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[发明专利]玻璃密封型封装的制造方法及其制造装置以及振荡器-CN201010115309.7无效
发明人：田家良久 -专利权人：精工电子有限公司
申请日： 2010-02-11 - 公布日： 2010-08-18 - 主分类号： H01L41/22 文献下载
摘要：本发明提供一种能够在一对晶片的大致整个区域上可靠地进行阳极接合，并且在一对晶片的阳极接合时能够将腔室内可靠地保持为真空状态的玻璃密封型封装的制造方法、玻璃密封型封装的制造装置以及振荡器。玻璃密封型封装的制造方法具有：在使一对晶片(40、50)层叠的状态下对与该晶片的周缘部对应的位置施加电压来进行阳极接合的步骤；以及对阳极接合的一对晶片进行单片化的步骤，其中，在一对晶片的至少任意一方的中央部上形成贯通孔(51)，在与晶片的周缘部对应的位置上配置多个电极(65)，对电极施加电压，由此进行阳极接合。
玻璃密封封装制造方法及其装置以及振荡器

[发明专利]一种钛酸铋钠和铌酸钾钠复合的无铅压电厚膜的制备方法-CN201010127246.7无效
发明人：任巍;纪红芬;史鹏;王玲艳;闫兴伟;姚姗姗;陈晓峰;吴小清;姚熹 -专利权人：西安交通大学
申请日： 2010-03-18 - 公布日： 2010-08-18 - 主分类号： H01L41/22 文献下载
摘要：本发明涉及无机材料中的压电厚膜的制备方法，公开了一种钛酸铋钠和铌酸钾钠复合的无铅压电厚膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)按照Bi0.5Na0.5TiO3的化学计量比，制备钛酸铋钠先驱体溶胶；(2)制备微纳米级铌酸钾钠粉体；(3)将微纳米级铌酸钾钠粉体与钛酸铋钠先驱体溶胶混合，其中铌酸钾钠的质量含量为40％～70％，制备混合浆料；(4)重复旋涂工艺-热处理工艺，得到钛酸铋钠和铌酸钾钠复合的无铅压电厚膜。
一种钛酸铋钠铌酸钾钠复合压电制备方法

[发明专利]压电/电致伸缩膜型元件的制造方法-CN200980100318.4无效
发明人：清水秀树;北川睦 -专利权人：日本碍子株式会社
申请日： 2009-03-05 - 公布日： 2010-08-04 - 主分类号： H01L41/22 文献下载
摘要：本发明提供一种压电/电致伸缩膜型元件的制造方法，该制造方法能够防止空腔的平面位置与构成由电极膜以及压电/电致伸缩体膜层叠所得振动层叠体的膜的平面位置的偏离。在制造具有基板以及由在基板的表面对应于所述空腔的平面位置而设置的由下部电极膜、压电/电致伸缩膜以及上部电极膜层叠得到的振动层叠体的压电/电致伸缩膜型元件时，以在空腔里填充有遮光剂的基板为掩模通过光刻法形成下部电极膜。其后，向着下部电极膜使压电/电致伸缩材料的粉末电泳来形成压电/电致伸缩体膜的同时，以压电/电致伸缩体膜为掩模通过光刻法形成上部电极。也可以以下部电极膜为掩模通过光刻法形成压电/电致伸缩体膜。
压电伸缩元件制造方法

[发明专利]薄膜压电体元件及其制造方法、采用该元件的磁头悬架组件以及使用磁头悬架组件的硬盘驱动器-CN200910246862.1有效
发明人：秦健次郎;佐佐木宏文;仓知克行 -专利权人： TDK株式会社;新科实业有限公司
申请日： 2009-10-21 - 公布日： 2010-07-28 - 主分类号： H01L41/22 文献下载
摘要：本发明涉及薄膜压电体元件及其制造方法、采用该元件的磁头悬架组件以及使用磁头悬架组件的硬盘驱动器。该元件制造方法具有在第一基板上层叠第一电极膜、压电体膜和第二电极膜形成层叠体(L)的工序、在第二基板上层叠支撑膜形成层叠体(M)的工序、使第二电极膜与支撑膜相对并由粘合膜粘合层叠体(L)和层叠体(M)形成由层叠体(L)、粘合膜和层叠体(M)构成的层叠体(P)的工序、从层叠体(P)去除第一基板的工序、去除第一基板工序后将层叠体(P)加工为期望形状的工序、加工层叠体(P)工序后去除第二基板的工序；粘合膜的杨氏模量比压电体膜的低，第二电极膜和支撑膜的杨氏模量均比粘合膜的高，层叠体(P)除上述压电体膜外无其他压电体膜。
薄膜压电元件及其制造方法采用磁头悬架组件以及使用硬盘驱动器

