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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]等离子体处理装置-CN202310809321.5在审
发明人： 久保田绅治 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2020-01-21 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：在例示性实施方式的等离子体处理装置中，高频电源产生高频电力，以生成等离子体。偏置电源对下部电极周期性施加脉冲状的负极性的直流电压，以将离子引入基板支撑器。高频电源在脉冲状的负极性的直流电压未施加到下部电极的期间，作为一个以上的脉冲供应高频电力。高频电源在脉冲状的负极性的直流电压施加到下部电极的期间，停止供应高频电力。一个以上的脉冲中的每一个具有从其开始时刻到其峰值出现的时刻为止逐渐增加的功率级。
等离子体处理装置

[发明专利]等离子体处理装置-CN202010070561.4有效
发明人： 久保田绅治 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2020-01-21 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：在例示性实施方式的等离子体处理装置中，高频电源产生高频电力，以生成等离子体。偏置电源对下部电极周期性施加脉冲状的负极性的直流电压，以将离子引入基板支撑器。高频电源在脉冲状的负极性的直流电压未施加到下部电极的期间，作为一个以上的脉冲供应高频电力。高频电源在脉冲状的负极性的直流电压施加到下部电极的期间，停止供应高频电力。一个以上的脉冲中的每一个具有从其开始时刻到其峰值出现的时刻为止逐渐增加的功率级。
等离子体处理装置

[发明专利]等离子体处理装置、等离子体处理方法和存储介质-CN202310348168.0在审
发明人：舆水地盐;平野太一;早坂彻;久保田绅治;丸山幸儿;道菅隆 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2019-06-12 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明提供控制方法和等离子体处理装置。一种具有载置被处理体的第一电极的等离子体处理装置的控制方法，其包括：对上述第一电极供给偏置功率的步骤；和将具有比上述偏置功率高的频率的生成源功率供给到等离子体处理空间的步骤，上述生成源功率具有第一状态和第二状态，上述控制方法包括第一控制步骤，该第一控制步骤与基准电气状态的一周期内的相位同步地交替施加上述第一状态和上述第二状态，其中上述基准电气状态表示由上述偏置功率的供电系统测量出的电压、电流或电磁场的任一者。
等离子体处理装置方法存储介质

[发明专利]等离子体处理装置和生成等离子体的方法-CN201980004388.3有效
发明人： 久保田绅治 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2019-06-10 - 公布日： 2023-02-28 - 主分类号： H05H1/46 文献下载
摘要：例示的实施方式的等离子体处理装置包括腔室、高频电源部和修正信号生成部。高频电源部在第一期间输出脉冲状的高频电功率。高频电源部在第一区间之后的一个以上的第二期间输出合成高频电功率。修正信号生成部生成相对于第一期间的反射波监测信号以反相振荡的修正信号。高频电源部使用修正信号来生成合成高频电功率。电源部交替地反复进行第一期间的脉冲状的高频电功率的输出和一个以上的第二期间的合成高频电功率的输出。
等离子体处理装置生成方法

[发明专利]等离子体处理装置和等离子体处理方法-CN201910738763.9有效
发明人： 久保田绅治 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2016-05-10 - 公布日： 2022-10-14 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：等离子体处理装置包括：处理容器；载波组生成部，其生成由分别具有彼此不同的频率的多个载波构成的载波组，其中上述频率属于以规定的中心频率为中心的规定的频带；和使用载波组在处理容器内生成等离子体的等离子体生成部。
等离子体处理装置方法

[发明专利]测量器和求取鞘层的厚度的方法-CN202110655009.6在审
发明人： 久保田绅治 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2021-06-11 - 公布日： 2021-12-24 - 主分类号： G01B15/02 文献下载
摘要：本发明提供测量器和求取鞘层的厚度的方法，能够在等离子体处理装置中不安装专用的测量装置，而求取鞘层的厚度。一种公开的测量器包括基片以及设置于基片中或者基片上的发送电路、发送天线、接收天线、接收解调电路和运算器。发送电路生成微波。发送天线将由发送电路生成的微波作为发送波发送。接收天线至少将被基片支承器的上方的等离子体反射的发送波的反射波作为接收波接收。接收解调电路根据接收波生成反映基片与等离子体之间的鞘层的厚度的信号。运算器根据由接收解调电路生成的信号求取鞘层的厚度。
测量器求取厚度方法

