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[发明专利]磁盘装置及记录型式的变更方法-CN202210048521.9在审
发明人：友田悠介 -专利权人：株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社
申请日： 2022-01-17 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： G11B5/40 文献下载
摘要：提供能够提高可靠性的磁盘装置及记录型式的变更方法。本实施方式的磁盘装置具备：盘；头，其具有从所述盘读取数据的读取头、向所述盘写入数据的写入头以及产生提高所述写入头的写入性能的能量的辅助元件；以及控制器，其对第1记录型式和与所述第1记录型式不同的第2记录型式进行选择来加以执行，根据所述辅助元件的辅助效果，对所述第1记录型式和所述第2记录型式中的任一方进行选择来加以执行。
磁盘装置记录型式变更方法

[发明专利]半导体制造装置及其使用方法-CN202210127973.6在审
发明人：中川启治 -专利权人：株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社
申请日： 2022-02-11 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：实施方式提供容易进行切割条件的最优化以及拾取条件的最优化的半导体制造装置及其使用方法。实施方式的半导体制造装置具备：台，具有上表面，该上表面载置环状框架，该环状框架具有利用粘接部件固定有基板的第一开口部，所述台具有多个第一贯通孔与多个第二贯通孔，该多个第一贯通孔沿上下方向贯通台，沿与上表面平行的第一方向排列设置，该多个第二贯通孔设于多个第一贯通孔的各个之间，沿上下方向贯通台；以及设于台之上的容器，具有第二开口部与接头，该第二开口部设于容器的下部，具有比第一开口部的第一内径大的第二内径，能够与环状框架紧贴，该接头能够连通容器的外部与容器的内部。
半导体制造装置及其使用方法

[发明专利]半导体装置的模拟方法、模拟装置、模拟程序产品及数据结构-CN202210888697.5在审
发明人：山本洋;长谷川光平;原琢磨 -专利权人：株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社
申请日： 2022-07-27 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： G06F30/3308 文献下载
摘要：实施方式提供能够提高精度的半导体装置的模拟方法、半导体装置的模拟装置、半导体装置的模拟程序产品及数据结构。实施方式的模拟方法是半导体装置的模拟方法。半导体装置包含第一电极、第二电极、配置于第一电极与第二电极之间的半导体部分、配置于半导体部分内的绝缘部件、配置于绝缘部件内的第三电极以及在绝缘部件内配置于第一电极与第三电极之间的第四电极。半导体部分包含与第一电极连接的第一导电型的第一半导体层、与第二电极连接的第一导电型的第二半导体层以及与第一半导体层及第二半导体层相接的第二导电型的第三半导体层。使连接在第二电极与第四电极之间的第一电阻的值根据第一电极与第二电极之间的第一电压的值而变化。
半导体装置模拟方法程序产品数据结构

[发明专利]盘装置-CN202210106820.3在审
发明人：河合游 -专利权人：株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社
申请日： 2022-01-28 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： G11B5/105 文献下载
摘要：提供能够降低在传感器的检测结果中产生的噪声的盘装置。一个实施方式的盘装置具备磁盘、磁头、壳体、第1基板及传感器。所述磁头构成为对所述磁盘读写信息。所述壳体具有壁，设置有容纳有所述磁盘及所述磁头的容纳空间和贯通所述壁而与所述容纳空间连通的孔。所述第1基板安装于所述壁，堵住所述孔。所述传感器安装于所述第1基板。
装置

[发明专利]半导体装置-CN202210139931.4在审
发明人：松下宪一;北川光彦 -专利权人：株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社
申请日： 2022-02-16 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体装置，能够减少损失。实施方式的半导体装置具备：第1电极；第1半导体层，设置在二极管区域，包括在沿着第1电极的上表面的第1方向上交替地排列的第1导电形的多个第1半导体部分以及第2导电形的多个第2半导体部分；上述第2导电形的第2半导体层，设置在IGBT区域；以及上述第1导电形的第3半导体层，设置在上述第1半导体层上，在从上述第1电极朝向上述第1半导体层的第2方向上杂质浓度成为最大的第1位置，与第3位置相同或者比上述第3位置靠下方，该第3位置是在上述第2方向上从上述第1电极的上表面分离了上述第1半导体部分的杂质浓度成为最大的第2位置与下端之间的距离的3倍长度的位置。
半导体装置

