“于大全”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果274个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]一种滤波器的扇出封装结构及其封装方法-CN202010962125.8在审
发明人： 于大全;姜峰;张晓东 -专利权人：厦门云天半导体科技有限公司
申请日： 2020-09-14 - 公布日： 2021-02-12 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：一种滤波器的扇出封装结构及其封装方法，包括芯片，该芯片设有第一表面、第二表面，该第一表面具有焊盘和功能区，芯片除第一表面以外区域通过包封材料进行塑封；芯片的第一表面设置布线层，该布线层与焊盘电性连接并延伸至包封材料第一表面；设置墙体位于芯片第一表面外露部分、布线层表面和包封材料第一表面外露部分，且在布线层的外连区域、芯片的功能区设置开口；墙体表面的功能区开口处覆盖盖板形成空腔；外连区域的开口处设置连接端口，并与布线层电性连接实现扇出。本发明工艺简单、成本低、体积薄、提高封装可靠性。
一种滤波器封装结构及其方法

[发明专利]一种基于玻璃盖板的声表面滤波器封装方法及结构-CN202010973819.1在审
发明人：陈作桓;于大全 -专利权人：厦门云天半导体科技有限公司
申请日： 2020-09-16 - 公布日： 2021-02-12 - 主分类号： H03H9/64 文献下载
摘要：一种基于玻璃盖板的声表面滤波器封装方法和结构，包括：1)提供玻璃盖板和芯片晶圆，芯片晶圆第一表面设有焊盘和IDT功能区；2)在玻璃盖板上制作盲孔，并在盲孔开口侧的第一表面临时键合玻璃载板，将玻璃盖板另一表面进行研磨使得盲孔贯通形成通孔，该通孔内径从第一表面至另一表面逐渐减小；3)在芯片晶圆的第一表面覆盖绝缘层，并在绝缘层相对焊盘和IDT功能区的位置进行开口；4)将玻璃盖板与芯片晶圆粘合，并使通孔与绝缘层焊盘处的开口相对，绝缘层和玻璃盖板在IDT功能区形成空腔；5)拆除玻璃载板，并在玻璃盖板上制作金属连接件与焊盘电性连接。本发明避免了IDT功能区被外界湿气、腐蚀液等侵蚀，提高器件封装可靠性，一次性封装，可批量生产。
一种基于玻璃盖板表面滤波器封装方法结构

[发明专利]一种功率器件的三维互连结构及其制作方法-CN201910344722.1有效
发明人： 于大全;姜峰;王阳红 -专利权人：厦门云天半导体科技有限公司
申请日： 2019-04-26 - 公布日： 2021-02-05 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：一种功率器件的三维互连结构及其制作方法，包括载板、第一金属层、导电材料、芯片、填充层、金属结构，绝缘层和信号端口；该第一金属层设于载板的上表面，且第一金属层或载板上设有凸起结构；该芯片背面通过导电材料贴合于第一金属层表面；该填充层包覆于芯片和第一金属层外，并露出芯片的焊盘和第一金属层的局部；该金属结构设于填充层表面并设有外连区域；该封装层设于金属结构表面并露出外连区域；该信号端口与外连区域电性连接。本发明通过第一金属层实现更好的散热效果、降低了成本、减小了封装体积、提高了产品的可靠性。
一种功率器件三维互连结构及其制作方法

[发明专利]一种可拆装式配电网用故障指示器-CN202011138438.8在审
发明人： 于大全;秦佳;逄鹏;孙瑜;宋英杰;赵晓敏;陈静石 -专利权人：黑龙江工业学院
申请日： 2020-10-22 - 公布日： 2021-01-15 - 主分类号： G01R31/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种可拆装式配电网用故障指示器，包括指示器本体，所述指示器本体的底端设置有指示灯，所述指示器本体的顶端固定有安装结构，所述安装结构包括卡槽，所述指示器本体的顶端固定有卡槽，所述卡槽内部的底端设置有固定弹簧，所述固定弹簧的顶端固定有固定板，本发明通过将该指示器本体通过顶部的卡槽进行固定，卡槽通过上方开口卡入电缆上进行固定，插入后利用卡槽两侧的丝杆配合其插设卡槽内的限位板进行限位固定，限位板表面设置橡胶圈能够起到很好的防护效果，避免严重摩擦造成损坏，同时电缆与卡槽内部底端的固定板配合底部固定弹簧进行固定，起到良好的固定效果，从而实现快速固定的功能。
一种拆装配电网故障指示器

