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[发明专利]一种GaAs基高电子迁移率晶体管材料及其制备方法-CN201810660416.4有效
发明人：张杨;曾一平 -专利权人： 中科芯电半导体科技（北京）有限公司
申请日： 2018-06-25 - 公布日： 2021-09-28 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明公开了一种GaAs基高电子迁移率晶体管材料及其制备方法，该器件包括GaAs衬底、GaAs缓冲层、InGaAs沟道层、n‑AlGaAs蚀刻停止层、N+GaAs帽层，其特征在于，所述GaAs缓冲层采用的生长温度是低温。制备方法是在GaAs衬底上低温条件下生长一层GaAs缓冲层；然后再在GaAs缓冲层上继续依次生长高电子迁移率晶体管有源区结构：InGaAs沟道层、n‑AlGaAs蚀刻停止层、N+GaAs帽层。本发明通过生长低温GaAs缓冲层取代原有的缓冲层，目的是避免在高电子迁移率晶体管结构的缓冲层处形成平行电导，从而在器件工作时产生缓冲层漏电现象，这样可以提高器件的最大工作频率，同时有效地降低器件的阈值电压。
一种 gaas 电子迁移率晶体管材料及其制备方法

[发明专利]应用于VCSEL结构外延片的光致发光测试的逐层刻蚀方法及其VCSEL结构外延片-CN201811563848.X有效
发明人：张杨;李弋洋 -专利权人： 中科芯电半导体科技（北京）有限公司
申请日： 2018-12-20 - 公布日： 2021-09-28 - 主分类号： G01N1/32 文献下载
摘要：本发明公开了应用于VCSEL结构外延片的光致发光测试的逐层刻蚀方法及其VCSEL结构外延片，逐层刻蚀方法包括以下步骤：(1)在VCSEL结构外延片的上方放置一个激光器，使所述激光器的出射光对准VCSEL结构外延片；(2)调节所述激光器照射在所述VCSEL结构外延片上的光斑直径为1.5‑2.5mm，调节所述激光器的输出功率为500W；(3)所述激光器对所述VCSEL结构外延片进行激光刻蚀，待所述VCSEL结构外延片的刻蚀深度到达3‑5μm后，停止激光刻蚀。VCSEL结构外延片，所述VCSEL结构外延片上的刻蚀区域是直径为1.5‑2.5mm的圆形，所述VCSEL结构外延片的刻蚀深度为3‑5μm。
应用于 vcsel 结构外延光致发光测试刻蚀方法及其

[发明专利]一种用于光致发光测试的VCSEL结构外延材料结构及制备方法-CN201811564308.3有效
发明人：张杨;李弋洋 -专利权人： 中科芯电半导体科技（北京）有限公司
申请日： 2018-12-20 - 公布日： 2021-07-20 - 主分类号： H01S5/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于光致发光测试的VCSEL结构外延材料结构，所述结构包括经过裁剪的VCSEL结构外延材料样品，蓝膜和基底，所述VCSEL结构外延样品直立设置，且通过蓝膜粘贴固定在基底上。本发明还提供了一种上述VCSEL结构外延材料结构的制备方法。本发明提供的一种用于光致发光测试的VCSEL结构外延材料结构及制备方法，通过对VCSEL结构外延材料的裁剪并采用通过蓝膜将其固定在基底上的形式，解决了VCSEL结构外延材料因厚度较厚无法直接进行光致发光测试的问题。
一种用于光致发光测试 vcsel 结构外延材料制备方法

[发明专利]改善低掺杂浓度材料表面欧姆接触的方法及材料-CN201811137925.5有效
发明人：张杨;李弋洋 -专利权人： 中科芯电半导体科技（北京）有限公司
申请日： 2018-09-28 - 公布日： 2021-03-23 - 主分类号： H01L21/285 文献下载
摘要：本发明公开了改善低掺杂浓度材料表面欧姆接触的方法及表面生长Ga金属的低掺杂浓度材料，改善低掺杂浓度材料表面欧姆接触的方法，包括以下步骤：(1)在低掺杂浓度材料表面上外延生长镓金属，镓金属覆盖在低掺杂浓度材料表面上呈圆形薄膜层；(2)将表面生长镓金属的低掺杂浓度材料在氮气气氛下进行退火，使镓金属与低掺杂浓度材料形成欧姆接触。表面生长Ga金属的低掺杂浓度材料，所述低掺杂浓度材料的表面上覆盖呈直径为0.6‑1.5mm的圆形Ga金属薄膜层，所述低掺杂浓度材料上有6‑15μm厚的Ga金属。所述低掺杂浓度材料为III‑V族化合物半导体材料。
改善掺杂浓度材料表面欧姆接触方法