[发明专利]等离子体处理装置、等离子体处理方法和存储介质-CN202110571547.7在审
发明人：舆水地盐;平野太一;早坂彻;久保田绅治;丸山幸儿;道菅隆 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2019-06-12 - 公布日： 2021-09-03 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明提供控制方法和等离子体处理装置。一种具有载置被处理体的第一电极的等离子体处理装置的控制方法，其包括：对上述第一电极供给偏置功率的步骤；和将具有比上述偏置功率高的频率的生成源功率供给到等离子体处理空间的步骤，上述生成源功率具有第一状态和第二状态，上述控制方法包括第一控制步骤，该第一控制步骤与基准电气状态的一周期内的相位同步地交替施加上述第一状态和上述第二状态，其中上述基准电气状态表示由上述偏置功率的供电系统测量出的电压、电流或电磁场的任一者。
等离子体处理装置方法存储介质

[发明专利]等离子体处理装置及等离子体处理方法-CN201980087489.1在审
发明人：舆水地盐;久保田绅治 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2019-12-17 - 公布日： 2021-08-06 - 主分类号： H05H1/46 文献下载
摘要：在示例性实施方式所涉及的等离子体处理装置中，脉冲状的负极性的直流电压被周期性地施加到下部电极。规定脉冲状的负极性的直流电压施加到下部电极的周期的频率低于为了生成等离子体而被供给的高频电力的频率。高频电力在周期内的第1部分期间内供给。周期内的第2部分期间的高频电力的功率电平被设定为从第1部分期间的高频电力的功率电平减少的功率电平。
等离子体处理装置方法

[发明专利]等离子体处理方法及等离子体处理装置-CN202011335819.5在审
发明人： 久保田绅治;永关一也;桧森慎司;永海幸一 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2020-11-25 - 公布日： 2021-06-11 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明中公开的等离子体处理方法包括在第1期间，通过从高频电源供应高频电力而在等离子体处理装置的腔室内生成等离子体的工序。等离子体处理方法进一步包括在接续第1期间的第2期间，停止供应源自高频电源的高频电力的工序。等离子体处理方法进一步包括在接续第2期间的第3期间，将负极性的直流电压从偏置电源施加到基板支承器的工序。在第3期间，未供应高频电力。在第3期间，将负极性的直流电压设定为利用二次电子在腔室内生成离子，该二次电子通过使腔室内的离子碰撞基板而释放。
等离子体处理方法装置

[发明专利]基板处理方法和基板处理装置-CN202011544996.4在审
发明人： 久保田绅治;永关一也;横田聪裕;玉虫元 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2018-11-07 - 公布日： 2021-04-06 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明提供一种基板处理方法和基板处理装置，能够向开口的深部供给离子。基板处理方法包括以下工序：从位于基板处理装置的腔室主体内的电子束发生器向该基板处理装置的腔室主体内的内部空间供给具有第一能量的电子，以使电子附着于被供给到所述内部空间的处理气体中的分子来生成负离子；以及向支承台的电极施加正极性的偏压，以将所述负离子向基板吸引，所述支承台在所述内部空间中支承被载置在该支承台上的所述基板。
处理方法装置

