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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]用于制备能够同时利用葡萄糖和木糖的突变大肠杆菌的方法-CN201410389340.8有效
发明人：李成国;金久熙;丁圣勋;金奭玟;崔倍荣 -专利权人：蔚山科学技术院
申请日： 2014-08-08 - 公布日： 2019-07-12 - 主分类号： C12N1/21 文献下载
摘要：本发明涉及通过基因工程和进化适应制备能够同时利用葡萄糖和木糖的突变E.coli菌株的方法；使用该方法制备的突变E.coli；以及使用该突变E.coli生产生物燃料、生物活性成分、药用材料或化用基本化学物质的方法。与野生型E.coli相比，能够同时利用葡萄糖和木糖的突变E.coli能够更有效地应用于由生物质生产生物燃料的酶促糖化过程。
用于制备能够同时利用葡萄糖突变大肠杆菌方法

[发明专利]发光器件-CN201410524737.3有效
发明人：成演准;丁圣勋 -专利权人： LG伊诺特有限公司
申请日： 2014-10-08 - 公布日： 2019-05-14 - 主分类号： H01L33/44 文献下载
摘要：本发明公开了一种发光器件、发光器件封装和照明设备，所述发光器件包括：衬底；光提取层，布置在衬底上，该光提取层具有的折射率高于衬底的折射率并低于发光结构的折射率，并且包括接触衬底的第一区域和与第一区域相向布置的第二区域，第一区域具有比第二区域的横截面积大的横截面积；以及发光结构，布置在衬底和光提取层上，该发光结构包括第一导电型半导体层、第二导电型半导体层以及有源层。本发明的发光器件具有较高的光提取效率。
发光器件

[发明专利]发光器件-CN201410344553.9有效
发明人：成演准;张正训;丁圣勋 -专利权人： LG伊诺特有限公司
申请日： 2014-07-18 - 公布日： 2019-01-29 - 主分类号： H01L33/22 文献下载
摘要：本发明公开了一种发光器件。该发光器件包括：第一半导体层；第二半导体层；有源层，设置在所述第一半导体层与所述第二半导体层之间；以及第一光提取层，设置在所述第一半导体层上，并且包括氮化物半导体层。这里，所述第一光提取层包括多个第一层。所述多个第一层的折射率随着离所述第一半导体层的距离增大而减小。本发明能够使发光器件的光提取效率得以提高。
发光器件

[发明专利]发光元件-CN201480048407.X有效
发明人：成演准;丁圣勋;成俊昊;赵喜珍 -专利权人： LG伊诺特有限公司
申请日： 2014-08-12 - 公布日： 2018-08-31 - 主分类号： H01L33/22 文献下载
摘要：根据实施例公开了一种发光器件，包括：发光结构，包括第一导电型半导体层、有源层和第二导电型半导体层；以及光提取器，布置在所述发光结构上，所述光提取器包括：具有第一湿蚀刻速率的第一氮化物半导体层，布置在所述第一导电型半导体层上；具有第二湿蚀刻速率的第二氮化物半导体层，布置在所述第一氮化物半导体层上，以及具有第三湿蚀刻速率的第三氮化物半导体层，其中所述第一湿蚀刻速率和所述第三湿蚀刻速率比所述第二湿蚀刻速率低。
发光元件

[发明专利]发光器件-CN201210050654.6有效
发明人：文用泰;宋镛先;丁圣勋;朴仲绪;李尚俊;吴正铎;崔洛俊 -专利权人： LG伊诺特有限公司
申请日： 2012-02-29 - 公布日： 2017-05-17 - 主分类号： H01L33/22 文献下载
摘要：本发明提供了一种发光器件、一种发光器件封装件以及一种照明系统。发光器件包括第一导电型第一半导体层、有源层、第二导电型第二半导体层、可靠性增强层以及第二导电型第三半导体层。有源层设置在第一导电型第一半导体层上。第二导电型第二半导体层设置在有源层上。可靠性增强层设置在第二导电型第二半导体层上。第二导电型第三半导体层设置在可靠性增强层上并且包括光提取图案。可靠性增强层和有源层彼此间隔开0.3μm到5μm的距离。
发光器件

