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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]一种光伏电池的制造方法-CN201310500100.6有效
发明人： 丛国芳 -专利权人：溧阳市东大技术转移中心有限公司
申请日： 2013-10-22 - 公布日： 2014-02-19 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种光伏电池的制造方法，依次包括如下步骤：（1）提供基板；（2）在基板上依次形成第一透明导电层、非晶硅薄膜层、超晶格P型半导体层、第一非晶碳薄膜层、本征非晶硅半导体层；N型非晶硅半导体层；第二非晶碳薄膜层、第二透明导电层以及电极。
一种电池制造方法

[发明专利]一种n型外延衬底激光二极管的制造方法-CN201310500296.9有效
发明人： 丛国芳 -专利权人：溧阳市东大技术转移中心有限公司
申请日： 2013-10-22 - 公布日： 2014-02-19 - 主分类号： H01S5/042 文献下载
摘要：本发明公开了一种n型外延衬底激光二极管的制造方法，依次包括如下步骤：（1）在蓝宝石衬底上外延生长n-GaN外延衬底；（2）在n-GaN外延衬底上形成发光结构；（3）对所述发光结构进行刻蚀，从而将n-GaN外延衬底外围的发光结构去除，仅保留n-GaN外延衬底中部区域上的发光结构；（4）在n-GaN外延衬底的外围溅射形成n电极。
一种外延衬底激光二极管制造方法

[发明专利]一种高出光效率的垂直型发光二极管-CN201310514622.1有效
发明人： 丛国芳 -专利权人：溧阳市东大技术转移中心有限公司
申请日： 2013-10-26 - 公布日： 2014-02-19 - 主分类号： H01L33/36 文献下载
摘要：本发明公开了一种垂直型发光二极管的制造方法，依次包括如下步骤：（1）在底电极上依次形成第一底透明导电层、底粗化层和第二底透明导电层；（2）在第二底透明导电层上依次形成p型半导体层、半导体发光层和n型半导体层；（3）在n型半导体层上依次形成第一顶透明导电层、顶粗化层和第二顶透明导电层；（4）在第二顶透明导电层上形成顶电极。
一种高出光效率垂直发光二极管

[发明专利]一种减小界面层生长的方法-CN201310500494.5有效
发明人： 丛国芳 -专利权人：溧阳市东大技术转移中心有限公司
申请日： 2013-10-22 - 公布日： 2014-02-19 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明公开了一种减小界面层生长的方法，依次包括如下步骤：（1）在硅衬底上生长SiO2界面层；（2）在SiO2界面层上沉积高k栅介质层；（3）在高k栅介质层上沉积金属栅电极；（4）在金属栅电极上沉积一层氮化硅保护层；（5）离子注入形成源区和漏区；（6）对硅衬底进行预加热；（7）采用激光脉冲对源区和漏区进行退火；（8）去除氮化硅保护层，完成器件的制作。
一种减小界面生长方法

[发明专利]一种铁基非晶合金材料-CN201310500999.1有效
发明人： 丛国芳 -专利权人：溧阳市东大技术转移中心有限公司
申请日： 2013-10-22 - 公布日： 2014-02-19 - 主分类号： C22C38/32 文献下载
摘要：本发明公开了一种铁基非晶态合金材料，以重量百分比计，包括以下成分：Fe：89.6-92.4，Cr：0.08-0.19，Cu：0.02-0.05，Si：3.8-5.2，B：2.1-3.2，C：0.05-0.16，Ti：0.33-0.82。
一种铁基非晶合金材料

[发明专利]一种发光二极管打线电极-CN201310496884.X有效
发明人： 丛国芳 -专利权人：溧阳市东大技术转移中心有限公司
申请日： 2013-10-21 - 公布日： 2014-02-19 - 主分类号： H01L33/38 文献下载
摘要：本发明公开了一种发光二极管打线电极，所述发光二极管打线电极为正方形电极，其分为上下两部分，其中下部分电极为平坦电极，上部分电极为凸块粗化电极，所述凸块粗化电极的上表面和所有侧面具有粗化结构，该粗化结构的表面粗糙度在10nm以上、15nm以下。
一种发光二极管电极

[发明专利]一种双叠层电极的发光器件-CN201310499328.8有效
发明人： 丛国芳 -专利权人：溧阳市东大技术转移中心有限公司
申请日： 2013-10-22 - 公布日： 2014-02-19 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种双叠层电极发光器件，其特征在于：所述发光器件具有蓝宝石衬底；在蓝宝石衬底上依次具有低温缓冲层、n型掺杂层、多量子阱层、p型掺杂层、叠层p电极；其中n型掺杂层具有台阶结构，在台阶结构上具有叠层n电极；叠层p电极和叠层n电极具有相同的结构。
一种双叠层电极发光器件

[发明专利]一种有机发光二极管的阳电极-CN201310500097.8有效
发明人： 丛国芳 -专利权人：溧阳市东大技术转移中心有限公司
申请日： 2013-10-22 - 公布日： 2014-02-19 - 主分类号： H01L51/52 文献下载
摘要：本发明公开了一种有机发光二极管（OLED）的阳电极，所述阳电极为ITO阳电极，其由第一ITO层以及位于第一ITO层上的第二ITO层共同组成；其中，第一ITO层的厚度为ITO阳电极厚度的1/3-1/2，优选为1/3；第二ITO层的厚度为ITO阳电极厚度的1/2-2/3，优选为2/3。
一种有机发光二极管阳电

