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[发明专利]一种因干法刻蚀受损伤的氮化镓基材料的回复方法-CN200610024615.3有效
发明人：王笑龙;于广辉;隋妍萍;雷本亮;齐鸣;李爱珍 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2006-03-10 - 公布日： 2006-09-27 - 主分类号： H01L21/30 文献下载
摘要：本发明涉及一种氮化镓(GaN)基材料在干法刻蚀中而受损伤的修复方法，其特征在于在是将刻蚀受损的GaN基材料在高真空设备中热退火的同时通入等离子态氮处理，退火温度为用MBE(分子束外延)法生长氮化物外延层的典型生长温度(650～800℃)。真空度为用MBE法生长氮化物外延层的典型真空度(生长室背景压力约为10^－9torr，通入氮等离子体时压力为8*10^－5torr。)。该方法不仅改善了晶体内部结晶质量，而且有利于去除沉积在材料表面的刻蚀产物，使表面的氮空位得到了补充，相当于在去除受损表面时重新生长了一个薄层的氮化物外延层，从而使受损GaN基材料的电学和光学特性得到回升。
一种刻蚀受损氮化基材回复方法

[发明专利]一种改变氢化物气相外延法生长的氮化镓外延层极性的方法-CN200610024155.4无效
发明人：雷本亮;于广辉;齐鸣;叶好华;孟胜;李爱珍 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2006-02-24 - 公布日： 2006-09-13 - 主分类号： H01L21/205 文献下载
摘要：本发明涉及一种改变氢化物气相外延(HVPE)生长的氮化镓(GaN)外延层极性的方法，其特征在于采用了中断HCl生长的方法。在HVPE制备GaN膜的过程中，先在高温下通NH₃氮化蓝宝石(Sapphire)，再通HCl生长GaN，此时生长的GaN薄膜表面显示为N极性。生长一段时间后关闭HCl而持续NH₃气体1～60min，再打开HCl继续进行生长GaN薄膜。如此反复操作2～10次，则GaN的极性将由表面粗糙的N极性转变为表面光滑Ga极性，而且其位错密度降低，晶体质量提高。这种方法简单易行，仅需要中断HCl几次即可实现GaN材料由N极性到Ga极性的改变。
一种改变氢化物外延生长氮化极性方法

[发明专利]以多孔氮化镓作为衬底的氮化镓膜的生长方法-CN200610023732.8有效
发明人：雷本亮;于广辉;王笑龙;齐鸣;孟胜;李爱珍 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2006-01-27 - 公布日： 2006-09-06 - 主分类号： H01L21/205 文献下载
摘要：本发明涉及一种氢化物气相外延(HVPE)氮化镓(GaN)材料中采用多孔GaN作为衬底的生长方法，其特征在于首先制作多孔GaN衬底的掩膜，然后将掩膜板放入感应耦合等离子中进行刻蚀，接着用酸或碱溶液去除阳极氧化铝，得到多孔GaN衬底；其次是将上述衬底放入氧化物外延生长反应室，在N₂气氛下升温750－850℃，通NH₃保护模板的GaN层，于1000－1100℃开始通HCL进行GaN生长；本发明仅需采用电化学的方法腐蚀沉积在GaN表面的金属Al层，即可制成多孔网状结构来作为GaN外延的掩膜，大大简化了光刻制作掩膜的工艺。
多孔氮化作为衬底生长方法

[发明专利]氢化物气相外延生长氮化镓膜中的氧化铝掩膜及制备方法-CN200510028370.7有效
发明人：雷本亮;于广辉;齐鸣;叶好华;孟胜;李爱珍 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2005-07-29 - 公布日： 2006-03-08 - 主分类号： H01L21/31 文献下载
摘要：本发明涉及一种氢化物气相外延氮化镓材料中采用多孔阳极氧化铝作为掩膜及其制备方法，其特征在于采用多孔阳极氧化铝作为GaN横向外延过生长的掩膜。在HVPE制备GaN膜的过程中，先在GaN模板上沉积一层金属Al薄层，然后经电化学的方法阳极氧化后形成均匀的多孔网状阳极氧化铝，再放入HVPE系统中生长GaN层。多孔阳极氧化铝由于其孔径小(10nm～200nm)、陡直且分布均匀，可作为一种微区掩膜。由于气相外延的选择性，HVPE生长GaN时将选择生长在下层的GaN上，然后经过横向外延生长过程连接成完整的GaN膜。通过GaN的微区横向外延，降低了生长的GaN的位错密度，提高了GaN层的质量。简化了光刻制作掩膜的工艺，适合于批量生产时采用。
氢化物外延生长氮化中的氧化铝制备方法

