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[发明专利]硅试样的碳浓度评价方法、硅晶片制造工序的评价方法、硅晶片的制造方法和硅单晶锭的制造方法-CN201980057224.7有效
发明人：大户贵史;江里口和隆;三次伯知;佐俣秀一 -专利权人：胜高股份有限公司
申请日： 2019-08-30 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明提供一种硅试样的碳浓度评价方法，其包括：向评价对象硅试样导入氢原子；通过评价硅的带隙中的陷阱能级的评价法，对导入了上述氢原子的评价对象硅试样进行评价；以及基于在由上述评价得到的评价结果中与选自由Ec‑0.10eV、Ec‑0.13eV和Ec‑0.15eV构成的组中的至少一个陷阱能级的密度相关的评价结果，评价上述评价对象硅试样的碳浓度；通过使评价对象硅试样与溶液接触，进行上述氢原子的导入，并且上述溶液是摩尔比(HNO3/(HNO3+HF))为0.72以上0.82以下的范围或0.87以上0.91以下的范围的硝氟酸。
试样浓度评价方法晶片制造工序硅单晶锭

[发明专利]硅层的评价方法和硅外延晶片的制造方法-CN201980007795.X有效
发明人：牧濑佐也加;佐俣秀一;三次伯知;宫崎澄夫 -专利权人：胜高股份有限公司
申请日： 2019-01-18 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明提供一种硅层的评价方法，其包括：在硅层的表面上形成氧化膜；进行使上述形成的氧化膜的表面带有负电荷的带电处理；以及通过范德堡(van der Pauw)法测定上述带电处理后的硅层的电阻率。
评价方法外延晶片制造

[发明专利]硅试样的碳浓度测定方法、硅单晶锭的制造方法、硅单晶锭和硅晶片-CN201780020471.0有效
发明人：江里口和隆;佐俣秀一;三次伯知;柾田亚由美 -专利权人：胜高股份有限公司
申请日： 2017-01-18 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明提供一种硅试样的碳浓度测定方法，其包括以下步骤：向作为测定对象的硅试样中引入氢原子；对引入了所述氢原子的作为测定对象的硅试样进行利用评价方法的评价，所述评价方法在不进行电子束辐射处理的情况下评价硅的带隙中的陷阱能级；以及在通过所述评价而得到的评价结果中，基于选自由Ec‑0.10eV、Ec‑0.13eV和Ec‑0.15eV构成的组中的至少一个陷阱能级的评价结果，求出作为所述测定对象的硅试样的碳浓度，所述求出的碳浓度小于1.0E+16atoms/cm3。
试样浓度测定方法硅单晶锭制造晶片

[发明专利]硅试样的碳浓度评价方法、硅晶片制造工序的评价方法、硅晶片的制造方法、单晶硅锭的制造方法、单晶硅锭以及硅晶片-CN201780037683.X有效
发明人：江里口和隆;佐俣秀一;佐佐木骏 -专利权人：胜高股份有限公司
申请日： 2017-06-14 - 公布日： 2023-04-25 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明提供一种硅试样的碳浓度评价方法，其包括：在作为评价对象的硅试样的表面的至少一部分形成氧化膜；向所述氧化膜的表面照射粒子束；向照射了所述粒子束的氧化膜的表面照射具有比硅的带隙大的能量的激发光；测定从照射了所述激发光的作为评价对象的硅试样发出的光致发光的强度；以及基于测定出的光致发光的强度，评价作为评价对象的硅试样的碳浓度，所述光致发光是硅的带边发光。
试样浓度评价方法晶片制造工序单晶硅以及

[发明专利]硅试样的碳浓度评价方法、硅晶片制造工序的评价方法、硅晶片的制造方法和硅单晶锭的制造方法-CN201980057209.2在审
发明人：大户贵史;江里口和隆;三次伯知;佐俣秀一 -专利权人：胜高股份有限公司
申请日： 2019-08-30 - 公布日： 2021-04-09 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明提供一种硅试样的碳浓度评价方法，其包括：向评价对象硅试样导入氢原子；对导入了上述氢原子的评价对象硅试样进行基于评价硅的带隙中的陷阱能级的评价法的评价；以及基于在由上述评价得到的评价结果中与选自由Ec(导带底部的能量)‑0.10eV、Ec‑0.13eV和Ec‑0.15eV构成的组中的至少一个陷阱能级的密度相关的评价结果，评价上述评价对象硅试样的碳浓度；还包括在从上述氢原子的导入到上述评价的期间，进行使用加热手段将评价对象硅试样加热至35℃～80℃范围的加热温度的加热处理。
试样浓度评价方法晶片制造工序硅单晶锭

