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[发明专利]改善翘曲的发光二极管及其制备方法-CN202310815681.6在审
发明人：姚振;从颖;龚逸品;梅劲 -专利权人：华灿光电（苏州）有限公司
申请日： 2023-07-05 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本公开提供了一种改善翘曲的发光二极管及其制备方法，属于光电子制造技术领域。该制备方法包括：向反应腔内通入Ga源，以在衬底的表面生长GaN层；停止通入所述Ga源持续第一时长；通入Al源持续第二时长，使Al源与所述GaN层反应形成第一AlGaN层；通入所述Ga源和所述Al源，在所述第一AlGaN层的基础上继续生长第二AlGaN层，得到缓冲层。本公开实施例能释放缓冲层内的应力，改善缓冲层容易出现翘曲的问题。
改善发光二极管及其制备方法

[发明专利]具有电子阻挡层的发光二极管及其制备方法-CN202310517721.9在审
发明人：李翠玲;蒋媛媛;从颖;梅劲 -专利权人：华灿光电（苏州）有限公司
申请日： 2023-05-09 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： H01L33/14 文献下载
摘要：本公开提供了一种具有电子阻挡层的发光二极管及其制备方法，属于半导体器件领域。该发光二极管包括：依次叠设的第一半导体层、有源层、电子阻挡层和第二半导体层，电子阻挡层包括依次叠设的第一AlGaN层和AlInGaN层。本公开能够有效的提高电子与空穴的复合效率。
具有电子阻挡发光二极管及其制备方法

[发明专利]石墨载盘-CN202310514147.1在审
发明人：从颖;姚振;龚逸品;梅劲 -专利权人：华灿光电（浙江）有限公司
申请日： 2023-05-08 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： C30B25/12 文献下载
摘要：本公开提供了一种石墨载盘，属于半导体制造领域。所述石墨载盘包括多个均匀分布的圆形第一凹槽以及多个第二凹槽，每个所述第二凹槽环绕第一凹槽布置，并且所述第二凹槽与所述第一凹槽连通，第二凹槽的深度低于第一凹槽的深度，其中第一凹槽用于承载衬底。本公开通过制作围绕第一凹槽的第二凹槽，来减少在外延生长过程中，石墨载盘高速旋转所导致第一凹槽内部气流往外逸散的现象，以及凸起产生的扰流，从而减少第一凹槽往外逸散的气流，以及凸起产生的扰流对其他第一凹槽内部气流的干扰，进而减少对第一凹槽内部温度分布产生的干扰，提升在第一凹槽承载的衬底上生长的外延片的均匀性。
石墨

[发明专利]具有电子阻挡层的发光二极管及其制备方法-CN202310272540.4在审
发明人：李翠玲;纪磊;蒋媛媛;从颖;梅劲 -专利权人：华灿光电（苏州）有限公司
申请日： 2023-03-20 - 公布日： 2023-07-28 - 主分类号： H01L33/14 文献下载
摘要：本公开提供了一种具有电子阻挡层的发光二极管及其制备方法，属于半导体器件领域。该发光二极管包括：依次叠设的第一半导体层、有源层、电子阻挡层和第二半导体层，电子阻挡层包括依次叠设的GaN层和石墨烯层。本公开能够有利于空穴向有源层方向迁移。
具有电子阻挡发光二极管及其制备方法

[发明专利]具有超晶格层的发光二极管及其制备方法-CN202310220253.9在审
发明人：李翠玲;蒋媛媛;从颖;梅劲 -专利权人：华灿光电（苏州）有限公司
申请日： 2023-03-09 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：本公开提供了一种发光二极管及其制备方法，属于半导体器件领域。该发光二极管包括：包括：依次层叠的第一半导体层和第二半导体层，第一半导体层包括第一超晶格层，第一超晶格层为周期性层叠的SiyN1‑y/GaN层。本公开能够有效降低电子的迁移速率。
具有晶格发光二极管及其制备方法

[发明专利]具有复合P型层的发光二极管及其制备方法-CN202211729109.X在审
发明人：李翠玲;蒋媛媛;从颖;梅劲 -专利权人：华灿光电（苏州）有限公司
申请日： 2022-12-30 - 公布日： 2023-04-25 - 主分类号： H01L33/32 文献下载
摘要：本公开提供了一种具有复合P型层的发光二极管及其制备方法，属于发光二极管领域。该发光二极管包括：衬底，以及在衬底的一面依次生长的N型层、多量子阱层和复合P型层。复合P型层包括依次生长的第一层、中间层和第二层；第一层和第二层为非掺杂的N型AlxGa1‑xN层(0＜x＜1)、非掺杂的N型InyGa1‑yN层(0＜y＜1)或者周期性层叠的非掺杂的AlxGa1‑xN/InyGa1‑yN层(0＜x＜1，且0＜y＜1)中的任一种；中间层为掺Mg的GaN层。本公开能够有效的提高发光二极管的发光效率。
具有复合发光二极管及其制备方法