[发明专利]用于BAW谐振器的压电AIN的沉积-CN200880104120.9有效
发明人： S·乌皮利;G·布歇;A·米尔费奇利;N·S·阿尔真蒂 -专利权人：马克西姆综合产品公司
申请日： 2008-06-11 - 公布日： 2010-07-21 - 主分类号： H01L41/22 文献下载
摘要：本发明涉及用于BAW谐振器的压电AlN的沉积。用于BAW谐振器的压电沉积，其中薄非晶AlN层在底电极之上，之后在该非晶AlN层上沉积第二AlN层，沉积发生在允许已沉积的AlN自组织成为所需柱状相的温度处。底电极在其下可以具有例如布拉格反射镜的声学隔离。披露了制备工艺的各种细节。
用于 baw 谐振器压电 ain 沉积

[发明专利]声体波压电薄膜换能器双面光刻制作方法-CN201010042079.6有效
发明人：汤劲松;朱昌安;周勇;郑泽渔;米佳;于新晓;马晋毅;李仁挥 -专利权人：中国电子科技集团公司第二十六研究所
申请日： 2010-01-15 - 公布日： 2010-07-07 - 主分类号： H01L41/22 文献下载
摘要：本发明涉及声体波压电薄膜换能器双面光刻制作方法，步骤为：1)根据设计的底电极、压电膜和上电极各层的电极图形，制作底电极双面光刻掩膜版、套刻用压电膜和上电极掩膜版；2)在传声介质两端形成底电极金属薄膜；3)在底电极金属薄膜上双面光刻底电极图形；4)在传声介质两端溅射压电薄膜；5)在传声介质两端蒸发或溅射上电极薄膜；6)套刻制作压电膜图形；7)套刻制作上电极图形。本发明解决了机械掩模小尺寸图形无法制版，以及制作图形不规范，精度差等问题，使掩膜版的精度、电极图形的一致性可达到微米量级，传声介质尺寸范围大，可实现2mm～90mm范围内两端准直精度高，准直度可小于5微米。
声体波压电薄膜换能器双面光刻制作方法

[发明专利]压电复合材料-CN200780052548.9无效
发明人：张斗;卡尔·梅格斯;蒂莫西·威廉·布顿;杰弗瑞·多尔曼 -专利权人：伯明翰大学
申请日： 2007-03-05 - 公布日： 2010-03-31 - 主分类号： H01L41/22 文献下载
摘要：本发明提供一种生产包含压电纤维阵列的复合材料的方法，该方法包括：(a)提供：(a1)多个包含压电材料或压电材料前体和第一载体的第一条状物，和(a2)多个包含可分解材料和第二载体的第二条状物；(b)将所述多个所述第一和第二条状物交替放置在彼此之上以形成堆，其中至少部分所述第一条状物通过第二条状物与相邻的第一条状物分开；(c)加热步骤，其包括加热所述堆以除去所述第一和第二载体和所述可分解材料；(d)用填充材料浸渍所述堆以形成压电条状物的复合材料堆；和(e)切割所述堆以形成含压电纤维阵列的复合材料。在一个替代方法中，切割(e)在加热步骤(c)之前进行。该方法允许生产平均纤维间隔为5μm或更小的纤维阵列。
压电复合材料

