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[实用新型]一种晶体管功率模块封装机-CN202222961182.1有效
发明人：陈绪奇;杨计成;张晓琴 -专利权人： 上海芯华睿半导体科技有限公司
申请日： 2022-11-08 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： H05K5/02 文献下载
摘要：本实用新型涉及功率模块封装机技术领域，且公开了一种晶体管功率模块封装机，包括：封装机本体；壳体，固定连接在封装机本体的右侧外壁，且正面开口设置；盖板，铰接在壳体的正面；卡接机构，设置在盖板和壳体上；卡接机构包括：L型块，固定连接在盖板的顶部；固定块，固定连接在壳体的顶部；卡槽一，开设在固定块的左侧；卡槽二，开设在L型块的右侧，且与卡槽一连通设；本实用新型通过将显示屏设置在壳体的内部，从而达到保护的目的，防止显示屏受到外力破坏，使用时，转动盖板，弧形块的弧面被挤压，从而进入卡槽二的内部，L型块解除限制，盖板就可以转动了，闭合时，稍微有点力按动盖板，即可使弧形块卡入卡槽一的内部，操作方便。
一种晶体管功率模块装机

[实用新型]一种用于功率器件的散热器及功率器件-CN202223029783.5有效
发明人：胡志平;王学合;张兴朝 -专利权人： 上海芯华睿半导体科技有限公司
申请日： 2022-11-15 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： H01L23/367 文献下载
摘要：本实用新型涉及散热器技术领域，且公开了一种用于功率器件的散热器，包括主体，所述主体一侧固定安装有安装框，所述安装框中部固定安装有隔板，所述安装框内部一侧设置有若干散热片，安装框内部与散热片相对一侧中部固定安装有若干半导体制冷板，所述半导体制冷板上固定安装有防护板。还公开了一种功率器件。该种用于功率器件的散热器及功率器件，通过设置的散热片和半导体制冷板，散热片会对主体产生的热量进行吸收排出达到散热目的，同时半导体制冷板通电，产生冷气，冷气会通过导孔对流到主体表面，辅助主体散热降温，从而实现对功率器件整体的快速散热，从而能够有效避免功率器件整体由于散热效果不好，导致温度过高而出现损坏情况发生。
一种用于功率器件散热器

[实用新型]1200V车规级晶圆防翘曲结构-CN202320682782.6有效
发明人：郑超 -专利权人： 上海芯华睿半导体科技有限公司
申请日： 2023-03-31 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种1200V车规级晶圆防翘曲结构，其特征在于，包括：多个第一沟槽区，形成在元胞区，每个第一沟槽区内形成有多个彼此平行布置的沟槽，第一沟槽区中的沟槽布置方向为第一方向；至少一个第二沟槽区，形成在元胞区，每个第二沟槽区内形成有多个彼此平行布置的沟槽，第二沟槽区中的沟槽布置方向为第二方向；其中，第一方向垂直于第二方向，第一方向是应力方向。本实用新型在器件元胞区改变沟槽的布局方向形成垂直应力方向的沟槽，用来平衡翘曲度。虽然复杂的第二沟槽区设计能够带来更好的防翘曲效果，但同时会增加制造成本。本实用新型提供的各种示例性结构可根据实际生产成本和需求选择。
1200 车规级晶圆防翘曲结构

[实用新型]150V车规级MOS结构-CN202320571170.X有效
发明人：郑超 -专利权人： 上海芯华睿半导体科技有限公司
申请日： 2023-03-22 - 公布日： 2023-07-28 - 主分类号： H01L23/373 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种150V车规级MOS结构，包括形成在半导体衬底上的终端环，多晶硅层上形成有源区和漏区以及位于源区和漏区之间，形成多晶硅层上的二氧化硅层和栅区，还包括：延伸沟槽由源区沟槽向两侧延伸且形成；散热金属层形成在侧的栅区远离源区一侧，且与顶层金属层不连通，其通过通孔连接延伸沟槽内的多晶硅并通过伪接触孔连接到地。当MOS有大电流通路产生热量时，芯片内部热量能够由延伸沟槽‑多晶硅‑通孔‑散热金属层这条散热通路迅速耗散，进而提高芯片高温下的散热性能和可靠性。
150 车规级 mos 结构