[发明专利]磁头及其制造方法、磁记录再现装置及其制造方法-CN202210104853.4在审
发明人：高桥干 -专利权人：株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社
申请日： 2022-01-28 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： G11B5/31 文献下载
摘要：本发明提供减少由与磁记录介质的接触引起的损伤的磁头及其制造方法、磁记录再现装置及其制造方法。实施方式的磁头具有保护层，保护层在元件部是磁记录元件部时，包括磁记录元件突出部上的第1区域及磁记录元件屏蔽部上的第2区域，第1区域和第2区域是同一平面，或者第1区域比第2区域凹陷，在元件部是磁再现元件部时，包括磁再现元件突出部上的第3区域及磁再现元件屏蔽部上的第4区域，第3区域和第4区域是同一平面，或者第3区域比第4区域凹陷。
磁头及其制造方法记录再现装置

[发明专利]电源电路-CN202210215439.0在审
发明人：郑增广 -专利权人：株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社
申请日： 2022-03-07 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： G05F1/56 文献下载
摘要：实施方式的电源电路具有：第1晶体管，其导通、截止根据被供给到栅极的控制信号来控制，输出对预定电压进行了跟随的输出电压；第2晶体管，其电流路径的一端连接于供给电源电压的输入端子，另一端连接于电阻的一端，根据所述控制信号输出所述预定电压；以及放大器电路，其对基准电压与经由所述电阻的另一端而输入的所述预定电压的电压差进行放大，并作为所述控制信号进行输出。
电源电路

[发明专利]电子设备-CN202210115933.X在审
发明人：高泽昌秀 -专利权人：株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社
申请日： 2022-02-07 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： H01R12/70 文献下载
摘要：本发明提供一种能够提高将连接器和基板结合的焊料的耐久性的电子设备。一个实施方式的电子设备具有壳体、基板、连接器、金属部件、螺钉、第一焊料和第二焊料。所述基板具有第一面和设置于所述第一面的金属制的区域，并设有在所述区域开口的第一孔和在所述第一面开口的第二孔。所述连接器设有第三孔。所述金属部件具有朝向所述区域的第二面和插入于所述第二孔的结合部，并设有在所述第二面开口并与所述第一孔和所述第三孔相连通的第四孔。所述螺钉穿过所述第三孔和所述第四孔而将所述连接器和所述金属部件安装于所述壳体。所述第一焊料使所述区域与所述第二面结合。所述第二焊料使所述第二孔的内面与所述结合部结合。
电子设备

[发明专利]功率放大装置-CN202210053341.X在审
发明人：山内明 -专利权人：株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社
申请日： 2022-01-18 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： H03F3/21 文献下载
摘要：实施方式提供能够提高动作可靠性的功率放大装置。一实施方式的功率放大装置(1)具有：多个输入端子被施加多个电压、输出第1输出信号(OUTP1)的第1放大器(A1)；多个输入端子被施加多个电压、输出第2输出信号(OUTM1)的第2放大器(A2)；输出第3信号(OUTPLIM1)和第4信号(OUTMLIM1)的第1电路(LIM1)，所述第3信号是限制了第1输出信号(OUTP1)的电压值的大小而得的信号，所述第4信号是限制了第2输出信号(OUTM1)的电压值的大小而得的信号；以及将第3信号(OUTPLIM1)的电压值和第4信号(OUTMLIM1)的电压值的平均值作为第1反馈电压(VCMFB1)而向第1放大器(A1)和第2放大器(A2)的第2电路(CMFB1)。
功率放大装置

[发明专利]印刷电路板-CN201811563161.6有效
发明人：伊见仁;冈野资睦;辻村俊博 -专利权人：株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社
申请日： 2018-12-20 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： H05K1/02 文献下载
摘要：本发明的一个实施方式提供一种抑制了高频带下的阻抗失配的印刷电路板。根据本实施方式，提供一种印刷电路板(100)，具备：基板(1)；第一地层(2)，设置于基板(1)的第一面(A)上，具有第一开口(a)；第一布线(4)，设置于第一地层(2)上方；第二地层(5)，设置于基板(1)的与第一面(A)相对的第二面(B)上，具有第二开口(b)；第二布线(7)，设置于第二地层(5)上方；以及第三布线(8)，贯通第一开口(a)和第二开口(b)之间的基板，对第一布线(4)和第二布线(7)进行连接，从与基板(1)的第一面(A)垂直的方向观察时，第三布线(8)设置在第一开口(a)内和所述第二开口(b)内。
印刷电路板