[发明专利]一种增大自旋轨道耦合的方法和自旋晶体管-CN202010050900.2有效
发明人：张杨;崔利杰 -专利权人： 中科芯电半导体科技（北京）有限公司
申请日： 2020-01-17 - 公布日： 2020-08-21 - 主分类号： H01L21/335 文献下载
摘要：本发明公开了一种增大自旋轨道耦合的方法和晶体管，该方法是采用分子束外延或金属有机化学气相沉积的方式，在晶体管InxGa1‑xAs量子阱沟道层中使In组分的含量线性渐变增加，相应的，Ga组分的含量线性渐变减少。所述晶体管包括InP衬底，以及自InP衬底上依次外延生长的InAlAs缓冲层、InxGa1‑xAs量子阱沟道层、InAlAs空间隔离层、Si delta掺杂层、InAlAs势垒层和InGaAs帽层，其中，所述InxGa1‑xAs量子阱沟道层中In组分线性渐变增加。通过使用沟道线性In组分渐变来增大半导体材料（晶体管）中的自旋轨道耦合，能更好地调控自旋这个参量，为未来具有自旋轨道耦合的半导体材料能够投入到实际应用做好铺垫。
一种增大自旋轨道耦合方法晶体管

[实用新型]一种应用于高电子迁移率晶体管的缓冲层结构和材料结构-CN201921265321.9有效
发明人：张杨;李弋洋 -专利权人： 中科芯电半导体科技（北京）有限公司
申请日： 2019-08-05 - 公布日： 2020-04-17 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种应用于高电子迁移率晶体管的缓冲层结构和高电子迁移率晶体管材料结构，在与外延InSb HEMT大失配的Si衬底上生长多层缓冲层结构以缓解晶格失配产生的应力，并在衬底上依次构造第一InAlSb缓冲层、InAlSb‑Be电子隔离层、第二InAlSb缓冲层和InAlSb/InSb超晶格(SL)缓冲层，这样生长的缓冲层结构既起到了缓解衬底与外延层之间的晶格失配的作用，又作为电子阻挡层避免了Si衬底作为施主杂质进入InAlSb产生自由电子进入InSb量子阱导电层，影响器件载流子迁移率以及器件响应速度。
一种应用于电子迁移率晶体管缓冲结构材料

[发明专利]一种制作InSb红外探测器的材料结构及其制备方法-CN201910074399.0在审
发明人：张杨;赵晓蒙 -专利权人： 中科芯电半导体科技（北京）有限公司
申请日： 2019-01-25 - 公布日： 2019-05-28 - 主分类号： H01L31/105 文献下载
摘要：本发明公开了一种制作InSb红外探测器的材料结构及其制备方法，该材料结构包括衬底、以及在衬底上依次生长的防漏电缓冲层、n型InSb重掺杂层、InSb本征吸收层、p型InSb轻掺杂层、p型AlInSb势垒层和p型InSb重掺杂层。制备方法是在衬底上采用MBE的方法依次生长防漏电缓冲层、n型InSb重掺杂层等。本发明通过防漏电缓冲层减少了InSb的缺陷密度和漏电流，采用p型重掺杂势垒层，降低了InSb红外探测器的在反偏电压下的暗电流和工作时的噪声电流，提高了探测率和最高工作温度。
红外探测器材料结构重掺杂层防漏电缓冲层衬底制备势垒层本征吸收层反偏电压轻掺杂层噪声电流生长暗电流漏电流探测率制作

[发明专利]一种多霍尔测试样品的测试夹具、测试控制器及测试方法-CN201811586561.9在审
发明人：张杨;李弋洋 -专利权人： 中科芯电半导体科技（北京）有限公司
申请日： 2018-12-25 - 公布日： 2019-04-30 - 主分类号： G01R1/04 文献下载
摘要：本发明涉及一种多霍尔测试样品的测试夹具、测试控制器及测试方法。该夹具连接于霍尔效应测试仪，夹具上设有多块焊盘，每块焊盘上焊接有一个测试电极对应用于测试一个样品。测试控制器通过金属导线与上述测试夹具的焊盘连接；控制器内部有与焊盘个数对应的4进4出继电器，每个继电器对应用于测试夹具上的一块样品。当测试一个样品时，夹持该样品的焊盘对应连接的测试控制器内继电器吸合，其余继电器断开，此时对该样品进行测试；当测试另一样品时，夹持该另一样品的焊盘对应连接的测试控制器内继电器吸合，其余继电器断开，此时对该另一样品进行测试。以往4块MBE生长GaAs基本征GaAs结构样品霍尔效应测试需2小时，目前仅1小时即可。
焊盘测试控制器测试测试夹具夹具继电器断开继电器吸合测试样品霍尔效应霍尔夹持继电器测试电极结构样品金属导线控制器测试仪多块焊接电器生长

