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[发明专利]波长选择性滤光器和制造波长选择性滤光器的方法-CN201980102050.1在审
发明人： 二瓶瑞久;於丰;金森义明 -专利权人：华为技术有限公司;东北大学
申请日： 2019-11-21 - 公布日： 2022-06-21 - 主分类号： G02B5/20 文献下载
摘要：[问题]本申请的目的包括提供一种利用表面等离子体共振的波长选择性滤光器，其中波长选择性滤光器的峰值波长在近红外波长区域，并且其中波长选择性滤光器的透射波长的半峰全宽比传统滤光器的窄。[解决方案]一种波长选择性滤光器，包括交替地具有低折射率层和高折射率层的多层结构、面向多层结构的低折射率层的周期性结构层，低折射率层的折射率在1.30和1.60之间、厚度在100nm和800nm之间，高折射率层的折射率在1.70和2.20之间、厚度在30nm和100nm之间，在垂直于周期性结构的厚度方向的平面中，多层结构层具有由金属或半导体构成的周期性结构。
波长选择性滤光制造方法

[发明专利]一种电路板-CN201810012357.X有效
发明人： 二瓶瑞久;菅沼克昭;李万里;李财富;张昊 -专利权人：华为技术有限公司;国立大学法人大阪大学
申请日： 2018-01-05 - 公布日： 2020-07-28 - 主分类号： H05K1/02 文献下载
摘要：本申请提供了一种电路板，该电路板由电路基板和布置在该电路基板上的导电部件组成，该电路基板由基座和设置在该基座上的至少一个凸台组成，在该至少一个凸台表面上布置有该导电部件。本申请提供的电路板，将导电部件设置在电路基板的凸台的表面上，可以有效的降低导电部件在拉伸过程中所受的应力，即降低导电部件在拉伸过程中的应变，从而降低导电部件在拉伸过程中的电阻值的变化。减少了导电部件的电阻变化对电路板性能的影响，提高电路板的性能。
一种电路板

[发明专利]一种连接器及其制备方法、通信设备-CN201710543407.2有效
发明人： 二瓶瑞久;周晓松;徐焰;野田优;高畠麻実 -专利权人：华为技术有限公司;早稻田大学
申请日： 2017-07-05 - 公布日： 2019-11-05 - 主分类号： H01R12/52 文献下载
摘要：本申请提供了一种连接器及其制备方法、通信设备，该连接器包括至少一个碳纳米管金属复合物和树脂基体，每一个该碳纳米管金属复合物贯穿该树脂基体，每一个该碳纳米管金属复合物的顶端端面的投影面积和底端端面的投影面积均大于该碳纳米管金属复合物的腰部截面的面积，该腰部截面所在的平面垂直于该树脂基体的厚度方向，该顶端端面的投影是指该顶端端面沿该树脂基体的厚度方向在该腰部截面所在平面上的投影，该底端端面的投影是指该底端端面沿该树脂基体的厚度方向在该腰部截面所在平面上的投影。本申请提供的连接器，形成了两端直径大于中间部位直径的“锥形结构”，有助于增加端部与其他电子器件的接触面积，从而有助于降低接触阻抗。
一种连接器及其制备方法通信设备

[发明专利]一种热界面材料及其制备方法、导热片和散热系统-CN201511009829.9有效
发明人： 二瓶瑞久;周晓松;太田庆新 -专利权人：华为技术有限公司
申请日： 2015-12-29 - 公布日： 2018-12-14 - 主分类号： H01L23/373 文献下载
摘要：本申请公开了一种热界面材料及其制备方法、导热片和散热系统，本申请热界面材料包括锆金属箔和碳纳米管阵列，所述锆金属箔具有第一表面以及与所述第一表面相对的第二表面，所述碳纳米管阵列中碳纳米管分布在所述第一表面和所述第二表面，所述锆金属箔的第一表面和第二表面包括裸露的锆金属。本申请实施例降低了热界面材料的界面热阻，提高了热界面材料的导热性能。
一种界面材料及其制备方法导热散热系统

[发明专利]热电偶和温度传感器-CN201710975696.3在审
发明人： 二瓶瑞久;周晓松;徐焰;柳和宏 -专利权人：华为技术有限公司;公立大学法人首都大学东京
申请日： 2017-10-19 - 公布日： 2018-02-23 - 主分类号： G01K7/02 文献下载
摘要：本申请提供了一种热电偶和一种温度传感器，该热电偶包括N型部件和P型部件，该N型部件与该P型部件通过导电材料连接。本申请提供的热电偶的N型部件和P型部件通过导电材料连接，该导电材料填充N型部件和P型部件的连接部位的空隙，增大了N型部件和P型部件的接触面积，提高了电导率，从而可以放大微小的测温电流信号，提高了热电偶的测温性能。
热电偶温度传感器

[发明专利]散热结构及其合成方法-CN201480078350.8在审
发明人：努日纳;野田优;二瓶瑞久 -专利权人：华为技术有限公司;早稻田大学
申请日： 2014-05-30 - 公布日： 2017-02-22 - 主分类号： H01L23/34 文献下载
摘要：由本发明提供散热结构及其合成方法。所述方法包括：提供金属箔片(210)；在所述金属箔片(210)的第一表面(212)上形成沉积衬底(220)，其中所述沉积衬底(220)包括安置于所述金属箔片(210)上的阻挡层(220)及安置于所述阻挡层(220)上的催化剂层(224)，以使得防止所述催化剂层(224)中的催化剂扩散到所述金属箔片(210)中；及在形成于所述第一表面(212)上的所述沉积衬底(220)上合成碳纳米管阵列(132)。由本发明提供的方法可增加散热结构中的CNT的密度。
散热结构及其合成方法

[发明专利]电子器件及其制造方法-CN200810090316.9有效
发明人： 二瓶瑞久 -专利权人：富士通株式会社
申请日： 2008-03-28 - 公布日： 2008-10-01 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明公开一种电子器件及其制造方法，该电子器件包括：导电图案，形成在第一绝缘膜上；第二绝缘膜，形成在所述导电图案和所述第一绝缘膜上；孔，形成在所述导电图案上的所述第二绝缘膜中；多个碳纳米管，形成在所述孔中，从所述导电图案的表面延伸；以及埋置膜，埋置在所述孔中的所述多个碳纳米管之间的空隙中。利用本发明，相比于在导孔中选择性地形成催化剂颗粒和催化剂膜的情况，放宽了形成催化剂表面的条件。相比于现有技术，提高了由成束碳纳米管形成的通路的产量。此外，埋置绝缘膜可防止损害碳纳米管的气体和外来物质进入空隙。而且，由碳纳米管制成的通路仅作为仅在导孔中的导体，具有更低的电阻和更大的电流容量。
电子器件及其制造方法

[发明专利]布线结构及其形成方法-CN200810087411.3无效
发明人： 二瓶瑞久;佐藤信太郎;近藤大雄;粟野祐二 -专利权人：富士通株式会社
申请日： 2008-03-27 - 公布日： 2008-10-01 - 主分类号： H01L23/522 文献下载
摘要：本发明公开了一种布线结构及其形成方法。根据本发明一个实施例，通过自接触块的相对面朝彼此的相对面生长多个CNT来形成CNT束；以及，通过接触所述多个CNT使它们相交，以实现彼此的电连接。随后，以金属材料填充电连接后的CNT束的间隙，因此形成为该CNT束和该金属材料的复合状态的布线。
布线结构及其形成方法