[实用新型]一种芯片和天线集成的三维封装结构-CN201922427259.5有效
发明人： 于大全 -专利权人：厦门云天半导体科技有限公司
申请日： 2019-12-30 - 公布日： 2020-08-07 - 主分类号： H01L23/66 文献下载
摘要：一种芯片和天线集成的三维封装结构，包括至少一芯片，芯片设有第一表面和第二表面，该第一表面设有功能区和电极，还包括一玻璃基板，其上设置至少一个通槽和至少一个通孔，该通槽和通孔内壁分别沉积有金属导电材料；该芯片和一散热金属块通过粘结结构嵌于通槽内，且散热金属块位于芯片的第二表面；粘结结构还填充至通孔内，并在芯片第一表面和玻璃基板一表面构成第一布线面，在散热金属块表面和玻璃基板另一表面构成第二布线面；第一布线面设有至少一金属线路以与芯片的电极电性相连；第二布线面上设有至少一接地层和至少一天线层，该天线层与通孔上的金属导电材料电性相连。本实用新型结构紧凑，封装厚度薄，且传输信号线路短、损耗低，电学性能高。
一种芯片天线集成三维封装结构

[发明专利]一种嵌入式磁心微型化三维电感的制作方法和电感-CN201911388135.9在审
发明人：薛恺;钟智勇;于大全;张名川;李金喜;伍恒;姜峰 -专利权人：电子科技大学;厦门云天半导体科技有限公司
申请日： 2019-12-30 - 公布日： 2020-06-16 - 主分类号： H01F41/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种嵌入式磁心微型化三维电感的制作方法和电感，包括：精密磁心的制作工艺；三维互联通道刻蚀及填充；双面互联结构的制作工艺等。本发明采用微电子的工艺实现了带磁心的三维电感器件，实现小型化电感器件的同时，保留了较高的电感量，解决了小型化电感感值无法做大的矛盾；同时还提出了一种新的工艺解决方法，解决了高深宽比微槽、微孔结构的金属填充难题。
一种嵌入式微型三维电感制作方法

[实用新型]一种金属覆盖的微针晶片结构-CN201920596387.X有效
发明人： 于大全;姜峰;王阳红 -专利权人：厦门云天半导体科技有限公司
申请日： 2019-04-28 - 公布日： 2020-06-16 - 主分类号： A61M37/00 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种金属覆盖的微针晶片结构，包括：晶片、以及阵列设置在晶片上表面的针状突起；所述针状突起的表面、以及晶片的上表面分别覆盖有粘结金属层和金属层，所述粘结金属层分别设置在针状突起的表面与金属层之间、以及晶片的上表面与金属层之间。本实用新型提供了一种金属覆盖的微针晶片结构，具有良好的生物兼容性，并且易于生产。
一种金属覆盖晶片结构