[发明专利]一种应用于VCSEL中的DBR生长方法、分布式布拉格反射镜和垂直腔面发射激光器-CN201811153652.3在审
发明人：张杨;崔利杰 -专利权人： 中科芯电半导体科技（北京）有限公司
申请日： 2018-09-30 - 公布日： 2019-03-12 - 主分类号： H01S5/187 文献下载
摘要：本发明提供了一种应用于VCSEL中的DBR生长方法、分布式布拉格反射镜和垂直腔面发射激光器，通过周期性调节DBR反射镜界面处的掺杂浓度，即通过delta重掺杂以增大隧道效应形成的隧道电流，可以减小相应的串联电阻。随着掺杂浓度的增加，周期性掺杂反射镜的总串联电阻显著降低，并且减小了同型异质结表面耗尽层的厚度。这些异质结表面对应着DBR中光驻波的结点(node)，由于这些重掺杂区域的光密度低，所以自由载流子吸收不大。因此，周期掺杂反射镜拥有低电阻和高反射率。
垂直腔面发射激光器分布式布拉格反射镜掺杂串联电阻反射镜异质结减小重掺杂区域周期性调节自由载流子表面耗尽高反射率隧道电流隧道效应周期掺杂生长低电阻光驻波界面处重掺杂结点应用吸收

[发明专利]赝配高电子迁移率晶体管的外延材料及赝配高电子迁移率晶体管-CN201810587096.4在审
发明人：杨秋旻;张杨;曾一平 -专利权人： 中科芯电半导体科技（北京）有限公司
申请日： 2018-06-06 - 公布日： 2018-11-13 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明公开了一种赝配高电子迁移率晶体管的外延材料，选用半绝缘GaAs作为衬底层，在所述衬底层上依次逐层生长GaAs缓冲层、AlGaAs/GaAs超晶格层、未掺杂的AlGaAs层、第一掺杂层、第一AlGaAs隔离层、InGaAs沟道层、第二AlGaAs隔离层、第二掺杂层、AlGaAs势垒层、掺杂帽层，InGaAs沟道层包括依次逐层生长的第一InGaAs沟道层、第二InGaAs沟道层和第三InGaAs沟道层，第一InGaAs沟道层和第三InGaAs沟道层中的In组分均小于第二InGaAs沟道层中的In组分。本发明能够减少电子迁移率受界面散射的影响和降低中间InGaAs沟道层中由于晶格失配而产生晶体缺陷的风险。本发明还提供了一种具有上述外延材料的赝配高电子迁移率晶体管。
沟道层赝配高电子迁移率晶体管外延材料掺杂层衬底层隔离层电子迁移率超晶格层晶格失配晶体缺陷半绝缘势垒层未掺杂散射生长帽层掺杂

[发明专利]一种应用在垂直腔面发射激光器中的分布式布拉格反射镜-CN201810661371.2在审
发明人：崔利杰;张杨;曾一平 -专利权人： 中科芯电半导体科技（北京）有限公司
申请日： 2018-06-25 - 公布日： 2018-10-02 - 主分类号： H01S5/183 文献下载
摘要：本发明公开了一种应用在垂直腔面发射激光器中的分布式布拉格反射镜，采用二元数字合金GaAs/AIAs超晶格材料作为高折射率材料层，形成一种新型的二元数字合金GaAs/AIAs半导体超晶格型分布式布拉格反射镜DBR，在上述结构的DBR反射镜中，由于二元数字合金GaAs/AIAs超晶格材料的引入省去了异质界面的组分过渡层,简化了器件的结构设计,使得外延生长过程中对生长参数更易控制，同时由于超晶格各层的厚度与电子的德布洛意波长在同一数量级,使载流子通过隧道效应形成的隧道电流增强从而有利于DBR反射镜获得较低的串联电阻。
分布式布拉格反射镜二元数字垂直腔面发射激光器合金超晶格材料载流子高折射率材料层半导体超晶格外延生长过程串联电阻生长参数隧道电流隧道效应超晶格过渡层波长异质应用引入

[实用新型]一种半导体设备的系统安装辅助工具-CN201720324799.9有效
发明人：杨秋旻;李弋洋;张杨;曾一平 -专利权人： 中科芯电半导体科技（北京）有限公司
申请日： 2017-03-30 - 公布日： 2018-02-27 - 主分类号： F16M11/06 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种半导体设备的系统安装辅助工具，用于分子束外延设备的源炉安装，其特征在于该安装辅助工具包括设备支撑底座，该底座包括基础底座、底座万向移动装置和垂直于地面的升降平台；角度调整机构，该角度调整机构包括三角形支架和角度调整轴，该三角形支架安装在设备支撑底座上，在三角形支架的顶端固定有角度调整轴，该角度调整轴可以调节源炉的俯仰角并具有第一锁紧装置，该第一锁紧装置可以在任意位置对源炉进行角度锁紧；源炉固定装置，包括源炉固定托架，该托架可拆卸地与角度调整轴安装在一起，用于承载源炉。
一种半导体设备系统安装辅助工具

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