[发明专利]氢化物气相外延生长氮化镓膜中的金属插入层及制备方法-CN200510028366.0有效
发明人：雷本亮;于广辉;齐鸣;叶好华;孟胜;李爱珍 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2005-07-29 - 公布日： 2006-02-22 - 主分类号： C23C16/34 文献下载
摘要：本发明涉及一种氢化物气相外延(HVPE)氮化镓(GaN)膜中的金属插入层及制备方法，其特征在于采用了金属钨(W)插入层的结构。在HVPE制备GaN膜的过程中，先在GaN模板上电子束蒸发一层W薄层，然后经高温退火后继续HVPE生长GaN层。金属钨插入层的引入，作用是产生微区掩膜，金属W薄膜在高温下会发生团聚，同时与W接触的下层的GaN会分解，使得金属W层形成分立的多孔网状结构，从而暴露出部分的GaN膜，由于气相外延的选择性，HVPE生长时GaN将选择生长在下层的GaN上，然后经过横向外延生长过程连接成完整的GaN膜。通过GaN的微区横向外延，降低了生长的GaN的位错密度。简单易行，适合于批量生产采用。
氢化物外延生长氮化中的金属插入制备方法

[发明专利]氟苯生产中的废水处理新工艺-CN200510037740.3无效
发明人：薛春林;于广辉;沈于亚;高建明 -专利权人：薛春林
申请日： 2005-01-31 - 公布日： 2005-09-21 - 主分类号： C02F9/04 文献下载
摘要：本发明涉及一种氟苯生产中的废水处理工艺，其特点是：在开始中和初期就用石灰膏来中和，用石灰膏便能一步清除酸和氟离子，收集废水之后，再加入少量的除氟剂调节pH值，再加入脱色剂和絮凝剂，把深颜色的废水颜色脱掉，把脱过色的废水打入活性炭吸附罐吸附后排放，这样排放出的废水已经能够达到国家排放标准。本发明的废水处理工艺，不但简化了原有技术废水处理步骤，提高了废水处理的效率，而且最主要的是使最终的废水处理能够达标排放。
生产中的废水处理新工艺

[发明专利]氢化物气相外延生长氮化镓膜中的低温插入层及制备方法-CN200410053351.5有效
发明人： 于广辉;雷本亮;叶好华;齐鸣;李爱珍 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2004-07-30 - 公布日： 2005-03-02 - 主分类号： C23C16/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种氢化物气相外延(HVPE)氮化镓膜中的低温插入层及制备方法，其特征在于在GaN膜的HVPE制备过程中采用了低温AlN插入层的结构。在HVPE制备GaN膜的过程中，先在GaN模板上低温沉积一层AlN薄层，然后经高温退火后继续HVPE生长GaN层。低温AlN插入层的引入，释放了低温AlN层上继续生长的GaN膜中的应力，从而提高了GaN层的质量。这种方法简单易行，且对于低温AlN层的结晶质量要求不高，适合于科学实验和批量生产时采用，AlN层可以采用化学气相沉积、分子束外延或溅射等方法制备的。
氢化物外延生长氮化中的低温插入制备方法

[发明专利]改进氢化物气相外延生长氮化镓结晶膜表面质量的方法-CN200410053350.0有效
发明人： 于广辉;雷本亮;叶好华;齐鸣;李爱珍 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2004-07-30 - 公布日： 2005-03-02 - 主分类号： H01L21/205 文献下载
摘要：本发明涉及一种In改进氢化物气相外延生长氮化镓结晶膜表面质量的方法，特征在于在HVPE生长GaN的过程中采用了In辅助外延生长。它是通过在HVPE反应室中同时放置镓(Ga)舟和In舟来实现的。Ga舟和In舟放在相同的温区，或放在不同的温区，HCl气体流过Ga舟和In舟，通过对于产生的InCl和GaCl的量进行调节，满足生长的需要。GaN结晶膜的生长温度为1000－1100℃，在此温度下不会形成InGaN合金，其他条件与通常的HVPE生长GaN的条件相同。由于In的引入，Ga原子的表面迁移长度增加，而这对于生长速度很高的HVPE生长方式非常重要，可以使得生长的GaN的表面的平整度得到改进，且降低GaN结晶膜中的缺陷位错密度。
改进氢化物外延生长氮化结晶表面质量方法