[发明专利]具高d₃₃无铅压电陶瓷-聚合物压电复合材料的制备方法-CN200910167647.2无效
发明人：朱基亮;王明松;李绪海;朱建国;肖定全 -专利权人：四川大学
申请日： 2009-09-16 - 公布日： 2010-03-03 - 主分类号： H01L41/22 文献下载
摘要：本发明涉及一种具有高d₃₃的无铅压电陶瓷-聚合物压电复合材料的制备方法。该方法按式(1-x)(Li_aNa_bK_1-a-b)(Nb_1-cSb_c)O₃-xABO₃-yM组分配料，采用传统陶瓷制备方法制备铌酸钠钾基无铅压电陶瓷粉料；再将陶瓷粉料与聚合物聚偏氟乙烯按比例混合球磨；烘干后超声震荡，将混合粉料经冷压成型后加温处理，再在其表面溅射金电极，硅油浴中极化后测试其压电复合材料样品的压电性能d₃₃；最后将样品置入去离子水或盐溶液中浸泡，再测试其样品的压电性能d₃₃。结果表明，经浸泡处理的铌酸钠钾基无铅压电陶瓷-聚合物压电复合材料的d₃₃比未经浸泡过的有大幅度提高，提高比例甚至可达300％。
sub 33 压电陶瓷聚合物复合材料制备方法

[发明专利]无铅压电陶瓷与聚乙烯醇压电复合材料及其制备方法-CN200910167648.7无效
发明人：朱基亮;李绪海;王明松;蒋猛;朱建国;肖定全 -专利权人：四川大学
申请日： 2009-09-16 - 公布日： 2010-03-03 - 主分类号： H01L41/22 文献下载
摘要：本发明涉及一种铌酸钠钾基无铅压电陶瓷-聚乙烯醇(PVA)压电复合材料及其制备方法。该方法按通式(1-x)(Li_aNa_bK_1-a-b)(Nb_1-cSb_c)O₃-xABO₃-yM组分配料，以分析纯无水碳酸盐或氧化物为原料，用传统陶瓷制备工艺制得陶瓷粉末；将陶瓷粉末与聚乙烯醇按体积比5/90～95/5的比例配成混合粉料后加入去离子水，再加热使PVA溶解；然后超声分散，将混合粉料烘干后经压片机冷压成型，再用马弗炉加温处理，最后在其表面溅射金属电极，经硅油浴极化，即制得铌酸钠钾基无铅压电陶瓷-聚乙烯醇压电复合材料。该压电复合材料为纯钙钛矿晶相，无杂相；且具有良好的压电性能与介电性能。
压电陶瓷聚乙烯醇复合材料及其制备方法

[发明专利]用于超声换能器的声学堆栈及其制造方法-CN200880011835.X有效
发明人： K·E·耶特;J·N·巴辛格;B·V·科尔塞利乌斯 -专利权人：通用电气检查技术有限合伙人公司
申请日： 2008-04-04 - 公布日： 2010-02-24 - 主分类号： H01L41/22 文献下载
摘要：一种用于超声换能器的声学堆栈，包括支撑块、柔性印刷电路板、压电陶瓷层和声匹配层。在层压处理中使用粘合材料和高压将声学堆栈的各种部件结合在一起。制造压电陶瓷层以提供电和声隔离，而无需切割穿过多层声学堆栈。柔性电路提供了至压电陶瓷层的电隔离电极的必需电连接。
用于超声换能器声学堆栈及其制造方法

[发明专利]叠层型压电元件及其制造方法-CN200910132708.1有效
发明人：中村成信;鹤丸尚文;冈村健 -专利权人：京瓷株式会社
申请日： 2005-03-29 - 公布日： 2009-12-02 - 主分类号： H01L41/22 文献下载
摘要：本发明提供一种叠层型压电元件，其具有：叠层体，其具有活性部，该活性部是交替叠层至少1个压电体与由第一内部电极及第二内部电极构成的多个内部电极而成的，活性部与外加在第一内部电极及第二内部电极之间的电压相对应进行伸缩，和外部电极，其分别形成在叠层体的2个侧面上，其中之一与第一内部电极相连接、其中之另一个与第二内部电极相连接，各外部电极是包含与叠层体的侧面相接形成的第1层和形成在该第1层上的第2层在内的3层以上的层。因此，这种叠层型压电元件的耐久性优越。
叠层型压电元件及其制造方法

