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[发明专利]在多模式脉冲处理中检测处理点的系统和方法-CN201910203268.8有效
发明人： 亚辛·卡布兹;豪尔赫·卢克;安德鲁·D·贝利三世;穆罕默德·德里亚·特蒂克;拉姆库马尔·苏布拉马尼安;山口阳子 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2015-10-20 - 公布日： 2022-12-20 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明涉及在多模式脉冲处理中检测处理点的系统和方法。一种识别在多模式脉冲处理中选择的处理点的系统和方法，其包含向等离子体处理室中选择的晶片施加多模式脉冲处理，所述多模式脉冲处理包含多个周期，这些周期中的每一个至少包含多个不同阶段中的一个。在对选择的晶片的多个周期期间，对于选择的至少一个阶段收集至少一个处理输出变量。收集的至少一个处理输出变量的包络和/或模板能够被用于识别选择的处理点。对于先前阶段的收集的处理输出变量的第一轨道能够与选择的阶段的处理输出变量的第二轨道比较。能够计算和使用第二轨道的多变量分析统计以识别选择的处理点。
模式脉冲处理检测系统方法

[发明专利]集成晶片翘曲测量-CN202080010882.3在审
发明人：拉詹·阿罗拉;迈克尔·苏扎;韦恩·邓;亚辛·卡布兹;冯烨 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2020-01-24 - 公布日： 2021-08-31 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：在一些示例中，一种晶片翘曲测量系统，其包括测量单元，该测量单元包括：晶片支撑组件，其用于将旋转运动传递给被支撑在所述测量单元中的被测晶片；光学传感器；用于校准所述光学传感器的校准标准件；线性平台致动器，其用于将线性运动方向传递给所述光学传感器；晶片居中传感器，其用于确定被支撑在所述测量单元中的所述被测晶片的居中；以及晶片对准传感器，其用于确定支撑在所述测量单元中的所述被测晶片的对准。
集成晶片测量

[发明专利]用于确定处理速率的方法和装置-CN201610824280.7有效
发明人： 亚辛·卡布兹;吕克·阿尔巴雷德;安德鲁·D·贝利;乔治·卢克;塞翁克永·李;索斯藤·利尔 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2016-09-14 - 公布日： 2020-09-04 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：本发明涉及用于确定处理速率的方法和装置。一种用于在处理室中干法处理衬底的方法被提供。所述衬底被置于所述处理室中。所述衬底被干法处理，其中所述干法处理产生至少一种气体副产品。所述至少一种气体副产品的浓度被测量。所述至少一种气体副产品的所述浓度被用于确定所述衬底的处理速率。
用于确定处理速率方法装置

[发明专利]等离子体室壁状况的实时监测方法和装置-CN201880076585.1在审
发明人：吕克·阿尔巴雷德;亚辛·卡布兹;乔治·卢克 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2018-11-09 - 公布日： 2020-07-10 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：衬底处理系统包括处理室。在处理室内布置有基座和喷头。表面等离激元共振(SPR)纤维具有设置在处理室中的中央部分和设置在处理室外部的相对末端。光源在SPR纤维的一个末端提供输入光，检测器从SPR纤维的另一末端接收输出光。表面等离激元波和消逝波构成输出光，对其进行处理和分析以确定处理室的状况。
等离子体状况实时监测方法装置

[发明专利]用于确定处理速率的设备-CN201610638654.6有效
发明人：吕克·阿尔巴雷德;亚辛·卡布兹 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2016-08-05 - 公布日： 2020-06-26 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明涉及用于确定处理速率的设备，提供了一种用于处理衬底的设备。衬底支撑件位于处理室中。气体入口提供工艺气体到处理室内。排放泵从处理室排放气体。气体副产物测量系统包括红外光源和红外检测器。控制器包括至少一个处理器和计算机可读介质。该计算机可读介质包括计算机可读代码，其用于使工艺气体流入蚀刻室，用于处理来自所述红外检测器的数据，用于使用经处理的来自红外检测器的数据以确定气体副产物的浓度，以及用于使用所确定的气体副产物的浓度来调整流入处理室的工艺气体的流动。
用于确定处理速率设备

[发明专利]排放气体副产物测量系统-CN201880056746.0在审
发明人：克里斯蒂安·赛拉迪;吕克·阿尔巴雷德;亚辛·卡布兹;爱德华·J·麦金纳尼;萨珊·罗汉姆 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2018-08-06 - 公布日： 2020-04-17 - 主分类号： G01N21/3504 文献下载
摘要：提供了一种排放气体副产物的测量系统。气体腔室被构造成用于接收来自所述排放输出口的排放物。光源、光检测器和至少一个光学元件被定位成使得来自所述光源的光束在到达所述光检测器之前被导向至所述至少一个光学元件多次。至少一个加热器向所述至少一个光学元件提供热量。多个吹扫气体喷嘴与所述光学腔流体连接。高流量管线流体连接在吹扫气体源和所述多个吹扫气体喷嘴之间。低流量管线流体连接在所述吹扫气体源和所述多个吹扫气体喷嘴之间。至少一个流量控制器管理包含高流量及低流量的多个流率。
排放气体副产物测量系统

[发明专利]用于确定工艺参数的方法和装置-CN201811002112.5在审
发明人： 亚辛·卡布兹;吕克·阿尔巴雷德 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2018-08-30 - 公布日： 2019-04-23 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：本发明涉及用于确定工艺参数的方法和装置。提供了一种使用至少一个基于时间轨迹的预测模型来处理在处理室中的衬底的方法。对衬底进行干法处理，其中干法处理产生至少一种气体副产物。测量至少一种气体副产物的浓度。确定至少一种气体副产物的浓度的时间轨迹。确定的浓度的时间轨迹被提供作为用于至少一个基于时间轨迹的预测模型的输入，以获得至少一个工艺输出。至少一个工艺输出用于调整至少一个工艺参数。
时间轨迹气体副产物方法和装置干法处理工艺输出预测模型衬底测量

[发明专利]在多模式脉冲处理中检测处理点的系统和方法-CN201510683129.1有效
发明人： 亚辛·卡布兹;豪尔赫·卢克;安德鲁·D·贝利三世;穆罕默德·德里亚·特蒂克;拉姆库马尔·苏布拉马尼安;山口阳子 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2015-10-20 - 公布日： 2019-04-16 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明涉及在多模式脉冲处理中检测处理点的系统和方法。一种识别在多模式脉冲处理中选择的处理点的系统和方法，其包含向等离子体处理室中选择的晶片施加多模式脉冲处理，所述多模式脉冲处理包含多个周期，这些周期中的每一个至少包含多个不同阶段中的一个。在对选择的晶片的多个周期期间，对于选择的至少一个阶段收集至少一个处理输出变量。收集的至少一个处理输出变量的包络和/或模板能够被用于识别选择的处理点。对于先前阶段的收集的处理输出变量的第一轨道能够与选择的阶段的处理输出变量的第二轨道比较。能够计算和使用第二轨道的多变量分析统计以识别选择的处理点。
模式脉冲处理检测系统方法

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