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[发明专利]在电镀期间横流歧管的动态调节-CN202010423152.8有效
发明人：卡利·托尔凯尔森;亚伦·贝尔克;布莱恩·L·巴卡柳;史蒂文·T·迈耶 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2017-05-24 - 公布日： 2023-06-09 - 主分类号： C25D17/00 文献下载
摘要：本发明涉及在电镀期间横流歧管的动态调节。本发明的实施方式涉及将一种或多种材料电镀到衬底上的方法和装置。通常，本发明的实施方式利用位于衬底附近的有沟道的板，在有沟道的板和衬底之间并在侧面上经由流限制环创建横流歧管。可以在衬底保持器的底表面和衬底保持器下方的元件(例如，流限制环)的顶表面之间设置密封件。在电镀期间，流体通过有沟道的板中的沟道以及通过横流入口进入横流歧管，然后在与横流入口相对定位的横流出口处排出。该设备可以在电镀期间在密封状态和未密封状态之间切换，例如通过适当地降低和升高衬底和衬底保持器以接合和脱开密封件来实现。
电镀期间歧管动态调节

[发明专利]用于在电镀期间控制横流和冲击电解液的输送的方法和装置-CN201880060645.0有效
发明人：斯蒂芬·J·巴尼克二世;亚伦·贝尔克;布莱恩·L·巴卡柳;罗伯特·拉什 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2018-09-18 - 公布日： 2023-04-28 - 主分类号： C25D17/00 文献下载
摘要：本文的各种实施方案涉及用于将材料电镀到半导体衬底上的方法和装置。该装置包括将镀敷室分隔成横流歧管(在离子阻性元件上方)和离子阻性元件歧管(在离子阻性元件下方)的离子阻性元件。电解液被输送到横流歧管，在这里剪切通过衬底的表面上，并且被输送到离子阻性元件歧管，在这里，电解液通过离子阻性元件的通孔，在进入横流歧管时撞击到衬底上。在某些实施方案中，例如使用三通阀主动地控制进入横流歧管(例如，通过侧入口)的电解液的流动和进入离子阻性元件歧管的电解液的流动。在这些或其他情况下，离子阻性元件可包括电解液喷嘴。
用于电镀期间控制冲击电解液输送方法装置

[发明专利]用于在电镀期间流动隔离和聚焦的方法和装置-CN202211101940.0在审
发明人：斯蒂芬·J·巴尼克二世;布莱恩·L·巴卡柳;亚伦·贝尔克;詹姆斯·艾萨克·福特纳;贾斯廷·奥伯斯特;史蒂芬·T·迈耶;罗伯特·拉什 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2018-08-20 - 公布日： 2023-01-17 - 主分类号： C25D17/00 文献下载
摘要：本文描述的各种实施方案涉及用于将材料电镀到半导体衬底上的方法和装置。在某些情况下，可以设置一个或多个膜与离子阻性元件接触，以使电镀过程中电解液从横流歧管向后流过离子阻性元件并进入离子阻性元件歧管的程度最小化。在一些实施方案中，可以将膜设计成以期望的方式引导电解液。在这些或其他情况下，可在离子阻性元件歧管中提供一个或多个折流板，以减少电解液流回通过离子阻性元件并流过离子阻性元件歧管内的电镀池而绕过横流歧管的程度。这些技术可用于改善电镀结果的均匀性。
用于电镀期间流动隔离聚焦方法装置

[发明专利]用于在电镀期间流动隔离和聚焦的方法和装置-CN201880054244.4有效
发明人：斯蒂芬·J·巴尼克二世;布莱恩·L·巴卡柳;亚伦·贝尔克;詹姆斯·艾萨克·福特纳;贾斯廷·奥伯斯特;史蒂芬·T·迈耶;罗伯特·拉什 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2018-08-20 - 公布日： 2022-09-30 - 主分类号： C25D17/00 文献下载
摘要：本文描述的各种实施方案涉及用于将材料电镀到半导体衬底上的方法和装置。在某些情况下，可以设置一个或多个膜与离子阻性元件接触，以使电镀过程中电解液从横流歧管向后流过离子阻性元件并进入离子阻性元件歧管的程度最小化。在一些实施方案中，可以将膜设计成以期望的方式引导电解液。在这些或其他情况下，可在离子阻性元件歧管中提供一个或多个折流板，以减少电解液流回通过离子阻性元件并流过离子阻性元件歧管内的电镀池而绕过横流歧管的程度。这些技术可用于改善电镀结果的均匀性。
用于电镀期间流动隔离聚焦方法装置