[发明专利]一种高出光效率的垂直型发光二极管的制造方法-CN201310497448.4有效
发明人： 丛国芳 -专利权人：溧阳市东大技术转移中心有限公司
申请日： 2013-10-21 - 公布日： 2014-02-19 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种高出光效率的垂直型发光二极管的制造方法，依次包括如下步骤：（1）形成底电极；（2）在底电极上形成底粗化层；（3）在底粗化层上形成底透明导电层；（4）在底透明导电层上形成p型半导体层；（5）在p型半导体层上形成半导体发光层；（6）在半导体发光层上形成n型半导体层；（7）在n型半导体层上形成顶透明导电层；（8）在顶透明导电层上形成顶粗化层；（9）在顶粗化层上形成顶电极。
一种高出光效率垂直发光二极管制造方法

[发明专利]一种n型衬底激光二极管-CN201310499248.2有效
发明人： 丛国芳 -专利权人：溧阳市东大技术转移中心有限公司
申请日： 2013-10-22 - 公布日： 2014-02-19 - 主分类号： H01S5/343 文献下载
摘要：本发明公开了一种n型衬底激光二极管，包括p-GaN衬底，其中，p-GaN衬底下具有p电极；在p-GaN衬底上依次具有p型界面层、发光层、n型界面层、n型注入层、n电极。
一种衬底激光二极管

[发明专利]一种p型衬底激光二极管的制造方法-CN201310500449.X有效
发明人： 丛国芳 -专利权人：溧阳市东大技术转移中心有限公司
申请日： 2013-10-22 - 公布日： 2014-02-19 - 主分类号： H01S5/34 文献下载
摘要：本发明公开了一种激光二极管的制造方法，所述方法依次包括如下步骤：（1）提供衬底；（2）在衬底上依次形成p型界面层、发光层、n型界面层、n型注入层和n电极；（3）在衬底下形成p电极。
一种衬底激光二极管制造方法

[发明专利]一种具有粗化表面的电极结构的制造方法-CN201310496745.7有效
发明人： 丛国芳 -专利权人：溧阳市东大技术转移中心有限公司
申请日： 2013-10-21 - 公布日： 2014-02-19 - 主分类号： H01L33/38 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有粗化表面的电极结构的制造方法，其特征在于，所述方法依次包括如下步骤：（1）形成底部平坦电极，（2）在底部平坦电极上蒸镀金属材料层，对该金属材料层进行图案化以形成第一金属电极和第三金属电极；（3）对第一金属电极和第三金属电极的上表面进行粗化处理，形成粗化层；（4）在第一金属电极和第三金属电极之间蒸镀金以形成第二金属电极。
一种具有表面电极结构制造方法

[发明专利]一种光伏电池-CN201310500099.7有效
发明人： 丛国芳 -专利权人：溧阳市东大技术转移中心有限公司
申请日： 2013-10-22 - 公布日： 2014-02-19 - 主分类号： H01L31/075 文献下载
摘要：本发明公开了一种光伏电池，自下而上依次包括：基板、第一透明导电层、非晶硅薄膜层、超晶格P型半导体层、第一非晶碳薄膜层、本征非晶硅半导体层；N型非晶硅半导体层；第二非晶碳薄膜层、第二透明导电层以及电极。其中超晶格P型半导体层由非晶硅材料层与非晶碳材料层在水平方向上相互间隔形成，所述非晶硅材料层与非晶碳材料层的宽度相等，厚度相同；非晶硅薄膜层、超晶格P型半导体层、第一非晶碳薄膜层所组成的三明治结构用于提高光伏电池的电特性与产生空穴。
一种电池

[发明专利]一种n型外延衬底激光二极管-CN201310500560.9有效
发明人： 丛国芳 -专利权人：溧阳市东大技术转移中心有限公司
申请日： 2013-10-22 - 公布日： 2014-02-19 - 主分类号： H01S5/343 文献下载
摘要：本发明公开了一种n型外延衬底激光二极管，包括蓝宝石衬底，在蓝宝石衬底上具有n-GaN外延衬底，在n-GaN外延衬底上具有发光结构;其中，所述发光结构设置于n型外延衬底的中部区域，该发光结构由下至上依次具有n型界面层、发光层、p型界面层、p型注入层以及p电极；n-GaN外延衬底的外围区域上具有n电极;其中，所述p型注入层为空穴注入层;所述n电极环绕所述发光结构；所述n电极的厚度不大于n型界面层的厚度，并且n电极与n型界面层之间具有空隙。
一种外延衬底激光二极管

[发明专利]一种磷酸铁锂电极材料-CN201310501218.0无效
发明人： 丛国芳 -专利权人：溧阳市东大技术转移中心有限公司
申请日： 2013-10-22 - 公布日： 2014-02-19 - 主分类号： H01M4/131 文献下载
摘要：本发明公开了一种磷酸铁锂电极材料，按照重量份计，具有如下组分：Li1-xRx+yFe1-yPO4为0-110份；金属化合物为15-25份；导电助剂为5-15份，Li1-xRx+yFe1-yPO4为在锂位和铁位都含有替位金属元素R的磷酸铁材料。
一种磷酸电极材料

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