[发明专利]基板温度测定方法-CN200410047644.2无效
发明人：赤堀浩史;佐俣秀一 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2002-03-28 - 公布日： 2004-11-10 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：从某一侧面看到的本发明的膜厚监控方法如以下那样构成。当使用具有反应炉的CVD(化学水蒸气沉积)装置在上述反应炉内的基板上形成薄膜时，在上述反应炉的外部测定来自上述反应炉内的辐射光，获得上述辐射光的辐射率的变化与形成于上述基板上的薄膜的膜厚变化的关系。当在获得上述辐射率变化与上述膜厚变化的关系后使用上述CVD装置在基板上形成薄膜时，测定上述辐射光的上述辐射率的变化。根据获得的上述辐射率变化与上述膜厚变化的关系，从所测定出的上述辐射光的上述辐射率的变化，推定形成于上述反应炉内的基板上的上述薄膜的膜厚。
温度测定方法

[发明专利]旋转机的寿命预测系统、旋转机的寿命预测方法和具有旋转机的制造装置-CN03134791.6无效
发明人： 佐俣秀一;牛久幸广;山本明人;中尾隆;古畑武夫 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2003-09-29 - 公布日： 2004-05-19 - 主分类号： F04B49/10 文献下载
摘要：本发明的课题在于提供一种以廉价的装置，简单、稳定且高精度地对旋转机的寿命进行预测的寿命预测系统。该系统包括：测定旋转机(3)的振动的时间序列加速度数据的振动仪(7)；用含有以包括旋转机的转子的叶片扇数的公式与旋转机固有的基准振动频率的乘积表示的第1解析频率的频带、对所测定的模拟信号的时间序列加速度数据进行滤波的带通滤波器(8)；以及根据经滤波的上述第1解析频率的时间序列加速度数据的特征量，预测上述旋转机的寿命的数据处理单元(6)。
旋转寿命预测系统方法具有制造装置

[发明专利]旋转机的寿命预测方法及具有旋转机的制造装置-CN03154494.0无效
发明人： 佐俣秀一;牛久幸广;中尾隆;古畑武夫 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2003-09-30 - 公布日： 2004-05-19 - 主分类号： F04B49/10 文献下载
摘要：本发明的课题在于提供高灵敏度且稳定的高精度的旋转机的寿命预测方法。其包括以下步骤：根据监视器用制造工序中使用的监视器用旋转机的特征量的监视时间序列数据，判定上述监视器用旋转机即将停止之前的异常状态的开始时刻，统计地对监视时间序列数据进行解析，将上述特征量的上述异常状态的开始时刻的值作为异常判断的阈值而求出；在制造工序中测定诊断对象旋转机的马达电流的特征量的时间序列数据；根据上述制造工序中上述特征量变动的时间序列数据作成评价用诊断数据；将上述评价用诊断数据超过上述阈值的时刻，判定为上述诊断对象旋转机的寿命。
旋转寿命预测方法具有制造装置

[发明专利]制造装置及旋转机的寿命预测方法-CN03160083.2无效
发明人： 佐俣秀一;古畑武夫;牛久幸广;山本明人;中尾隆 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2003-09-26 - 公布日： 2004-04-21 - 主分类号： F04C25/02 文献下载
摘要：本发明的目的在于提供一种具有能够进行高灵敏度且稳定的高精度的寿命预测的旋转机的制造装置。在旋转机(3)中，在旋转机的振动的变动不同的位置配置有测定时间序列振动数据的加速度计(36a、36b)。借助频率解析装置(37)，对由加速度计(36a、36b)所测定的时间序列振动数据进行频率解析。在时间序列数据记录部(5)中，根据经频率解析的时间序列振动数据，将与解析对象频率对应的特征量的变动制作成评价用诊断数据，并记录评价用诊断数据。用寿命判定单元(6)，利用评价用诊断数据预测旋转机(3)的寿命。
制造装置旋转寿命预测方法

[发明专利]生产装置的异常停止避免方法和异常停止避免系统-CN02160295.6有效
发明人：石井贤;中尾隆;牛久幸广;佐俣秀一 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2002-08-30 - 公布日： 2003-05-21 - 主分类号： F02M3/09 文献下载
摘要：提供进行正确故障时间的预测，可进行安全低成本的维护的异常停止避免系统。包含反应室(521)；将反应室(521)置于减压状态的真空泵(18，19)；向反应室(521)导入气体的气体供给控制系统(51)；测定真空泵(18，19)的特征量的时间系列数据的特征量传感器(31～37)；实时控制反应室(521)、真空泵(18，19)和气体供给控制系统(51)的实时控制器(531)；通过对时间系列数据的第一实时解析取得第一故障诊断数据，通过对第一故障诊断数据的第二实时解析取得第二故障诊断数据，由此预测故障的故障实时判定模块(533)。判断为异常停止的情况下，由气体供给控制系统(51)向反应室(521)导入清洁(purge)用气体。
生产装置异常停止避免方法系统