[发明专利]石墨基座和发光二极管的制备方法-CN202211429463.0在审
发明人：姚振;从颖;龚逸品;梅劲 -专利权人：华灿光电（苏州）有限公司
申请日： 2022-11-15 - 公布日： 2023-04-25 - 主分类号： C30B25/12 文献下载
摘要：本公开提供了一种石墨基座和发光二极管的制备方法，属于外延生长技术领域。该石墨基座的表面具有开口，所述开口为非圆形。本公开能提高石墨基座中生长的外延片的波长良率。
石墨基座发光二极管制备方法

[发明专利]提升外量子效率的发光二极管及其制备方法-CN202211524564.6在审
发明人：姚振;从颖;龚逸品;梅劲 -专利权人：华灿光电（苏州）有限公司
申请日： 2022-11-30 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：本公开提供了一种提升外量子效率的发光二极管及其制备方法，属于光电子制造技术领域。该发光二极管包括衬底和位于所述衬底上的外延层，所述外延层包括p型层，所述p型层包括多个第一氮化物半导体层和多个第二氮化物半导体层，多个所述第一氮化物半导体层和多个所述第二氮化物半导体层交替层叠，所述第一氮化物半导体层远离所述衬底的表面的粗糙度大于所述第二氮化物半导体层远离所述衬底的表面的粗糙度。本公开实施例能改善p型层吸收光线的问题，提升发光二极管的发光效率。
提升量子效率发光二极管及其制备方法

[发明专利]提升光效的发光二极管及其制备方法-CN202211524566.5在审
发明人：姚振;从颖;龚逸品;梅劲 -专利权人：华灿光电（苏州）有限公司
申请日： 2022-11-30 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： H01L33/12 文献下载
摘要：本公开提供了一种提升光效的发光二极管及其制备方法，属于光电子制造技术领域。该发光二极管包括依次层叠的衬底、缓冲层和外延层，所述缓冲层远离所述衬底的表面的粗糙度为5至6.5。本公开实施例能改善缓冲层吸光的问题，提升发光二极管的发光效率。
提升发光二极管及其制备方法

[发明专利]用于提高外延片的生长均匀度的外延托盘-CN202110675459.1有效
发明人：从颖;姚振;董彬忠;梅劲 -专利权人：华灿光电（浙江）有限公司
申请日： 2021-06-18 - 公布日： 2023-02-17 - 主分类号： C30B25/12 文献下载
摘要：本公开公开了一种用于提高外延片的生长均匀度的外延托盘，属于外延生长技术领域。呈圆柱体的外延托盘的端面具有的凹槽圈都包括多个支撑结构，支撑结构包括圆形凹槽和第一支撑凸起。衬底凸起的区域与支撑于第一支撑凸起上，提高传热速度，衬底凹陷的区域位于多个第一支撑凸起的间隙之间，气体传热慢，降低凹陷区域的传热速度，使得衬底表面的温度更为均匀。而每个第一支撑凸起在圆形凹槽的底面的正投影呈波浪形，使衬底的凸起区域可以大部分支撑在第一支撑凸起上，而衬底的凹陷的区域可以支撑于第一支撑凸起之间的间隙内进行气体传热，有效调节衬底的温度较为均匀，以提高在衬底上生长的外延材料的均匀度以提高最终得到的外延片的发光均匀度。
用于提高外延生长均匀托盘

[发明专利]外延托盘及外延托盘应用的发光二极管外延片制备方法-CN202110604189.5有效
发明人：从颖;姚振;董彬忠;梅劲 -专利权人：华灿光电（苏州）有限公司
申请日： 2021-05-31 - 公布日： 2022-12-30 - 主分类号： C30B25/12 文献下载
摘要：本公开公开了一种外延托盘及外延托盘应用的发光二极管外延片制备方法，属于外延生长技术领域。外延托盘具有圆形凹槽，在圆形凹槽的底面增加多个延伸至外延托盘的另一端的孔洞。将衬底放置在圆形凹槽内，反应腔压力大于外延托盘的孔洞内的压力，压差作用下，衬底会吸附在孔洞上，减小衬底位置出现偏离的可能。衬底被孔洞的吸附力吸附在圆形凹槽的中部，抵消离心力对衬底的影响，减小衬底的外周壁与圆形凹槽的侧壁直接接触的可能性。衬底主要是端面与圆形凹槽的底面相接触，衬底的端面接收的热量与衬底本身的温度较为均匀，因此在衬底各处生长的外延材料也较为均匀，可以提高得到的外延片的质量与均匀程度来提高发光均匀度。
外延托盘应用发光二极管制备方法