[发明专利]一种用于气相沉积的水平式反应器结构-CN200310108793.0有效
发明人： 于广辉;叶好华;雷本亮;李爱珍;齐鸣 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2003-11-21 - 公布日： 2004-11-10 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于气相沉积的水平式反应器的结构，其特征在于采用了源气垂直喷淋供给的方式。该反应器结构由两组喷淋头、一路载气、一个样品托和一个圆形或者方形的水平腔体构成，整个反应器结构放在水平腔体内，源气和载气进气口和出气口分别在水平腔体的两端，使用时反应器水平放置。由于采用垂直喷淋供气方式，使得两种反应气体在混合区很小的情况下也可以实现均匀混合，既保证了外延生长中大面积均匀性的实现，同时也减少了对外延生长有害的预反应的发生。采用喷淋头与样品平行的结构，既可以采用集成化的反应器结构，即源气喷淋头和样品托固定在一起，也可以分别控制各气路的位置，使得反应器容易加工，使用灵活，适合于批量生产。
一种用于沉积水平反应器结构

[发明专利]利用萃取工艺生产2,4－二硝基氟苯-CN01108157.0无效
发明人：戴华;姜海军;于广辉 -专利权人：射阳县氟都化工有限公司
申请日： 2001-03-21 - 公布日： 2002-10-09 - 主分类号： C07C205/07 文献下载
摘要：本发明涉及一种用萃取法处理2,4－二硝基氟苯硝化废硫酸,该工艺将硝化物料压入分离釜后,静置30分钟,将上层的粗2,4－二硝基氟苯压入中和釜进行中和,下层的废酸进行一次、二次、三次萃取,接着对一次萃取料进行硝化,通过硝化分离出来的废硫酸,再进行上述步骤重复操作,来提高废硫酸的浓度。由于采用上述技术方案,使废酸中硝酸含量低于0.3%,有机物低于0.1%,而硫酸浓度大于80%,便于综合利用,减少了环境污染,变废为宝。
利用萃取工艺生产二硝基氟苯

[实用新型]一种洗面台及洗面盆-CN99247007.2无效
发明人：马卫东;孙良泰;宋明果;于广辉;姜奎珏 -专利权人：海尔集团公司;青岛海尔住宅设施有限公司
申请日： 1999-11-04 - 公布日： 2000-09-20 - 主分类号： A47K1/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种卫生间使用的洗面台和洗面盆,洗面台椭圆孔外有一下凹的环形区域,洗面台的椭圆孔和洗面盆的内边缘由两个长轴相同、短轴不同的半椭圆组成,这样不仅不易积水,且造型美观。
一种洗面台面盆

[发明专利]五段式碰撞脉冲锁模量子阱激光器-CN96100079.1无效
发明人：孙洪波;李玉东;胡礼中;苏士昌;于广辉;刘式墉 -专利权人：吉林大学
申请日： 1996-01-08 - 公布日： 1999-04-28 - 主分类号： H01S3/18 文献下载
摘要：本发明“五段式碰撞脉冲锁模量子阱激光器”属信息技术领域。用于产生半导体超短光脉冲。本发明的五段式锁模激光器是在三段式结构的基础上，在吸收体和增益段之间引入两个“调节段”、调整其偏置条件，可以实现最强的碰撞脉冲效应、克服不均匀性和碰撞偏离的影响。有源区采用了五个周期InGaAsP量子阱结构,是理想的增益吸收介质。在激光器腔面蒸镀高反膜，两个端面的反射率相等，在５０％—６０％之间。目的在于克服自脉动。
段式碰撞脉冲量子激光器

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