[发明专利]半导体制造装置用旋转机的寿命预测方法和半导体制造装置-CN02160293.X无效
发明人： 佐俣秀一;牛久幸広;古畑武夫;中尾隆;石井贤 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2002-08-30 - 公布日： 2003-05-21 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：提供一种高灵敏度且稳定的半导体制造装置用旋转机的寿命预测方法。方案是测定旋转机(干式泵)的加速度，获得时间系列数据(步骤S101)；将时间系列数据进行频率分析，得到频率频谱(步骤S102)；决定分析对象频率(步骤S103)；将对应于分析对象频率的加速度峰值的基准用时间系列数据和加速度峰值的评价用时间系列数据进行抽样测定(步骤S104)；使用基准用时间系列数据和评价用时间系列数据作成旋转机的寿命评价用数据，在所含步骤(步骤S105)进行旋转机的寿命确定。
半导体制造装置旋转寿命预测方法

[发明专利]生产装置的故障诊断方法和故障诊断系统-CN02154759.9无效
发明人：中尾隆;牛久幸广;佐俣秀一;赤堀浩史;石井贤 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2002-08-30 - 公布日： 2003-05-07 - 主分类号： G06F17/00 文献下载
摘要：生产装置的故障诊断方法和故障诊断系统，可在制造多品种工业制品的情况下自动应对进行故障诊断。包括被诊断生产装置5；测定被诊断生产装置5的特征量的特征量传感器32～37；驱动控制被诊断生产装置5的实时控制控制器531；根据特征量传感器32～37的输出进行故障实时判定的模块533；将参照生产装置的特征量的数据作为装置信息数据库记录的装置信息存储装置103；包含驱动控制被诊断生产装置5的制造过程序列的方法和负荷试验序列的方法的过程管理信息数据库并向实时控制控制器531输出方法的过程管理信息存储装置102。
生产装置故障诊断方法系统

[发明专利]半导体制造装置的寿命诊断方法-CN02147030.8无效
发明人： 佐俣秀一;牛久幸广;石井贤;中尾隆 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2002-08-30 - 公布日： 2003-03-19 - 主分类号： H01L21/205 文献下载
摘要：提供一种不受半导钵制造中涉及的处理条件的变动和电源变动以及机械误差影响的半导体制造装置的寿命诊断方法。该方法包括(1)测定半导体制造装置没有恶化时的特征量的基准时间系列数据(步骤S11)；(2)从基准时间系列数据求出基准自共分数函数(步骤S12)；(3)从该基准自共分数函数提取处理条件的变动和电源引起的基准变动，求出该基准变动的周期(步骤S13)；(4)在成为半导体制造装置的评价对象的序列中，测定特征量的诊断用时间系列数据(步骤S14)；(5)从该诊断用时间系列数据求出诊断用自共分数函数(步骤S15)；(6)使用比基准变动周期短的周期成分从该诊断用自共分散函数决定半导体制造装置的寿命(步骤S16)。
半导体制造装置寿命诊断方法

[发明专利]薄膜的膜厚监控方法和基板温度测定方法-CN02108327.4无效
发明人：赤堀浩史;佐俣秀一 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2002-03-28 - 公布日： 2002-11-06 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：从某一侧面看到的本发明的膜厚监控方法如以下那样构成。当使用具有反应炉的CVD(化学水蒸气沉积)装置在上述反应炉内的基板上形成薄膜时,在上述反应炉的外部测定来自上述反应炉内的辐射光,获得上述辐射光的辐射率的变化与形成于上述基板上的薄膜的膜厚变化的关系。当在获得上述辐射率变化与上述膜厚变化的关系后使用上述CVD装置在基板上形成薄膜时,测定上述辐射光的上述辐射率的变化。根据获得的上述辐射率变化与上述膜厚变化的关系,从所测定出的上述辐射光的上述辐射率的变化,推定形成于上述反应炉内的基板上的上述薄膜的膜厚。
薄膜监控方法温度测定

[发明专利]预测旋转机器寿命的装置及其预测和确定维修时间的方法-CN02107835.1无效
发明人：牛久幸広;有门经敏;佐俣秀一;中尾隆;见方裕一 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2002-03-22 - 公布日： 2002-10-30 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：一种用于预测旋转机器的使用寿命预期值的装置包括负载方案输入模块,其用于获得旋转机器的负载条件;特征输入模块,其用于获得所述旋转机器的特征数据;以及使用寿命预期值预测模块,其根据所述负载条件和所述特征数据计算所述旋转机器的使用寿命。
预测旋转机器寿命装置及其确定维修时间方法

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