[发明专利]集成带有复杂三维结构盖板的芯片的晶圆级封装方法-CN201810595118.1有效
发明人：刘轶;马书英;于大全;王腾 -专利权人：华天科技（昆山）电子有限公司
申请日： 2018-06-11 - 公布日： 2020-06-09 - 主分类号： H01L21/56 文献下载
摘要：本发明公开了一种集成带有复杂三维结构盖板的芯片的晶圆级封装方法，首先在和芯片的晶圆同样尺寸的临时载板上制备盖板的复杂三维结构，整个盖板的制造都在晶圆级完成，在盖板的复杂三维结构完成后，用晶圆级设备将盖板和目标晶圆压合在一起；在完成必要的晶圆级制程后，切割形成独立的芯片封装体。本发明减少了制造、运输、拿持和组装等工艺流程，从而避免了微小尺寸的开口和微流道等微小结构的损坏，且由于盖板的复杂三维结构是在晶圆级制程下完成，可以方便的制造微米级的小尺寸开口和毫米级的大空腔结构，降低了制造流程的复杂度和成本，因此，本发明具有方法简单、效率高、质量好、成本低等优点。
集成带有复杂三维结构盖板芯片晶圆级封装方法

[发明专利]一种芯片和天线集成的三维封装结构及其制备方法-CN201911387919.X在审
发明人： 于大全 -专利权人：厦门云天半导体科技有限公司
申请日： 2019-12-30 - 公布日： 2020-05-26 - 主分类号： H01L23/66 文献下载
摘要：一种芯片和天线集成的三维封装结构及其制备方法，包括至少一芯片，芯片设有第一表面和第二表面，该第一表面设有功能区和电极，还包括一玻璃基板，其上设置至少一个通槽和至少一个通孔，该通槽和通孔内壁分别沉积有金属导电材料；该芯片和一散热金属块通过粘结结构嵌于通槽内，且散热金属块位于芯片的第二表面；粘结结构还填充至通孔内，并在芯片第一表面和玻璃基板一表面构成第一布线面，在散热金属块表面和玻璃基板另一表面构成第二布线面；第一布线面设有至少一金属线路以与芯片的电极电性相连；第二布线面上设有至少一接地层和至少一天线层，该天线层与通孔上的金属导电材料电性相连。本发明结构紧凑，封装厚度薄，且传输信号线路短、损耗低，电学性能高。
一种芯片天线集成三维封装结构及其制备方法

[发明专利]一种基于纳米颗粒填充工艺的微型化电感制作方法和电感-CN201911388134.4在审
发明人：薛恺;钟智勇;于大全;张名川;李金喜;伍恒;姜峰 -专利权人：电子科技大学;厦门云天半导体科技有限公司
申请日： 2019-12-30 - 公布日： 2020-05-26 - 主分类号： H01L49/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于纳米颗粒填充工艺的微型化电感制作方法和电感，包括：精密磁心的制作工艺；三维互联通道刻蚀及填充；双面互联结构的制作工艺等。本发明采用微电子的工艺实现了带磁心的三维电感器件，实现小型化电感器件的同时，保留了较高的电感量，解决了小型化电感感值无法做大的矛盾；同时还提出了一种新的工艺解决方法，解决了高深宽比微槽、微孔结构的金属填充难题。
一种基于纳米颗粒填充工艺微型电感制作方法

[实用新型]一种喷墨打印头芯片封装结构-CN201921054599.1有效
发明人：石爱华;吴俊;王瑾;王姣;于大全 -专利权人：华天科技（昆山）电子有限公司
申请日： 2019-07-08 - 公布日： 2020-05-26 - 主分类号： B41J2/14 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种喷墨打印头芯片封装结构，包括通过切割而成的多个芯片单元，每个芯片单元包括基板、第一层聚合物薄膜和第二层聚合物薄膜，基板具有正面和背面，基板上设有通孔，基板的正面上设有金属线路，第一层聚合物薄膜压合在所述基板的正面上，第二层聚合物薄膜压合在第一层聚合物薄膜上，第一层聚合物薄膜上设有第一开口，第二层聚合物薄膜上设有第二开口，基板的通孔、第一层聚合物薄膜的第一开口和第二层聚合物薄膜的第二开口对应导通，以形成流体通道。本实用新型的喷墨打印头芯片封装结构中，喷墨口上方的胶层不会塌陷，形貌较好，开口精度高，且该封装结构的制作成本低，产品的良品率高，制作可以实现量产化。
一种喷墨打印头芯片封装结构