[发明专利]磁记录装置-CN202210070371.1在审
发明人：中川裕治;成田直幸;高岸雅幸;永泽鹤美;前田知幸 -专利权人：株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社
申请日： 2022-01-21 - 公布日： 2023-04-04 - 主分类号： G11B5/11 文献下载
摘要：提供能够实现记录密度的提高的磁记录装置。根据实施方式，磁记录装置包括磁头及控制部。磁头包括第1磁极、磁元件及线圈，磁元件包括磁性层。控制部与磁元件及线圈电连接。控制部能够向线圈供给记录电流且向磁元件供给元件电流。记录电流包括第1极性的第1期间、与第1极性不同的第2极性的第2期间、从第1期间向第2期间转变的第3期间及从第2期间向第1期间转变的第4期间。元件电流包括直流成分和交流成分。第1期间中的交流成分与第2期间中的交流成分、第3期间中的交流成分及第4期间中的交流成分相同。
记录装置

[发明专利]半导体制造装置-CN202210076949.4在审
发明人：稻田充郎 -专利权人：株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社
申请日： 2022-01-24 - 公布日： 2023-04-04 - 主分类号： C23C16/40 文献下载
摘要：提供原料的使用效率高的半导体制造装置。半导体制造装置具备：第一贮存容器，贮存第一原料，具有第一容器出口；反应室；第一流量控制机构，调整从第一容器出口向反应室输送的第一原料的流量，具有第一入口和第一出口；第一配管，将第一容器出口和第一入口连接，具有第一连接部；第二配管，将第一出口和反应室连接，具有第二连接部；第三配管，在第一连接部与第一配管连接，在第二连接部与第二配管连接；第一泵，从第二配管向第一配管输送第一原料，具有第一吸气口和第一排气口；第二流量控制机构，控制从第一泵向第一流量控制机构供给的第一原料的流量，具有第二入口和第二出口。
半导体制造装置

[发明专利]半导体装置-CN202210015164.6在审
发明人：河野洋志;大桥辉之;尾形昂洋 -专利权人：株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社
申请日： 2022-01-07 - 公布日： 2023-04-04 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：一种半导体装置，具备：第一电极；第二电极；栅极电极，沿第一方向延伸；以及碳化硅层，具有第一面和第二面，包括：第一导电型的第一碳化硅区，具有第一区、与栅极电极相向的第二区以及与第一电极相接的第三区；第二区与第三区之间的第二导电型的第二碳化硅区；第二导电型的第三碳化硅区，在与第二碳化硅区之间夹着第二区；第二导电型的第四碳化硅区，在与第二碳化硅区之间夹着第三区；第一导电型的第五碳化硅区；第二导电型的第六碳化硅区，设置于第一区与第二碳化硅区之间；以及第二导电型的第七碳化硅区，在第一区与第二碳化硅区之间，在第一方向上与第六碳化硅区分开地设置。
半导体装置

[发明专利]固体拍摄元件以及固体拍摄装置-CN202210078744.X在审
发明人：大木正幸 -专利权人：株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社
申请日： 2022-01-24 - 公布日： 2023-04-04 - 主分类号： H04N25/10 文献下载
摘要：实施方式提供能够抑制色偏的固体拍摄元件以及固体拍摄装置。根据本实施方式，固体拍摄元件具备沿着第1方向依次配置的多个像素。多个像素具有平面形状的光电变换部和与光电变换部的形状对应的、使特定波长范围的光通过的平面形状的滤光器。滤光器具有第1方向上的宽度针对与第1方向正交的第2方向而不同的形状。
固体拍摄元件以及装置

[发明专利]半导体装置-CN202211062889.7在审
发明人：山口翔;山本哲也 -专利权人：株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社
申请日： 2022-09-01 - 公布日： 2023-04-04 - 主分类号： H01L23/495 文献下载
摘要：提供一种半导体装置。在对半导体芯片接合大面积的铜连接器时，即使在不能充分确保与接合面的间隙的情况下，也抑制连接(接合)不良、焊料焊脚形成不良，实现钎焊连接部的可靠性的提高。实施方式的半导体装置具备：引线框；半导体芯片，其搭载于引线框；以及条带部件，其经由导电性粘接剂而与半导体芯片的电极连接；条带部件的连接面的外周缘的至少一部分在俯视的情况下与条带部件的最外周缘相比位于内侧。
半导体装置