[实用新型]一种带散热装置的功率器件-CN202222827998.5有效
发明人：张兴朝;王学合;胡志平 -专利权人： 上海芯华睿半导体科技有限公司
申请日： 2022-10-26 - 公布日： 2023-04-28 - 主分类号： H05K7/20 文献下载
摘要：本实用新型涉及功率器件技术领域，且公开了一种带散热装置的功率器件，包括盒体，盒体的外壁两侧开设有通孔，防尘盖通过转轴活动安装于盒体外壁开设的通孔内壁，防尘网固定安装于盒体开设的通孔内壁，还包括散热机构二设置于盒体的内部，散热机构二，第一电磁铁固定安装于盒体的内壁，第一连接绳一端固定安装在盒体的内壁顶部，另一端向下延伸，第二电磁铁，固定安装于第一连接绳的延伸端，第二连接绳一端固定连接于第二电磁铁的内壁，功率器件功率增大时，使第一电磁铁磁力增大从而使第二电磁铁在相反的磁极情况下向前推动，从而使第二电磁铁上的推杆向前推动顶开盖板向前，从而使该装置进行更好的散热效果。
一种散热装置功率器件

[实用新型]一种IGBT并联压接结构-CN202222961203.X有效
发明人：朱宗修;张兴朝;王学合 -专利权人： 上海芯华睿半导体科技有限公司
申请日： 2022-11-08 - 公布日： 2023-04-28 - 主分类号： H01L23/32 文献下载
摘要：本实用新型涉及电子器件装配技术领域，且公开了一种IGBT并联压接结构，包括框体，所述框体的内部设置有放置板，所述放置板的顶部设置有IGBT并联机构，所述框体上设置有限位机构，所述限位机构包括夹板、固定杆、滑块、摆杆、弹簧、固定螺栓、移动块、连接板、调节螺栓、压板，所述夹板设置在框体的内部，且夹板的一侧开设有凹槽，所述固定杆固定连接在凹槽的内壁上。通过设置夹板、固定杆、滑块、摆杆、弹簧和固定螺栓能对IGBT并联机构的两侧进行固定限位，通过设置滑孔、移动块、连接板、调节螺栓和压板能对IGBT并联机构的顶部进行压紧，从而对IGBT并联机构的上下左右同时限位，使IGBT并联机构水平和竖直方向更加稳定。
一种 igbt 并联结构

[实用新型]IGBT模块焊接工装-CN202222616380.4有效
发明人：陈绪奇;王学合;胡志平 -专利权人： 上海芯华睿半导体科技有限公司
申请日： 2022-09-30 - 公布日： 2023-04-25 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种IGBT模块焊接工装，包括：上盖，其底部形成有多个可行变接触部，其能盖装在定位部顶部；定位部，其顶部形成有多个第一定位结构，其底部形成有多个第二定位结构；第一定位结构，其用于定位所述上盖与定位部之间的接触位置；第二定位结构，其用于定位所述定位部与被焊接产品之间的接触位置；热传导部，其顶部四角形成有第三定位结构，其内部形成有弧形热传导板。本实用新型能适配pinfin或falt冷却底弧度，避免冷却底板的两端和中间位置存在温度差造成受热不均匀，且能提高热传导效率，降低制造成本。
igbt 模块焊接工装

