专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种可调节输出电压变化率的脉冲源及调节方法-CN202310757353.5在审
  • 罗皓泽;左璐巍;蒙慧;辛振;周泽;吴强;严辉强 - 浙江大学;河北工业大学
  • 2023-06-26 - 2023-09-08 - H03K3/57
  • 本发明公开了一种可调节输出电压变化率的脉冲源及调节方法,包括两个开关器件、待测器件、高压采样单元、主控单元和可变电压驱动单元;所述开关器件串联组成半桥结构,两端分别连接母线电压和功率地或者分别连接直流高压源正负极;所述待测器件与开关器件并联;所述高压采样电路输入端连接半桥中点,所述可变电压驱动单元的一侧与主控单元连接,所述可变电压驱动单元的另一侧分别与开关器件的栅极;所述高压采样电路向主控单元输出与待测器件的半桥中点电压成正比的电压信号;所述可变电压驱动单元接收来自主控单元的两路PWM信号,并向主控单元返回栅极电压信号。本发明可以实现脉冲源可控稳定输出,具有良好的稳定性。
  • 一种调节输出电压变化脉冲方法
  • [发明专利]一种用于SiC MOSFET高场强应力可靠性测试的脉冲源-CN202310421159.X在审
  • 罗皓泽;左璐巍;蒙慧;吴强;严辉强;李武华 - 浙江大学
  • 2023-04-19 - 2023-07-21 - G01R1/28
  • 本发明公开了一种用于SiCMOSFET高场强应力可靠性测试的脉冲源,包括主开关电路、高压模块、驱动电路和辅助电源;所述主开关电路分别与高压模块和驱动电路连接,所述驱动电路与辅助电源连接;所述高压模块为主开关电路提供足够功率的高压;所述辅助电源用于向驱动电路提供各类所需电压;所述驱动电路为主开关电路提供足够功率的栅极驱动信号;所述主开关电路承受所述高压模块输出的高压,根据所述驱动电路输出的栅极驱动信号进行开关动作,输出指定的高压脉冲波形。本发明可以为SiCMOSFET高场强应力可靠性测试施加高达数千伏,且电压变化率大的漏源电压,而且电压脉冲波形可控,具有体积小、高耐压驱动简单、高功率密度的优点。
  • 一种用于sicmosfet场强应力可靠性测试脉冲
  • [发明专利]一种可实现自动重复浪涌的浪涌测试方法-CN202111682975.3在审
  • 罗皓泽;崔瑞杰;康建龙;严辉强 - 浙江大学杭州国际科创中心
  • 2021-12-31 - 2022-04-12 - G01R31/26
  • 本发明公开了一种可实现自动重复浪涌的浪涌测试方法,包括以下内容:将需要被测试的功率半导体器件放置在测试台上,使被测器件和浪涌测试平台的浪涌电流输出端安全可靠连接,然后设置浪涌周期数目、两次浪涌测试的间隔时间以及浪涌电流的幅值和周期。在浪涌测试期间,测量被测器件的源漏电压和浪涌电流,在浪涌测试前和浪涌测试后测量各个电极间的电阻、转移特性曲线等电学参数。遭受浪涌电流冲击的被测器件的电学特性通常会发生变化,根据所测量的电学参数的变化来判断器件是否失效以及器件性能的退化程度。本发明解决了传统的以LC振荡原理为基础的浪涌测试平台仅能进行单次浪涌测试的问题,通过选择合适的开关器件以及设计合理的浪涌电流发生电路得到了能够实现自动重复浪涌的测试平台。
  • 一种实现自动重复浪涌测试方法
  • [发明专利]一种SiC MOSFET功率循环测试电路及其控制方法-CN202111683278.X在审
  • 罗皓泽;吴强;陈宏;崔瑞杰;康建龙;严辉强 - 浙江大学杭州国际科创中心
  • 2021-12-31 - 2022-04-12 - G01R31/26
  • 本发明公开了一种SiC MOSFET功率循环测试电路及其控制方法,所提测试电路包括旁路开关AS,负载电流源Iload,被测器件Q1_1~Qm_n,支路二极管D1~Dm,驱动电阻R1_1~Rm_n,开关S1_1~Sm_n和IS1_1~ISm_n,小电流源I1_1~Im_n。所提控制方法采用轮巡结温测量方法,每个功率循环测试周期对支路上一个器件的结温和阈值电压进行监测,解决了串联支路上各个器件由于测量结温顺序的差异导致测量结果误差的问题。本发明所提电路结构可以实现在SiC MOSFET功率循环测试中对被测器件阈值电压和温度的在线监测,所提阈值电压测量方法无需增加额外电流源,实现简单。所提控制方法可以实现串联支路上各个被测器件极限温度(最高结温和最低结温)的精确测量。
  • 一种sicmosfet功率循环测试电路及其控制方法
  • [发明专利]一种高压功率MOSFET器件的SPICE建模方法-CN202111683456.9在审
  • 罗皓泽;叶朔煜;吴强;严辉强 - 浙江大学杭州国际科创中心
  • 2021-12-31 - 2022-04-12 - G06F30/367
  • 本发明公开了一种高压功率MOSFET器件的SPICE建模方法,包括以下步骤:S1、根据器件测量得到的静态特性,采用BSIM3内核,在内核的基础上引入随漏源电压Vds改变的压控电阻进行参数拟合,获取器件的静态特性参数;S2、根据器件测量得到的C‑V特性进行函数拟合,其中栅源电容Cgs采用二次函数和一次函数分段拟合,栅漏电容Cgd采用幂函数和一次函数进行分段拟合,漏源电容Cds在二极管LEVEL 1模型的基础上进行补偿,获取器件的动态特性参数;S3、根据拟合得到的器件静态特性参数和动态特性参数,以SPICE建模语言导入仿真软件中,建立器件的SPICE仿真模型;采用本发明提出的方法建立的SPICE仿真模型能够较好地拟合高压MOSFET器件的静态特性和动态特性,具有广泛的适用性。
  • 一种高压功率mosfet器件spice建模方法
  • [发明专利]一种高压降模块化直流电源及其控制方法-CN202010576368.8有效
  • 李楚杉;祝琳;任晟道;严辉强;盛景;李武华;杨欢;何湘宁 - 浙江大学
  • 2020-06-22 - 2021-08-10 - H02M3/158
  • 本发明公开了一种高压降模块化直流电源及其控制方法,属于电力电子技术领域,包含上模块化级联电路组串,下模块化级联电路组串,负载和输入源;其中,上、下模块化级联电路组串分别包含i个上子模块电路和j个下子模块电路。模块电路组合方式包括:上模块组串级联,下模块组串级联,上、下模块组串混合级联。所述电源通过模块化级联组成高压直流输入,低压直流输出的高降压比电源。所述电源各子模块之间不需要同步控制信号,无需中央控制器即可实现电源输入串联电容的电压均分,因此各子模块控制策略非常简单。所述电源可以灵活拓展电压和功率等级,适用于中压或高压直流输入场合的辅助电源应用。
  • 一种高压模块化直流电源及其控制方法

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