[发明专利]提高微型发光二极管发光一致性的生长方法-CN202210792545.5在审
发明人：姚振;从颖;龚逸品 -专利权人：华灿光电（苏州）有限公司
申请日： 2022-07-05 - 公布日： 2022-11-15 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本公开提供了一种提高微型发光二极管发光一致性的生长方法，属于光电子制造技术领域。该生长方法包括：提供一衬底；在所述衬底上形成缓冲层；在所述缓冲层上形成三维成岛层，在形成所述三维成岛层时，控制向反应腔内通入的alkyl气体的流量不低于250ml/min，且不高于600ml/min；在所述三维成岛层上依次形成第一半导体层、有源层和第二半导体层。在生长三维成岛层时，以不低于250ml/min，且不高于600ml/min的流量通入alkyl气体，在alkyl气体的推动下，能够提高反应腔中央区域的MO浓度，避免MO源大多集中在反应腔的边缘，使MO源在反应腔中分布更加均匀，提高微型发光二极管的发光一致性。
提高微型发光二极管发光一致性生长方法

[发明专利]改善发光二极管外延片飞片的外延片制备方法-CN202210695932.7在审
发明人：姚振;从颖;龚逸品;李鹏 -专利权人：华灿光电（苏州）有限公司
申请日： 2022-06-20 - 公布日： 2022-11-01 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本公开提供了一种改善发光二极管外延片飞片的外延片制备方法，属于光电子制造技术领域。该外延片制备方法包括：将衬底放入反应室的石墨盘中；向反应室中通入氨气；采用至少一次阶梯式调速调整石墨盘的转速，直至石墨盘的转速满足设定转速，阶梯式调速包括依次执行的第一阶段、第二阶段、第三阶段和第四阶段，第一阶段时，控制石墨盘的转速增大，第二阶段时，控制石墨盘的转速减小，第三阶段时，控制石墨盘的转速增大，第四阶段时，控制石墨盘的转速不变，在同一次阶梯式调速中，石墨盘在第一阶段的最大转速小于石墨盘在第三阶段的最大转速；在衬底上生长外延层。本公开实施例能有效改善衬底易出现翘曲而导致外延片飞片的问题。
改善发光二极管外延片飞片制备方法

[发明专利]提高外延片发光均匀度的外延托盘-CN202110623135.3有效
发明人：从颖;姚振;梅劲 -专利权人：华灿光电（苏州）有限公司
申请日： 2021-06-04 - 公布日： 2022-10-11 - 主分类号： C30B25/12 文献下载
摘要：本公开公开了一种提高外延片发光均匀度的外延托盘，属于外延生长技术领域。在每相邻的两个凹槽圈之间增加一个同心的调整圈，调整圈包括的多个沿外延托盘的周向均匀分布的条形槽，条形槽内主要为空气，降低空白区域的传热效应，减小两个相邻的凹槽圈之间的空白区域会积累的热量，由此减小空白区域的温度对临近的凹槽圈内的圆形凹槽的影响。每个条形槽的长度方向均垂直于外延托盘的一条直径，条形槽构成的调整圈也接近环状，提高外延托盘整体的温度的一致性并由此提高外延片的发光均匀度与一致性。
提高外延发光均匀托盘

[发明专利]提高外延片成片良率的外延托盘及其使用方法-CN202210457372.1在审
发明人：姚振;从颖;龚逸品;李鹏 -专利权人：华灿光电（苏州）有限公司
申请日： 2022-04-27 - 公布日： 2022-09-20 - 主分类号： C30B25/12 文献下载
摘要：本公开公开了一种提高外延片成片良率的外延托盘及其使用方法，属于外延生长技术领域。每个圆形凹槽被圆形凹槽对应的衬底放置圈划分为靠近外延托盘的轴线的第一部分与远离外延托盘的轴线的第二部分，在每个圆形凹槽的侧壁设置多个并列的波浪条形槽，且多个并列的波浪条形槽在圆形凹槽的底面的正投影与第二部分存在重合区域。与第二部分存在重合区域的波浪条形槽可以有效增加衬底与圆形凹槽的侧壁之间在各方向上的摩擦力，有效降低外延托盘在高速转动的过程中，衬底在惯性或者离心力的作用下脱离圆形凹槽的可能性，以降低衬底损坏并影响其他衬底上生长外延材料的可能，提高外延托盘同批次产出的外延片的成片良率。
提高外延成片托盘及其使用方法

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