[发明专利]高分子压电体膜的制造方法以及高分子压电体膜-CN200880002074.1有效
发明人：森山信宏;中村谦一;铃木和元;铃木启太郎 -专利权人：株式会社吴羽
申请日： 2008-01-08 - 公布日： 2009-11-11 - 主分类号： H01L41/22 文献下载
摘要：本发明的高分子压电体膜的制造方法，在使结晶性极性高分子片与直径为30mm以上的导电性延伸辊接触同时对其进行输送且延伸的过程中，在与该高分子片对置的电极、和所述导电性延伸辊之间施加极化电压，对所述结晶性极性高分子片进行极化处理，其中，述导电性延伸辊是将表面摩擦系数降低至可在与该结晶性极性高分子片的接触下相对移动的程度的辊。由此，能够稳定地制造大面积上具有稳定的压电性的高分子压电体膜。尤其能够得到d₃₁压电系数的温度分散的峰值温度为120℃以上、且具有在一个方向延长的表面擦伤的高分子压电体膜。
高分子压电制造方法以及

[实用新型]一种简易石英晶片甩膜机-CN200820138886.6无效
发明人：亓永 -专利权人：亓永
申请日： 2008-10-11 - 公布日： 2009-10-21 - 主分类号： H01L41/22 文献下载
摘要：本实用新型属于甩膜机技术领域，确切地说是一种简易石英晶片甩膜机。由磁力搅拌器1、有机玻璃2、中心带圆孔有机玻璃3、螺栓4、玻璃环5、橡胶圈6及石英晶片7组成，取下磁力搅拌器1的托盘，将一块有机玻璃2固定于电机转轴上，石英晶片7用硅橡胶固定在玻璃环5上后置于有机玻璃2之上，玻璃环5上加一个橡胶圈6，之后在橡胶圈6上放另一块中心带圆孔有机玻璃3，最后用螺栓4将两块有机玻璃固定在一起，玻璃环5及橡胶圈6夹在其中。其优点是价格较低，调速方便，拆装灵活，适用于对石英晶片进行较厚修饰膜制作。
一种简易石英晶片甩膜机

[发明专利]ZnO纳米晶须增强硅基锆钛酸铅压电复合厚膜的制备方法-CN200910082803.5无效
发明人：曹茂盛;段中夏;赵全亮;袁杰;路冉 -专利权人：北京理工大学
申请日： 2009-04-22 - 公布日： 2009-09-16 - 主分类号： H01L41/22 文献下载
摘要：本发明涉及一种ZnO纳米晶须增强硅基锆钛酸铅压电复合厚膜的制备方法，属于电子材料领域。本发明的方法是将ZnO纳米晶须加入酒精中配置成一定浓度的ZnO悬浮溶液，然后采用旋涂法将澄清的PZT溶胶和ZnO悬浮溶液交替涂覆在Pt/Cr/SiO₂/Si基片上进行成膜。经过多次交替重复，直到所需厚度，最后将所得到的厚膜在高温管式炉中热处理，获得硅基PZT压电复合厚膜。该方法制备的PZT压电复合厚膜表面平整无裂纹，组分均匀，膜厚可超过1μm以上；该发明制备的PZT压电复合厚膜满足MEMS铁电、压电器件对厚膜的实际要求，广泛用于航空、航天、兵器、舰船、信息、通讯等高技术领域。
zno 纳米增强硅基锆钛酸铅压电复合制备方法

[发明专利]一种硅/钴酸镧锶/锆钛酸铅三层结构铁电材料的制备方法-CN200810201994.8无效
发明人：程晋荣;陈凤;俞圣雯 -专利权人：上海大学
申请日： 2008-10-30 - 公布日： 2009-03-18 - 主分类号： H01L41/22 文献下载
摘要：本发明涉及一种硅/钴酸镧锶/锆钛酸铅三层结构压电材料的制备方法，属无机压电铁电材料制备工艺技术领域。本发明采用溶胶-凝胶工艺在普通硅衬底上制备具有(100)晶面择优取向的锆钛酸铅(PZT)薄膜和钴酸镧锶(LSCO)氧化物电极薄膜；同时通过改变LSCO溶胶的浓度来控制PZT薄膜的取向生长。本发明可降低衬底、电极的工艺成本，同时可优化PZT薄膜的结构和性能。本发明的产品可运用于用作微机电系统传感器和换能器的压电铁电材料。
一种钴酸镧锶锆钛酸铅三层结构材料制备方法