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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]存储器件和连接静态随机存取存储器中的晶体管的方法-CN202210786959.7在审
发明人： 于殿圣;张峻玮;廖忠志 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-07-04 - 公布日： 2022-11-01 - 主分类号： H01L27/11 文献下载
摘要：一种存储器件包括包含第一漏极/源极端子的第一晶体管和包含第一栅极端子的第二晶体管。第一导电路径电连接在第一漏极/源极端子和第一栅极端子之间。第一导电路径包括电连接在第一漏极/源极端子和第一导电层的第一轨道之间的第一导电通孔，以及电连接在第一导电层的第一轨道和第二导电层的第一轨道之间的第二导电通孔。本发明的实施例还提供了连接静态随机存取存储器中的晶体管的方法。
存储器件连接静态随机存取存储器中的晶体管方法

[发明专利]存储器装置-CN202110505145.7在审
发明人： 于殿圣;廖忠志;崔壬汾;林秉谦 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-05-10 - 公布日： 2021-09-28 - 主分类号： G11C5/14 文献下载
摘要：一种存储器装置，包括位于上述存储器装置的第一区域的多个存储器单元。存储器单元包括第一信号线、位于存储器装置的第一区域中的第一电路、以及位于存储器装置的第二区域中的多个逻辑电路。第二区域与第一区域具有不同的设计准则。第一电路被配置以被选择性地使能或去能。当第一电路被使能时，第一信号线与第二信号线并联地电性耦接。
存储器装置

[发明专利]用于形成不同晶体管的源极/漏极区的注入-CN201711246449.6有效
发明人： 于殿圣;廖忠志;崔壬汾 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2017-12-01 - 公布日： 2021-08-17 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种方法包括形成第一晶体管，形成第一晶体管包括形成第一栅极堆叠件，在第一栅极堆叠件的侧部上外延生长第一源极/漏极区，并且实施第一注入以注入第一源极/漏极区。该方法还包括形成第二晶体管，形成第二晶体管包括形成第二栅极堆叠件，在第二栅极堆叠件的侧壁上形成第二栅极间隔件，在第二栅极堆叠件的侧部上外延生长第二源极/漏极区，以及实施第二注入以注入第二源极/漏极区。形成层间电介质以覆盖第一源极/漏极区和第二源极/漏极区。在形成层间电介质之前实施第一注入，并且在形成层间电介质之后实施第二注入。本发明实施例涉及用于形成不同晶体管的源极/漏极区的注入。
用于形成不同晶体管漏极区注入

[发明专利]半导体器件及其形成方法-CN202010645903.0在审
发明人： 于殿圣;崔壬汾;廖忠志;傅英哲 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2020-07-07 - 公布日： 2021-02-26 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：在方法的一些实施例中，图案化开口包括：将辐射束投影到第二介电层，辐射束具有开口的图案。在方法的一些实施例中，单一图案化光刻工艺是极紫外(EUV)光刻工艺。在方法的一些实施例中，利用导电材料填充开口包括：将导电材料镀在开口中；以及平坦化导电材料和第二介电层以由导电材料的剩余部分形成第一金属线，在平坦化之后，第一金属线和第二介电层的顶表面是平坦的。本发明的实施例还涉及半导体器件及其形成方法。
半导体器件及其形成方法

[发明专利]双端静态随机存取存储器-CN202010321143.8在审
发明人： 于殿圣;崔壬汾;廖忠志;林秉谦 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2020-04-22 - 公布日： 2021-02-02 - 主分类号： G11C11/417 文献下载
摘要：一种双端静态随机存取存储器，包括基板；基板上的第一及第二主动区，大致上沿第一方向呈纵向指向；第一及第二栅极电极，大致上沿垂直于第一方向的第二方向呈纵向指向。第一及第二栅极电极分别接合第一及第二主动区以形成第一及第二传输闸晶体管。双端静态随机存取存储器还包括第一栅极接点，被设置于第一栅极电极上并与其电性连接，以及包括第一源极/漏极接点，大致上沿第二方向呈纵向指向。第一源极/漏极接点直接接触第一及第二传输闸晶体管的源极/漏极特征。第一栅极接点的一部分及第一源极/漏极接点的一部分自基板的顶部表面处于相同垂直层位，且沿第一方向对准。
静态随机存取存储器

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN201610996686.3有效
发明人： 于殿圣;崔壬汾;廖忠志 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2016-10-26 - 公布日： 2020-06-05 - 主分类号： H01L23/62 文献下载
摘要：半导体装置内使用熔丝(fuse)的结构及其制造方法，熔丝可形成于第三金属层内，且与位在下方的半导体基底上的有源元件垂直地排列。此外，第三金属层内的熔丝形成较下方的第二金属层厚。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]半导体器件和形成半导体器件的方法-CN201910910885.1在审
发明人：林杰峯;林志勇;于殿圣;杨筱岚;廖忠志 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-09-25 - 公布日： 2020-04-03 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：第一类器件包括在第一方向上延伸的第一鳍结构、第一栅极，以及设置在第一鳍结构上方的第一槽接触件。第一栅极在第二方向上延伸并具有在第一方向上测量的第一栅极尺寸。第一槽接触件具有在第一方向上测量的第一槽接触件尺寸。第二类器件包括：在第三方向上延伸的第二鳍结构、第二栅极，以及设置在第二鳍结构上方的第二槽接触件。第二栅极在第四方向上延伸并具有在第三方向上测量的第二栅极尺寸。第二槽接触件具有在第三方向上测量的第二槽接触件尺寸。第二槽接触件尺寸大于第二栅极尺寸并且大于第一槽接触件尺寸。本发明的实施例还涉及半导体器件和形成半导体器件的方法。
半导体器件形成方法

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