[发明专利]一种功率模块动态性能测试装置及系统-CN202211534050.9在审
发明人：王学合;陈绪奇;胡志平 -专利权人： 上海芯华睿半导体科技有限公司
申请日： 2022-12-01 - 公布日： 2023-04-11 - 主分类号： B65G15/30 文献下载
摘要：本发明涉及功率模块测试装置技术领域，且公开了一种功率模块动态性能测试装置，包括底座，底座上开设有装置槽，并设置有：输送机构包括：传送带装置一、传送带装置二依次固定安装在装置槽的内壁，且各自的皮带顶部均与底座的顶部在同一水平线上，利用传送带装置一、传送带装置二对模块进行上料和退料的输送，挡板固定安装在底座的顶部。通过中央处理器控制驱动模块对直线电机一的动子端进行控制位移，将IGBT功率模块放入传送带装置一的皮带上输送至U臂之间，并启动直线电机一，带动IGBT功率模块进入超声波扫描仪中，通过扫描作业在显示屏上观察并记录扫描数据，对模块硬件进行检测，针对封装密封性做出测试评估。
一种功率模块动态性能测试装置系统

[实用新型]一种功率模块封装结构-CN202223215856.X有效
发明人：张晓琴;王学合;张兴朝 -专利权人： 上海芯华睿半导体科技有限公司
申请日： 2022-12-01 - 公布日： 2023-03-28 - 主分类号： H01L23/38 文献下载
摘要：本实用新型涉及IGBT模块封装结构技术领域，且公开了一种功率模块封装结构，包括散热箱，散热箱的左侧开设有插槽，并设置有：降温机构包括：机箱右侧开口设置，并通过开口处与插槽的内壁右侧连通设置，机箱的顶部依次开设有六个开孔，两个T插条分别固定安装在机箱的外壁左侧、外壁右侧，并相互对称设置，T插条便于对机箱的拆卸和安装，螺孔数量有四个，且每两个分别开设在每个T插条的左侧，散热排开设在机箱的左侧。通过启动制冷片，使冷气传导至金属棒上对散热箱内部进行降温，同时金属块将冷气传导至导热硅脂，对IGBT功率模块进行降温，避免过热损伤模块。
一种功率模块封装结构

[实用新型]一种IGBT功率模块测试用触点连接结构-CN202222827960.8有效
发明人：张兴朝;胡志平 -专利权人： 上海芯华睿半导体科技有限公司
申请日： 2022-10-26 - 公布日： 2023-03-24 - 主分类号： H01R13/02 文献下载
摘要：本实用新型涉及IGBT功率模块技术领域，且公开了一种IGBT功率模块测试用触点连接结构，包括外壳，所述外壳的顶部开设有出口，所述外壳的两端设置有凹槽，所述外壳的内壁底部滑动连接有底板，所述底板的顶部固定连接有绝缘板，所述绝缘板的顶部固定连接有IGBT功率模块芯片，所述外壳的顶部固定连接有安装块，所述IGBT功率模块芯片上设置有触点，且触点贯穿出口并与安装块的顶部接触，所述触点上设置有定位块，所述定位块分别贯穿触点、安装块和外壳的顶部。通过设置定位块、定位杆、限位块、固定螺纹孔、插槽和固定螺栓，能将触点和安装块连接更加稳定，从而使IGBT功率模块运行更加稳定，同时如此设置安装、拆卸更加方便，便于检修。
一种 igbt 功率模块测试触点连接结构

[实用新型]一种卡接式功率模块封装结构-CN202223029799.6有效
发明人：王学合;张晓琴;胡志平 -专利权人： 上海芯华睿半导体科技有限公司
申请日： 2022-11-15 - 公布日： 2023-03-21 - 主分类号： H01L23/32 文献下载
摘要：本实用新型涉及功率模块封装技术领域，且公开了一种卡接式功率模块封装结构，包括：功率模块本体；盖板，设置在功率模块本体的顶部；卡接机构，设置在功率模块本体的盖板上；卡接机构包括：固定块，固定连接在盖板的外壁上；空腔，开设在固定块的内部；卡杆，穿过空腔与固定块活动连接；弹簧，套设在卡杆上；圆块，固定套设在卡杆上；该一种卡接式功率模块封装结构，通过拉动连接板，连接板带动卡杆脱离卡槽，从而盖板解除限制，进而就可以完成盖板与功率模块本体的拆卸，非常方便，不需要整体更换，节省了成本。
一种卡接式功率模块封装结构

