“上野惠子”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果8个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]散热性芯片接合膜及切割-芯片接合膜-CN201880048265.5有效
发明人： 上野惠子;增子崇;管井颂太 -专利权人：株式会社力森诺科
申请日： 2018-07-13 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： H01L21/52 文献下载
摘要：本发明涉及散热性芯片接合膜，其是热导率为2W/(m·K)以上的散热性芯片接合膜，其含有莫氏硬度不同的2种以上的热导性填充物，切割工序中的刀片摩耗量为50μm/m以下；或者其含有莫氏硬度不同的2种以上的热导性填充物，热导性填充物的含量为20～85质量％。
散热芯片接合切割

[发明专利]半导体装置的制造方法及用于其的黏合剂-CN202180005952.0在审
发明人： 上野惠子;平理子;佐藤慎 -专利权人：株式会社力森诺科
申请日： 2021-08-06 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： C09J11/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体装置的制造方法，其中，第一及第二部件经由黏合层连接，且第一及第二部件的连接部彼此连接。该制造方法包括：暂时压接工序，对第一及第二部件经由用于形成黏合层的热固性黏合剂进行暂时压接而获得暂时压接体；暂时压接体加压工序，在加压气氛下对暂时压接体加压，而获得完成加压的暂时压接体；及正式压接工序，使完成加压的暂时压接体的第一及第二部件压接由此将连接部彼此连接而获得压接体。在暂时压接工序中，在低于连接部的熔点的温度下进行第一及第二部件的暂时压接。在暂时压接体加压工序中，在低于连接部的熔点的温度下进行暂时压接体的加压。在正式压接工序中，在连接部的熔点以上的温度下进行完成加压的暂时压接体的加热。
半导体装置制造方法用于黏合剂

[发明专利]半导体装置、半导体装置的制造方法和粘接剂-CN201780097759.8有效
发明人：本田一尊;柳田裕贵;上野惠子 -专利权人：株式会社力森诺科
申请日： 2017-12-18 - 公布日： 2023-07-21 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：本发明公开一种制造半导体装置的方法，其具备如下工序：使具有连接部的第一构件与具有连接部的第二构件通过热固性粘接剂在低于第一构件的连接部的熔点和第二构件的连接部的熔点的温度下进行压接，从而得到第一构件的连接部与第二构件的连接部相对配置的临时压接体的工序；将临时压接体夹在相对配置的一对挤压构件之间，一边加热至大于或等于第一构件的连接部或第二构件的连接部中至少一方的熔点的温度一边加压，从而得到压接体的工序；以及将压接体在加压气氛下进一步加热的工序。第一构件为半导体芯片或半导体晶片，第二构件为配线电路基板、半导体芯片或半导体晶片。
半导体装置制造方法粘接剂

[发明专利]制造半导体装置的方法及膜状黏合剂-CN202180058244.3在审
发明人： 上野惠子;佐藤慎 -专利权人：株式会社力森诺科
申请日： 2021-06-30 - 公布日： 2023-05-30 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：本发明公开一种制造半导体装置的方法，其中，带黏合剂的电路部件通过包括如下步骤的方法来准备：通过将具有半导体芯片或半导体晶圆和膜状黏合剂的层叠体加热至60～100℃并且加压30秒～10分钟，从而贴附于主面。膜状黏合剂在80℃下受到5分钟的热处理时，膜状黏合剂的80℃下的熔融粘度在热处理前为4000Pa·s以上且10000Pa·s以下，在热处理后为11000Pa·s以下。
制造半导体装置方法黏合剂

[发明专利]半导体用黏合剂、以及半导体装置及其制造方法-CN202080105009.2在审
发明人：秋吉利泰;上野惠子 -专利权人：株式会社力森诺科
申请日： 2020-09-16 - 公布日： 2023-05-30 - 主分类号： C09J163/00 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体用黏合剂，其为包含热塑性树脂、热固性树脂、固化剂及具有酸基的助熔剂化合物的半导体用黏合剂，其中，通过以10℃/分钟的升温速度对半导体用黏合剂进行加热的差示扫描热量测量而得到的DSC曲线的60至155℃的发热量为20J/g以下，通过以10℃/分钟的升温速度对半导体用黏合剂进行加热的剪切粘度测量而得到的粘度曲线的最低熔融粘度为2000Pa·s以上。
半导体黏合剂以及装置及其制造方法

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN201980058834.9在审
发明人： 上野惠子;本田一尊;小川刚;柳田裕贵 -专利权人：昭和电工材料株式会社
申请日： 2019-08-26 - 公布日： 2021-04-23 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：本发明所涉及的制造方法用于制造半导体装置，该半导体装置包括：第一部件，具有第一连接部且具有直线状延伸的边；第二部件，具有第二连接部；及胶黏剂层，配置于第一部件及第二部件之间。本发明的制造方法包括：层叠工序，准备依次层叠第一部件、胶黏剂层及第二部件而成的层叠体；及压接工序，在对层叠体沿厚度方向施加按压力的状态下，对层叠体照射用于加热的激光，在压接工序中，以从第一部件的边的一端的周缘部朝向另一端的周缘部依次形成激光照射部、激光非照射部及激光照射部的方式，对层叠体照射激光。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN201880025917.3在审
发明人：本田一尊;佐藤慎;上野惠子;小关裕太 -专利权人：日立化成株式会社
申请日： 2018-04-20 - 公布日： 2019-12-17 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：本发明涉及半导体装置及其的制造方法，所述半导体装置的制造方法具备下述工序：通过粘接剂将具有连接部的第一部件与具有连接部的第二部件在比第一部件的连接部的熔点及第二部件的连接部的熔点更低的温度下进行预压接，从而得到第一部件的连接部与第二部件的连接部相对配置的预压接体的工序，和将预压接体在利用气压进行加压的同时加热到第一部件的连接部或第二部件的连接部中的至少一个的熔点以上的温度，由此将相对配置的连接部彼此以电连接的方式进行接合的工序，其中，第一部件为半导体芯片或半导体晶片，第二部件为布线电路基板、半导体芯片或半导体晶片。
熔点预压半导体晶片半导体芯片半导体装置相对配置接体布线电路基板接合电连接粘接剂气压加热加压制造