[发明专利]用于沉积系统的高流量多通活塞/阀-CN202210297617.9在审
发明人：詹姆斯·艾萨克·福特纳;罗伯特·拉什;亚伦·贝尔克;冯敬斌 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2019-05-16 - 公布日： 2022-07-01 - 主分类号： C25D21/12 文献下载
摘要：与用于将膜沉积在晶片上的处理室一起使用的阀组件。阀主体围绕孔腔并包括入口、第一出口和第二出口，出口中的至少一者通向处理室内。活塞包括具有第一流动路径的第一区段和具有第二流动路径的第二区段。线性运动致动器适于与活塞耦合并控制活塞通过孔腔在第一位置和第二位置之间的线性运动。在第一位置中，活塞的第一区段与入口对齐，使得流体经由第一流动路径流至第一出口。在第二位置中，活塞的第二区段与入口对齐，使得流体经由第二流动路径流至第二出口。
用于沉积系统流量活塞

[发明专利]用于沉积系统的高流量多通活塞阀-CN201980042137.4有效
发明人：詹姆斯·艾萨克·福特纳;罗伯特·拉什;亚伦·贝尔克;冯敬斌 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2019-05-16 - 公布日： 2022-04-15 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：与用于将膜沉积在晶片上的处理室一起使用的阀组件。阀主体围绕孔腔并包括入口、第一出口和第二出口，出口中的至少一者通向处理室内。活塞包括具有第一流动路径的第一区段和具有第二流动路径的第二区段。线性运动致动器适于与活塞耦合并控制活塞通过孔腔在第一位置和第二位置之间的线性运动。在第一位置中，活塞的第一区段与入口对齐，使得流体经由第一流动路径流至第一出口。在第二位置中，活塞的第二区段与入口对齐，使得流体经由第二流动路径流至第二出口。
用于沉积系统流量活塞

[发明专利]利用离子阻性离子可穿透元件电镀金属的装置和方法-CN201910552629.X有效
发明人：布哈努丁·卡加伊瓦拉;布莱恩·L·巴卡柳;蔡李鹏;亚伦·贝尔克;罗伯特·拉什;史蒂文·T·迈耶 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2016-05-13 - 公布日： 2022-04-05 - 主分类号： C25D7/12 文献下载
摘要：本发明涉及利用离子阻性离子可穿透元件电镀金属的装置和方法。在一个方面，一种用于利用改善的电镀均匀性在半导体衬底上电镀金属的装置包括：电镀室，其被配置成容纳电解液和阳极；衬底支架，其配置成保持所述半导体衬底；以及离子阻性离子可穿透元件，其包括基本上平坦的面对衬底的表面和相反的表面，其中所述元件在电镀期间使得离子流能朝向所述衬底流动，并且其中所述元件包括具有变化的局部电阻率的区域。在一个实施例中，元件的电阻率可通过改变元件的厚度而变化。在一些实施方式中，元件的厚度从元件的边缘沿径向方向到中心逐渐减小。所提供的装置和方法对于在WLP凹陷特征内电镀金属是特别有用的。
利用离子可穿透元件电镀金属装置方法

[发明专利]衬底粘附和破损的减轻-CN202080050458.1在审
发明人： 亚伦·贝尔克;约翰·弗洛伊德·奥斯特罗夫斯基;桑托斯·库马尔;翁恩康;罗伯特·拉什;伊恩·沃勒;劳伦斯·金格雷;布雷特·M·赫兹格 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2020-05-13 - 公布日： 2022-03-01 - 主分类号： C25D17/06 文献下载
摘要：在一示例中，所公开的装置的一实施方案描述了一种用于支撑衬底的衬底接触环，该衬底接触环包含外围结构，其设定尺寸并且被配置成支撑在所述衬底接触环内的所述衬底。所述外围结构包含基本平坦的环形部和与所述基本平坦的环形部机械耦合的接触指的间隔阵列。所述接触指的间隔阵列中的每一者是弹性可动的以接合所述衬底接触环内所支撑的所述衬底的边缘。所述接触指中的每一者的近端与所述衬底接触环的所述平坦的环形部机械耦合，并且所述接触指中的每一者的远端能朝所述衬底接触环径向内侧和外侧弹性移动，以在所述衬底交替地被支撑或从所述衬底接触环移除时，交替地接合和释放所述衬底的边缘。公开了其他装置和方法。
衬底粘附破损减轻

