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[发明专利]二维半导体异质结的制备方法-CN202111168077.6在审
发明人：魏钟鸣;于雅俐;杨珏晗;刘岳阳;文宏玉 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2021-09-30 - 公布日： 2021-12-21 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提出一种二维半导体异质结的制备方法，包括将反应前驱体置于反应容器中，反应前驱体包括一种硫属元素粉末及两种四族金属化合物粉末，硫属元素粉末置于第一位置，四族金属化合物粉末置于第二位置，两种四族金属化合物粉末熔点差不超过第一值；将衬底置于反应容器第三位置；密封反应容器并通入运载气体；加热反应容器使反应前驱体反应生成反应生成物且沉积到衬底上；自然冷却至室温，停止通入运载气体，反应生成物在衬底上完成沉积，得到异质结。本发明操作简单，可重复性好，可实现快速大批量生长；工艺可控，可实现厚度可控的大面积生长；解决了机械堆叠构筑异质结中干法转移或湿法转移得到二维半导体异质结时带来的材料厚度不均匀的问题。
二维半导体异质结制备方法

[发明专利]偏振光探测器及其制备方法-CN202110779857.8在审
发明人： 于雅俐;魏钟鸣;杨珏晗;刘岳阳;宗易昕;文宏玉 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2021-07-09 - 公布日： 2021-10-08 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：本发明提供了一种偏振光探测器及其制备方法，其中，该偏振光探测器包括：衬底；源电极和漏电极，设置于衬底上；一维硒硫化锑(Sb2(SxSe1‑x)3)合金纳米线，作为偏振光探测器的有源层，设置于衬底上的源电极和漏电极之间，其中，硒硫化锑(Sb2(SxSe1‑x)3)合金纳米线中组分比例可调节，x介于0～1之间。
偏振光探测器及其制备方法