[实用新型]一种多层式功率模块封装结构-CN202223035533.2有效
发明人：王学合;张兴朝;胡志平 -专利权人： 上海芯华睿半导体科技有限公司
申请日： 2022-11-15 - 公布日： 2023-03-21 - 主分类号： H01L23/04 文献下载
摘要：本实用新型涉及功率模块封装结构技术领域，且公开了一种多层式功率模块封装结构。包括底座；安装机构，所述安装机构包括引针、安装板、连接孔、功率模块和温度传感器，固定机构，所述固定机构包括固定架、滑槽、限位块、卡块和弹性块。通过设置的多层式封装结构可以将多个功率模块封装在多层结构上，从而降低封装结构的体积，提升封装结构的实用性能，通过设置的固定机构可以将多个安装板固定在底座上，从而方便后续的注胶操作。
一种多层功率模块封装结构

[实用新型]750V车规级IGBT器件结构-CN202222745216.3有效
发明人：李龙 -专利权人： 上海芯华睿半导体科技有限公司
申请日： 2022-10-17 - 公布日： 2023-03-14 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种750V车规级IGBT器件结构，其形成在硅衬底中，包括：背面集电极金属层上形成有集电极层；场终止层形成在集电极层上；衬底漂移区形成在场终止层上；第一沟槽栅极形成在衬底漂移区上部；第二沟槽栅极形成在衬底漂移区上部，其与第一沟槽栅极交替间隔水平排布；栅极氧化层形成在第一沟槽栅极和第二沟槽栅极底部和侧壁上；发射极区形成在第一沟槽栅极第二沟槽栅极之间的体区中；绝缘介质层形成在衬底漂移区、第一沟槽栅极和第二沟槽栅极上；金属层电极形成在绝缘介质层上，通过第一通孔电性连接第一沟槽栅极，通过第二通孔电性连接发射极区；金属层形成在金属层电极上。本实用新型能降低器件开关长期使用损坏风险，延长IGBT工作寿命。
750 车规级 igbt 器件结构

[实用新型]40V车规MOS衬底结构-CN202222282722.3有效
发明人：郑超;王学合;胡志平 -专利权人： 上海芯华睿半导体科技有限公司
申请日： 2022-08-30 - 公布日： 2023-03-14 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种40V车规MOS衬底结构，包括：第一硅衬底通过第一连接结构与第二硅衬底固定在一起；第一连接结构形成第一硅衬底的底面；第二硅衬底通过第二连接结构与第一硅衬底形成电性固定连接；第二连接结构形成第二硅衬底的顶面；第一硅衬底掺杂浓度低于第二硅衬底掺杂浓度。本实用新型将常规浓度掺杂衬底形成在上部，将高浓度掺杂衬底形成在下部，通过第一连接结构和第二连接结构形成电性固定连接，能解决高浓度掺杂衬底的离子高温扩散造成污染机台腔体的问题的同时能降低MOS导通电阻。
40 车规 mos 衬底结构

[实用新型]一种功率模块封装结构-CN202222827945.3有效
发明人：张兴朝;王学合 -专利权人： 上海芯华睿半导体科技有限公司
申请日： 2022-10-26 - 公布日： 2023-03-14 - 主分类号： H01L23/467 文献下载
摘要：一种功率模块封装结构本实用新型涉及模块封装技术领域，且公开了一种功率模块封装结构，包括，固定安装于防护外壳的顶部，固定散热机构，设置于防护外壳的内部，固定散热机构，包括螺纹栓，螺纹连接于防护外壳顶部开设的螺纹孔内，第一防尘网固定安装于螺纹栓的内壁顶端，第二防尘网，固定安装于螺纹栓的内壁底端，底板的顶部开设有通孔，底板开设的通孔内壁设置有螺纹，螺纹栓的外壁环形开设有通孔，通过环形开设有通孔，达到散热的效果，螺纹栓外壁开设又要通风口进行通风散热的效果，螺纹栓上下两侧安装有两个滤尘网使其具有防尘的效果。
一种功率模块封装结构

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