[发明专利]芯片封装结构及其封装方法-CN201610528310.X有效
发明人： 于大全 -专利权人：华天科技（昆山）电子有限公司
申请日： 2016-07-07 - 公布日： 2020-05-22 - 主分类号： H01L23/488 文献下载
摘要：本发明公开了一种芯片封装结构及其封装方法，通过在芯片焊垫对应的第一开口内及芯片背面采用塑封材料进行塑封，降低了芯片晶圆的翘曲；采用激光烧蚀等工艺打孔穿透塑封，形成暴露焊垫的小尺寸第二开口，可实现高密度互连的封装，且晶圆封装完毕切割成单颗芯片时，切割界面由塑封材料包裹，可保护芯片不受外界环境影响；塑封材料本身为绝缘材料，节省了公知晶圆级封装工艺中，在芯片基底上铺金属线路前的钝化制程。芯片封装结构及制作方法，成本低，且互连密度高。
芯片封装结构及其方法

[发明专利]基于太鼓晶圆的晶圆级封装结构及方法-CN201711045692.1有效
发明人：郑凤霞;刘路路;王腾;马书英;于大全 -专利权人：华天科技（昆山）电子有限公司
申请日： 2017-10-31 - 公布日： 2020-04-24 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于太鼓晶圆的晶圆级封装结构及方法，通过在使用太鼓减薄工艺减薄后的太鼓晶圆的中心部分键合一支撑晶圆，实现了对太鼓晶圆中心部分的加厚，使其可继续进行晶圆级的封装工艺。该方法也避免了使用特别的太鼓晶圆支撑环去除设备，使得太鼓晶圆的晶圆级封装在标准的封装产线中即可实现。
基于太鼓晶圆晶圆级封装结构方法

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN201911145477.8在审
发明人：张嘉碧;王尧;马书英;王姣;于大全 -专利权人：华天科技（昆山）电子有限公司
申请日： 2019-11-21 - 公布日： 2020-04-17 - 主分类号： H01L23/488 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体装置及其制造方法，其中，所述半导体装置包括：第一基片、设置于所述第一基片上的第二基片、设置于所述第二基片上的焊盘、连接至所述焊盘上的金属线路层；所述第一基片上开设有连通至所述焊盘上的阶梯孔，所述金属线路层与焊盘之间还设置有绝缘层，所述绝缘层设置于所述阶梯孔中底部的拐角位置。本发明的半导体装置通过两部开孔的方式，形成连通焊盘的阶梯孔，该阶梯孔有利于在阶梯孔中底部的拐角位置形成较厚的绝缘层，进而对于减少焊盘压力，降低金属线路层断线风险有明显优势，可以缓解金属线路层对焊盘的拉扯应力。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]距离传感器芯片封装结构及其晶圆级封装方法-CN201810790152.4有效
发明人： 于大全;郑凤霞;马书英 -专利权人：华天科技（昆山）电子有限公司
申请日： 2018-07-18 - 公布日： 2020-04-17 - 主分类号： H01L25/16 文献下载
摘要：本发明公开了一种距离传感器芯片封装结构及其晶圆级封装方法。首先，在硅基板的第一表面通过TSV技术刻蚀凹槽并在凹槽内表面沉积绝缘层，将切割好的单颗距离传感器芯片放入到凹槽中，通过重布线的方式将距离传感器芯片的N极信号通过金属层引出到硅基板第一表面，再通过重布线的方式将P极信号扇出中硅基板第一表面，最终将N极信号及P极信号通过TSV技术引到硅基板第二表面，然后在硅基板第一表面制作支撑围堰，并贴合玻璃盖板，以将距离传感器芯片的感应区域保护起来，最后，再将基板晶圆切割成单颗芯片，完成对芯片封装。本发明封装结构具有封装体积小，厚度薄，热性能好等优点，封装方法具有封装效率高且封装良率高的优点。
距离传感器芯片封装结构及其晶圆级方法