[发明专利]等离子体处理装置和处理方法-CN202010855272.5在审
发明人： 久保田绅治;青田雄嗣;舆水地盐 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2020-08-24 - 公布日： 2021-03-05 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明提供等离子体处理装置和处理方法。等离子体处理装置包括：载置基片的第一电极；用于生成等离子体的等离子体生成源；对第一电极供给偏置功率的偏置电源；对等离子体生成源供给频率比偏置功率高的生成源功率的生成源电源；和控制偏置电源和生成源电源的控制部，生成源功率具有第一状态和第二状态，控制部进行控制，使得与跟偏置功率的高频的周期同步的信号、或者基准电气状态的一个周期内的相位同步地交替施加第一状态和第二状态，其中基准电气状态表示在偏置功率的供电系统中测量出的电压、电流或者电磁场中任一者，并且，控制部在至少基准电气状态的一个周期内的相位的负侧峰值时将生成源功率控制为关断。本发明能够控制离子能分布。
等离子体处理装置方法

[发明专利]基板处理方法和基板处理装置-CN201811317768.6有效
发明人： 久保田绅治;永关一也;横田聪裕;玉虫元 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2018-11-07 - 公布日： 2021-01-12 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明提供一种基板处理方法和基板处理装置，能够向开口的深部供给离子。在一个实施方式的基板处理方法中使用基板处理装置。基板处理装置具有腔室主体、支承台以及电子束发生器。在腔室主体中提供内部空间。支承台构成为支承被载置在该支承台上的基板。支承台具有电极。在支承台上载置有基板的状态下执行基板处理方法。在基板处理方法中，从电子束发生器向内部空间供给具有第一能量的电子，以使电子附着于被供给到内部空间的处理气体中的分子来生成负离子。向支承台的电极施加正极性的偏压，以将负离子向基板吸引。
处理方法装置

[发明专利]控制方法和等离子体处理装置-CN201980017588.2在审
发明人：舆水地盐;平野太一;早坂彻;久保田绅治;丸山幸儿;道菅隆 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2019-06-12 - 公布日： 2020-11-03 - 主分类号： H05H1/46 文献下载
摘要：本发明提供控制方法和等离子体处理装置。一种具有载置被处理体的第一电极的等离子体处理装置的控制方法，其包括：对上述第一电极供给偏置功率的步骤；和将具有比上述偏置功率高的频率的生成源功率供给到等离子体处理空间的步骤，上述生成源功率具有第一状态和第二状态，上述控制方法包括第一控制步骤，该第一控制步骤与基准电气状态的一周期内的相位同步地交替施加上述第一状态和上述第二状态，其中上述基准电气状态表示由上述偏置功率的供电系统测量出的电压、电流或电磁场的任一者。
控制方法等离子体处理装置

[发明专利]等离子体处理方法及等离子体处理装置-CN201980017894.6在审
发明人：道菅隆;久保田绅治;舆水地盐 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2019-06-10 - 公布日： 2020-10-27 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：在本发明示例性实施例的等离子体处理方法中，在第一期间中执行第一等离子体处理，在接着第一期间的第二期间中，执行第二等离子体处理。在第一期间和第二期间内，用于偏压的第一高频功率被连续地供给到下部电极。在第一期间内的第一高频功率的各周期内的第一部分期间内，能够以脉冲状的高频功率来供给用于产生等离子体的第二高频功率。在第二期间内的第一高频功率的各周期内的第二部分期间内，能够以脉冲状的高频功率来供给第二高频功率。
等离子体处理方法装置

[发明专利]控制方法和等离子体处理装置-CN201980017608.6在审
发明人：舆水地盐;久保田绅治;丸山幸儿;道菅隆;永海幸一 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2019-07-17 - 公布日： 2020-10-23 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：本发明提供一种具有能够载置被处理体的第一电极和与所述第一电极相对的第二电极的等离子体处理装置的控制方法，其具有：向所述第一电极供给偏置功率的步骤；和向所述第二电极供给负直流电压的步骤，所述负直流电压周期性地反复取第一电压值的第一状态和取绝对值小于所述第一电压值的第二电压值的第二状态，所述控制方法包括第一控制步骤，在与所述偏置功率的高频周期同步的信号的各周期内的部分期间，或者在所述偏置功率的传输路径上所测量的周期性地变动的参数的各周期内的部分期间施加所述第一状态的所述负直流电压，且与所述第一状态相连续地施加所述第二状态的所述负直流电压。
控制方法等离子体处理装置

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