[发明专利]用于防止在高对流电镀槽中起泡的横流导管-CN201980076026.5在审
发明人：斯蒂芬·J·巴尼克二世;亚伦·贝尔克;加布里埃尔·海·格雷哈姆;格雷戈里·J·卡恩斯;蔡利鹏;布莱恩·L·巴卡柳 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2019-11-15 - 公布日： 2021-06-29 - 主分类号： C25D5/08 文献下载
摘要：本文中的实施方案涉及将一或多种材料电镀至衬底上的装置和方法。本文中的实施方案在电镀槽中使用横流导管以将来自衬底与定位于衬底附近的具有通道的离子阻性板之间的区域的流体流转向向下至低于流体容纳单元中的流体水平的水平，流体容纳单元用于收集来自电镀系统的溢流流体而进行再循环。横流导管可包含被切割至电镀槽的组件中的通道以允许转向流、或可包含可安装至现行电镀槽的可附接转向设备以使液流向下转向至流体容纳单元。实施方案还包含流动限制器，其可以是用于在电镀期间调节横流导管中的流体流的板、或释压阀。
用于防止对流电镀起泡导管

[发明专利]使用远程电流动态控制电镀均匀性的装置和方法-CN201810358910.5有效
发明人：布哈努丁·卡加伊瓦拉;布莱恩·L·巴卡柳;史蒂文·T·迈耶;蔡李鹏;亚伦·贝尔克;詹姆斯·艾萨克·福特纳;罗伯特·拉什 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2016-01-15 - 公布日： 2020-12-01 - 主分类号： C25D7/12 文献下载
摘要：提供了使用远程电流动态控制电镀均匀性的装置和方法。在一个方面，用于在衬底上电镀金属同时控制电镀均匀性的装置包括：电镀室，其具有由膜分隔开的阳极电解液分室和阴极电解液分室；主阳极，其布置在阳极电解液分室中；离子阻性离子可渗透元件，其布置在膜和在阴极电解液分室中的衬底之间；和第二电极，其配置成贡献和/或转移电镀电流到衬底和/或从该衬底贡献和/或转移电镀电流，其中，第二电极被布置成使得贡献和/或转移的电镀电流不穿过分隔开阳极电解液分室和阴极电解液分室的膜，但穿过离子阻性离子可渗透元件。在一些实施方式中，第二电极是能在电镀期间被动态控制的方位角对称阳极(例如，围绕电镀室的外周的单独分室布置的环)。
使用远程电流动态控制电镀均匀装置方法

[发明专利]用于高对流连续旋转镀覆的流辅助动态密封件-CN201980015698.5在审
发明人： 亚伦·贝尔克;斯蒂芬·J·巴尼克;布莱恩·巴卡柳;罗伯特·拉什 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2019-02-22 - 公布日： 2020-10-23 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：一种用于电镀半导体晶片的设备包含被配置成围绕处理区域的嵌入构件。所述嵌入构件具有顶表面。所述嵌入构件的所述顶表面的一部分具有向上斜坡，其从所述嵌入构件的所述顶表面的周边区域朝所述处理区域向上倾斜。所述设备还包括密封构件，其具有环状盘的外形。所述密封构件被定位在所述嵌入构件的所述顶表面上。所述密封构件是挠性的，使得所述密封构件的径向外侧部与所述嵌入构件的所述顶表面的所述向上斜坡共形，并且使得所述密封构件的径向内侧部朝所述处理区域向内突出。
用于对流连续旋转镀覆辅助动态密封件

[发明专利]在电镀期间横流歧管的动态调节-CN201710374684.5有效
发明人：卡利·托尔凯尔森;亚伦·贝尔克;布莱恩·L·巴卡柳;史蒂文·T·迈耶 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2017-05-24 - 公布日： 2020-06-16 - 主分类号： C25D7/12 文献下载
摘要：本发明涉及在电镀期间横流歧管的动态调节。本发明的实施方式涉及将一种或多种材料电镀到衬底上的方法和装置。通常，本发明的实施方式利用位于衬底附近的有沟道的板，在有沟道的板和衬底之间并在侧面上经由流限制环创建横流歧管。可以在衬底保持器的底表面和衬底保持器下方的元件(例如，流限制环)的顶表面之间设置密封件。在电镀期间，流体通过有沟道的板中的沟道以及通过横流入口进入横流歧管，然后在与横流入口相对定位的横流出口处排出。该设备可以在电镀期间在密封状态和未密封状态之间切换，例如通过适当地降低和升高衬底和衬底保持器以接合和脱开密封件来实现。
电镀期间歧管动态调节

