保护膜形成用复合片、及装置的制造方法-CN202210305547.7在审
发明人：中石康喜;佐藤明德;稻男洋一;山下茂之 -专利权人：琳得科株式会社
申请日： 2022-03-25 - 公布日： 2022-09-30 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：本发明提供一种即使在经过回流焊处理等加热工序的情况下印字的识别性仍高的保护膜形成膜、具备该保护膜形成膜的保护膜形成用片、保护膜形成用复合片及带保护膜的工件加工物、以及具备带保护膜的工件加工物等的装置的制造方法。所述保护膜形成膜用于形成保护膜，其中，保护膜形成膜具有印字贯穿层与印字识别层，在CIE1976L*a*b*色空间中，于260℃加热5分钟后的印字贯穿层与印字识别层的色差为50以上。
保护膜形成复合装置制造方法

[发明专利]固化密封体的防翘曲用层叠体、以及固化密封体的制造方法-CN201880091676.2有效
发明人：高丽洋佑;佐藤明德;阿久津高志;垣内康彦;冈本直也;山田忠知;中山武人 -专利权人：琳得科株式会社
申请日： 2018-10-02 - 公布日： 2022-06-10 - 主分类号： C09J7/29 文献下载
摘要：本发明涉及一种固化密封体的防翘曲用层叠体，其具有包含热固性树脂层(X1)的固化性树脂层(I)、和支撑固化性树脂层(I)的支撑层(II)，固化性树脂层(I)具有粘合表面，该粘合表面具有粘合性，支撑层(II)具有基材(Y)及粘合剂层(V)，基材(Y)及粘合剂层(V)中的至少一者包含热膨胀性粒子，所述防翘曲用层叠体中依次配置有固化性树脂层(I)、粘合剂层(V)及基材(Y)，并且固化性树脂层(I)的所述粘合表面与粘合剂层(V)配置于相反侧，使固化性树脂层(I)的固化在2小时以内完成并形成为固化树脂层(I’)的固化最低温度(T1)是低于所述热膨胀性粒子的发泡起始温度(T2)的温度，所述固化密封体是在固化性树脂层(I)的所述粘合表面将密封对象物密封而制造的。
固化密封防翘曲用层叠以及制造方法

[发明专利]半导体加工用片-CN201780003864.0有效
发明人： 佐藤明德;中村优智;山下茂之 -专利权人：琳得科株式会社
申请日： 2017-01-05 - 公布日： 2022-06-07 - 主分类号： C09J7/20 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体加工用片1，其至少具备基材10、半导体贴附层80、及剥离膜30，基材10的第一面101的算术平均粗糙度Ra为0.01～0.8μm，在将基材10的第一面101与剥离膜30的第二面302的界面上的剥离力设为α，并将在半导体贴附层80的第二面802与剥离膜30的第一面301的界面上的剥离力设为β时，α比β的比值(α/β)为0以上且小于1.0，剥离力β为10～1000mN/50mm。该半导体加工用片1在具有优异的光线透射性的同时、不容易发生粘连。
半导体工用

[发明专利]膜状透明粘合剂及红外线传感器模块-CN201880055290.6有效
发明人：土山佐也香;佐藤明德;佐藤阳辅 -专利权人：琳得科株式会社
申请日： 2018-05-10 - 公布日： 2022-05-03 - 主分类号： C09J7/30 文献下载
摘要：本发明为一种膜状透明粘合剂，该膜状透明粘合剂为热固性或能量射线固化性，其固化后的波长800nm处的透光率为80％以上。优选固化后的波长800～2000nm处的透光率均为80％以上，优选固化后的波长850nm处的透光率为90％以上。
透明粘合剂红外线传感器模块

[发明专利]固化性树脂膜及第1保护膜形成用片-CN201680062173.3有效
发明人：山岸正宪;佐藤明德 -专利权人：琳得科株式会社
申请日： 2016-11-02 - 公布日： 2021-10-22 - 主分类号： C09J7/30 文献下载
摘要：本发明涉及固化性树脂膜及第1保护膜形成用片，该固化性树脂膜用于粘贴在半导体晶片的具有凸块的表面并通过进行固化而在所述表面形成第1保护膜，该固化性树脂膜在通过于160℃加热1小时而固化时的黄度指数(YI1)为45以下，或在通过于照度230mW/cm2、光量510mJ/cm2的条件下照射紫外线而固化时的黄度指数(YI2)为45以下。第1保护膜形成用片具备第1支撑片，并在第1支撑片的一侧表面上具备该固化性树脂膜。
固化树脂及第保护膜形成

[发明专利]保护膜形成用片-CN201680063564.7有效
发明人：山岸正宪;佐藤明德 -专利权人：琳得科株式会社
申请日： 2016-11-02 - 公布日： 2021-08-10 - 主分类号： H01L23/12 文献下载
摘要：本发明涉及一种保护膜形成用片(1)，其是在第1支撑片(101)上层叠热固性树脂层(12)而成的，其中，热固性树脂层(12)是用于粘贴于半导体晶片的具有凸块的表面并通过进行热固化而在所述表面形成第1保护膜的层，热固性树脂层(12)的第1支撑片(101)侧表面在热固化前的表面自由能与第1支撑片(101)的热固性树脂层(12)侧表面的表面自由能之差为10mJ/m2以上。
保护膜形成

[发明专利]第1保护膜形成用片、第1保护膜形成方法及半导体芯片的制造方法-CN201680060922.9有效
发明人：山岸正宪;佐藤明德 -专利权人：琳得科株式会社
申请日： 2016-11-02 - 公布日： 2021-08-10 - 主分类号： C09J7/30 文献下载
摘要：本发明涉及第1保护膜形成用片，其是在第1基材上层叠第1粘合剂层、在上述第1粘合剂层上层叠固化性树脂层而成的，上述固化性树脂层是用于粘贴在半导体晶片的具有凸块的表面并通过进行固化而在上述表面形成第1保护膜的层，上述固化性树脂层的厚度与上述第1粘合剂层的厚度之和为110μm以上，且上述固化性树脂层的厚度为20μm～100μm。
保护膜形成方法半导体芯片制造

[发明专利]端子保护用双面胶带及带电磁波屏蔽膜的半导体装置的制造方法-CN201980082837.6在审
发明人：坂东沙也香;佐藤明德;中石康喜;冈本直也 -专利权人：琳得科株式会社
申请日： 2019-12-20 - 公布日： 2021-07-30 - 主分类号： B32B27/00 文献下载
摘要：本发明提供一种端子保护用双面胶带，其为在带端子的半导体装置上形成电磁波屏蔽膜的工序中使用的端子保护用双面胶带，其具有粘弹性层(12)、基材(11)及第二粘着剂层(15)，所述粘弹性层(12)、所述基材(11)、所述第二粘着剂层(15)中的至少一层为导热层。
端子保护双面胶带电磁波屏蔽半导体装置制造方法

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