[发明专利]利用复合电解液的锂一次电池-CN201580005809.6在审
发明人：李采俸;郑贤祐;朴相哲;丁圣勋;尹圭炳 -专利权人：韩国飞世龙电池有限公司
申请日： 2015-01-15 - 公布日： 2016-09-07 - 主分类号： H01M6/24 文献下载
摘要：本发明公开利用复合电解液的锂一次电池，其为了最大化锂亚硫酰氯电池和锂硫酰氯电池的优点，通过混合两个电池的电解液来进行2级放电，从而能够确认电池的使用量。
利用复合电解液一次电池

[发明专利]发光器件，发光器件封装以及光单元-CN201210088795.7无效
发明人：姜大成;崔洛俊;丁圣勋;韩永勋;孙圣珍 -专利权人： LG伊诺特有限公司
申请日： 2012-03-29 - 公布日： 2013-01-16 - 主分类号： H01L33/44 文献下载
摘要：本发明公开了发光器件，发光器件封装以及光单元。根据本发明实施例的发光器件，包括：在其上表面上提供粗糙部分并包括PEC蚀刻控制层的第一导电半导体层；位于第一导电半导体层下的有源层；位于有源层下的第二导电半导体层；电连接至第二导电半导体层的反射电极；以及电连接至第一导电半导体层的第一电极。
发光器件封装以及单元

[发明专利]发光器件和照明装置-CN201210048414.2有效
发明人：尹浩相;丁圣勋 -专利权人： LG伊诺特有限公司
申请日： 2012-02-28 - 公布日： 2012-08-29 - 主分类号： H01L33/20 文献下载
摘要：提供了一种发光器件、一种发光器件封装件和一种照明装置。该发光器件包括：包括在水平面中的第一区域和第二区域的n型半导体层；设置在n型半导体层上并且在第一区域中具有第一厚度和在第二区域中具有第二厚度的n型接触层；在第一区域中的具有第一厚度的n型接触层上设置的未掺杂半导体层；设置在第一区域中的未掺杂半导体层上的有源层；设置在第一区域中的有源层上的p型半导体层；在第二区域中的具有第二厚度的n型接触层上设置的第一电极；以及设置在p型半导体层上的第二电极。
发光器件照明装置

[发明专利]发光器件、发光器件封装以及照明系统-CN201110059408.2有效
发明人：郑明训;罗珉圭;丁圣勋 -专利权人： LG伊诺特有限公司
申请日： 2011-03-09 - 公布日： 2011-09-21 - 主分类号： H01L33/32 文献下载
摘要：本发明提供一种发光器件、发光器件封装、以及照明系统。发光器件包括：第一导电类型半导体层；在第一导电类型半导体层上的有源层；在有源层上的第二导电类型半导体层；未掺杂的半导体层，该未掺杂的半导体层设置在第二导电类型半导体层上并且包括多个第一孔；以及第三导电类型半导体层，该第三导电类型半导体层设置在未掺杂的半导体层上并且包括多个第二孔。
发光器件封装以及照明系统

[发明专利]发光器件及其制造方法、发光器件封装以及照明系统-CN201010576073.7无效
发明人： 丁圣勋;金俊亨 -专利权人： LG伊诺特有限公司
申请日： 2010-12-02 - 公布日： 2011-07-13 - 主分类号： H01L33/14 文献下载
摘要：公开了发光器件、制造发光器件的方法、发光器件封装、以及照明系统。发光器件包括第一导电半导体层，该第一导电半导体层包括第一导电杂质；第二导电半导体层，该第二导电半导体层包括不同于第一导电杂质的第二导电杂质；第一导电半导体层和第二导电半导体层之间的有源层；以及AlInN基半导体层，该AlInN基半导体层被插入在有源层和第二导电半导体层之间同时接触有源层和第二导电半导体层并且包括第二导电杂质。
发光器件及其制造方法封装以及照明系统

[发明专利]发光器件-CN201010587621.6无效
发明人：姜大成;郑明训;丁圣勋 -专利权人： LG伊诺特有限公司
申请日： 2010-12-10 - 公布日： 2011-06-15 - 主分类号： H01L25/075 文献下载
摘要：本发明提供发光器件、发光器件封装、以及发光器件的制造方法。发光器件包括：第一发光结构；第一发光结构上的绝缘层，该绝缘层不具有导电性，在该绝缘层中电流不流动；绝缘层上的第二发光结构；以及公共电极，该公共电极被同时并且电气地连接到第一发光结构和第二发光结构。
发光器件

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