[发明专利]用于调节在电镀中的方位角均匀性的装置和方法-CN201910553235.6在审
发明人：加布里埃尔·海·格拉哈姆;蔡李鹏;史蒂文·T·迈耶;罗伯特·拉什;亚伦·贝尔克 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2016-06-06 - 公布日： 2019-10-29 - 主分类号： C25D5/02 文献下载
摘要：本发明涉及用于调节在电镀中的方位角均匀性的装置和方法。用于在半导体衬底上以改善的方位角均匀性电镀金属的装置在一个方面包括：电镀室，其被配置成容纳电解液和阳极；衬底支架，其配置成在电镀期间保持半导体衬底；离子阻性离子可穿透元件(“元件”)，其被配置成邻近衬底定位；和屏蔽件，其被配置用于提供方位角不对称屏蔽并定位在衬底支架和元件之间，使得所述屏蔽件的面对衬底的表面和所述衬底的工作表面之间的最近距离为小于约2mm。在一些实施方式中，在电镀期间，在所述屏蔽件的面对衬底的表面和所述屏蔽件之间存在填充电解液的间隙。所述屏蔽件的面对衬底的表面可以设置轮廓使得从屏蔽件的不同位置到衬底的距离是变化的。
衬底屏蔽件电镀方位角均匀性衬底支架配置电解液半导体离子衬底定位电镀金属工作表面最近距离阳极不对称可穿透屏蔽阻性填充邻近容纳

[发明专利]用于调节在电镀中的方位角均匀性的装置和方法-CN201610394032.3有效
发明人：加布里埃尔·海·格拉哈姆;蔡李鹏;史蒂文·T·迈耶;罗伯特·拉什;亚伦·贝尔克 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2016-06-06 - 公布日： 2019-07-23 - 主分类号： C25D5/02 文献下载
摘要：本发明涉及用于调节在电镀中的方位角均匀性的装置和方法。用于在半导体衬底上以改善的方位角均匀性电镀金属的装置在一个方面包括：电镀室，其被配置成容纳电解液和阳极；衬底支架，其配置成在电镀期间保持半导体衬底；离子阻性离子可穿透元件(“元件”)，其被配置成邻近衬底定位；和屏蔽件，其被配置用于提供方位角不对称屏蔽并定位在衬底支架和元件之间，使得所述屏蔽件的面对衬底的表面和所述衬底的工作表面之间的最近距离为小于约2mm。在一些实施方式中，在电镀期间，在所述屏蔽件的面对衬底的表面和所述屏蔽件之间存在填充电解液的间隙。所述屏蔽件的面对衬底的表面可以设置轮廓使得从屏蔽件的不同位置到衬底的距离是变化的。
用于调节电镀中的方位角均匀装置方法

[发明专利]利用离子阻性离子可穿透元件电镀金属的装置和方法-CN201610318396.3有效
发明人：布哈努丁·卡加伊瓦拉;布莱恩·L·巴卡柳;蔡李鹏;亚伦·贝尔克;罗伯特·拉什;史蒂文·T·迈耶 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2016-05-13 - 公布日： 2019-07-23 - 主分类号： C25D7/12 文献下载
摘要：本发明涉及利用离子阻性离子可穿透元件电镀金属的装置和方法。在一个方面，一种用于利用改善的电镀均匀性在半导体衬底上电镀金属的装置包括：电镀室，其被配置成容纳电解液和阳极；衬底支架，其配置成保持所述半导体衬底；以及离子阻性离子可穿透元件，其包括基本上平坦的面对衬底的表面和相反的表面，其中所述元件在电镀期间使得离子流能朝向所述衬底流动，并且其中所述元件包括具有变化的局部电阻率的区域。在一个实施例中，元件的电阻率可通过改变元件的厚度而变化。在一些实施方式中，元件的厚度从元件的边缘沿径向方向到中心逐渐减小。所提供的装置和方法对于在WLP凹陷特征内电镀金属是特别有用的。
利用离子可穿透元件电镀金属装置方法

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