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[发明专利]一种用于亚毫米波天文成像的超导动态电感芯片-CN202310571798.4在审
发明人：杜伟杰;陈叙铮 -专利权人：上海师范大学
申请日： 2023-05-22 - 公布日： 2023-07-18 - 主分类号： H10N60/85 文献下载
摘要：本发明涉及亚毫米波天文成像技术领域，且公开了一种用于亚毫米波天文成像的超导动态电感芯片，包括介质基板和制备在介质基板表面的超导电路，超导电路包括超导谐振腔阵列、屏蔽地、共面波导传输线，超导谐振腔阵列包括若干个超导谐振腔，每一个超导谐振腔耦合到共面波导传输线。本发明采用上述结构的用于亚毫米波天文成像的超导动态电感芯片，能够为亚毫米波天文仪器的开发及亚毫米天文观测提供有效帮助。
一种用于亚毫米波天文成像超导动态电感芯片

[发明专利]超导氢化物材料及其制造和识别方法-CN202180050788.5在审
发明人：利亚拉加马格·R·迪亚斯;阿什坎·萨拉马特 -专利权人：罗彻斯特大学;代表内华达大学拉斯维加斯分校的内华达高等教育系统的摄政委员会
申请日： 2021-07-20 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： H10N60/85 文献下载
摘要：本发明公开了物质组合物以及识别和制造物质组合物的方法。一些实施例公开了用于制造和以化学方式和/或从成分上调谐超导氢化物材料。一些实施例公开了用于制造和从成分上调谐超导材料的装置。一些实施例公开了一种物质组合物，包括在周围压力低于180千兆帕，温度为至少150开尔文的情况下，或在温度为至少261开尔文的情况下表现出超导性的固体氢化物。在一个或多个实施例中，超导体包括具有至少三种不同化学元素的共价金属氢化物，其中共价金属氢化物中的氢的原子间距离在1.1‑2埃的范围内。在进一步的示例中，超导体是使用分子交换和范德瓦尔斯固体压缩形成的。在进一步的示例中，超导体包括被置于一维通道中的分子氢。本文公开了这些和其他实施例。
超导氢化物材料及其制造识别方法

[发明专利]一种可实现宽波段能量探测的TES探测器-CN202211557700.1在审
发明人：陈建;王雪深;李万;胡家昊;李劲劲;徐骁龙 -专利权人：中国计量科学研究院
申请日： 2022-12-06 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： H10N60/85 文献下载
摘要：本申请涉及一种可实现宽波段能量探测的TES探测器，包括：热沉；TES主体，设置在热沉的中心；导热薄膜，覆盖在TES主体上，具有两个以上的分支；TES主体的正上方通过环氧树脂将厚度为H6的厚块状超导体材料的主吸收体直接粘结在表面，主吸收体E朝向TES主体的正投影能够遮盖整个TES主体；还包括多个不同规格的吸收体中的一种或多种。本发明的有益效果是：能够兼容多种波段，扩大了TES探测器的适用范围。
一种实现波段能量探测 tes 探测器

[发明专利]一种高深宽比超导氮化铌纳米线及其制备方法和应用-CN202010417882.7有效
发明人：张蜡宝;郭书亚;陈奇;潘丹峰;涂学凑;韩航;贾小氢;赵清源;陈健;康琳;吴培亨 -专利权人：南京大学
申请日： 2020-05-15 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： H10N60/85 文献下载
摘要：本发明公开了一种高深宽比超导氮化铌纳米线及制备方法和应用，采用优化的镀膜技术在衬底表面沉积氮化铌薄膜；在氮化铌薄膜表面旋涂电子束抗刻蚀剂，形成电子束抗刻蚀剂层；采用电子束曝光技术在电子束抗刻蚀剂层上定义氮化铌纳米线图形；采用反应离子刻蚀技术将图形转移到氮化铌薄膜上，得到高深宽比超导氮化铌纳米线。本发明通过将电子束曝光系统和反应离子刻蚀相结合的微纳加工技术，成功制备出了膜厚纳米线，深宽比超过1∶1的超导氮化铌纳米线，可应用与高性能全波段光子探测器和其他相关领域的研究。
一种高深超导氮化纳米及其制备方法应用

[发明专利]铁电超导异质结及其应用-CN202211428989.7在审
发明人：王文琳;常凯 -专利权人：北京量子信息科学研究院
申请日： 2022-11-15 - 公布日： 2023-04-04 - 主分类号： H10N60/85 文献下载
摘要：本发明提供了一种铁电超导异质结及其应用。铁电超导异质结包括：衬底；超导体，由二维超导材料制成；以及铁电体，由二维铁电材料制成；其中超导体和铁电体并列布置在衬底上；或超导体和铁电体叠置在衬底上。本发明提供的铁电超导异质结为二维材料层状结构，有利于排除界面晶格失配导致的破坏性效应，有利于实现当铁电极化切换时形成的超导态‑正常态的完全开关，有利于提升开关比，降低功耗。能够将衬底、界面晶格匹配限制降低至最小。二维材料特性，更有利于控制层厚和元素掺杂，实现能带工程，对能带对齐和铁电极化强度/方向的精确控制。
超导异质结及其应用

[发明专利]超导薄膜制备方法、超导薄膜、量子器件及量子芯片-CN202211329048.8在审
发明人：应马可 -专利权人：阿里巴巴达摩院（杭州）科技有限公司
申请日： 2022-10-27 - 公布日： 2023-01-31 - 主分类号： H10N60/85 文献下载
摘要：本发明公开了一种超导薄膜制备方法、超导薄膜、量子器件及量子芯片。其中，该方法包括：将第一超导薄膜所处的第一气氛环境由第一温度升高至第二温度，使第一超导薄膜处于第二气氛环境，其中，第一超导薄膜为沉积在衬底上的超导材料；在第二气氛环境达到第二温度后，向第二气氛环境中持续通入氢原子并维持预定时长，使第一超导薄膜处于第三气氛环境，以使得氢原子填入第一超导薄膜的微观尺度上的晶体结构缺陷，其中，第二温度用于维持氢原子的自由状态；在预定时长之后，将第三气氛环境的温度由第二温度降低至第三温度，制备得到第二超导薄膜，其中，第三温度低于第一温度。本发明解决了量子电路中采用的超导薄膜的动态电感不够高的技术问题。
超导薄膜制备方法量子器件芯片