“G11B11/10”专利分类搜索_专利查询_文献下载_出售_求购_买卖_交易_钻瓜专利网

首页在售求购查询申请展会资讯专利榜企服商城升级VIP

立即登录免费注册

在售专利
求购专利
查询专利
新闻资讯
技术展会
招商加盟
专利榜

本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247

本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247

专利名称

专利名称
专利号码
专利分类
申请人
公布日期

农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

专利下载VIP

公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

钻瓜专利网为您找到相关结果199个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]磁头装置-CN200380100572.7无效
发明人：村上丰;富田浩稔 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2003-10-14 - 公布日： 2005-11-02 - 主分类号： G11B11/105 文献下载
摘要：通过接合元件(40)使磁头(4)和磁头保持元件(41)成悬臂状。磁头(4)包括固定于自由端的磁头主体(5)和具有支撑构件弹性部分(10)的支撑构件(6)。磁头保持元件(41)具有靠近接合元件(40)的弹簧部分(44)，并与信息记录介质(1)相对，支撑构件(6)处于它们之间。磁头保持元件(41)包括朝向信息记录介质突出的位置保持部分(48)。当磁头(4)处于磁头主体(5)靠近或者与信息记录介质(1)接触设置以便执行记录或再现的第一位置时，位置保持部分(48)与盘盒保持架(49)接触。这样就可以减小磁头装置和磁光记录/再现装置的厚度。另外，由于部件数量减少，可进一步降低磁光记录/再现装置的价格。
磁头装置

[发明专利]用于改进的域崩溃的域扩展读出-CN03823602.8无效
发明人： C·A·维斯楚伦 -专利权人：皇家飞利浦电子股份有限公司
申请日： 2003-09-12 - 公布日： 2005-10-26 - 主分类号： G11B11/105 文献下载
摘要：一种用于控制从磁光记录介质的读出操作的方法和设备，该磁光记录介质包括一个存储层和一个读出层，其中域是通过在受到有一定辐射功率的辐射束加热时并在外部磁场的帮助下从所述存储层将标记区域复制到读出层而在所述读出层中被扩展的。在至少所述外部磁场的崩溃周期的部分期间将辐射功率增大到第一水平，第一水平高于在所述外部磁场的扩展周期中应用的第二水平。由此，由于提高了域崩溃速度并降低了由外部磁场较慢的崩溃和不理想的波形导致的延迟而提高了读出期间的数据速率。
用于改进崩溃扩展读出

[发明专利]光照射头和信息存储装置-CN03823892.6无效
发明人：田和文博;长谷川信也 -专利权人：富士通株式会社
申请日： 2003-03-28 - 公布日： 2005-10-26 - 主分类号： G11B11/10 文献下载
摘要：本发明提供了一种具有从光源高效传播光的结构的光照射头，以及一种能够使用这样的光照射头来进行高密度记录的信息存储设备。本发明的光照射头包括：传播体，其具有对预定的对称轴轴对称的锥形二维形状，并且其由传播光的电磁场的第一种材料构成；和覆盖体，其覆盖所述传播体以环绕所述对称轴，并且其由不同于所述第一种材料的第二种材料构成。所述传播体还包括：突起形状或凹入形状的底边，其出现在所述对称轴上并且对所述对称轴轴对称；顶边，其出现在所述对称轴上并且比所述底边窄；和一对反射边，其出现在所述对称轴的两侧上，并且在从所述底边侧到所述顶边侧的方向上所述一对反射边的间距逐渐减小。
照射信息存储装置

[发明专利]光记录介质的制造方法及其制造装置-CN03824290.7无效
发明人：细川哲夫 -专利权人：富士通株式会社
申请日： 2003-03-12 - 公布日： 2005-10-26 - 主分类号： G11B11/105 文献下载
摘要：本发明涉及一种光磁记录介质的制造方法，在所述光磁记录介质中，在基板上形成有光学相位凹坑，在该光学相位凹坑上形成光记录膜，该光磁记录介质可以同时再生相位凹坑信号和其上形成的记录膜信号。当通过溅射在所述基板上形成所述记录膜时，通过改变气压来调整相位凹坑的调制程度。这样，可以以低成本均匀地制造这样一种光存储介质，其RAM信号和相位凹坑信号的抖动被抑制到小于或等于目标的10％。
记录介质制造方法及其装置

[发明专利]磁光存储介质-CN03822089.X无效
发明人： G·N·菲利普 -专利权人：皇家飞利浦电子股份有限公司
申请日： 2003-08-08 - 公布日： 2005-10-12 - 主分类号： G11B11/105 文献下载
摘要：本发明涉及一种磁光存储介质(200)，特别涉及畴膨胀存储介质。该介质(200)包括用于长期存储信息的磁存储层(107)，以及磁性耦合到该层的磁性再现或读出层(111)，其中在读出期间可以产生增强的磁畴。磁性层(107、111)被非金属的或金属的、非磁性的或磁性的层(109)分隔开，并且至少一层金属层(201、203)(例如钯或铂)与磁性再现层(111)相邻放置。该金属层(201、203)优选位于磁性再现层(111)的每侧上。(多个)金属层(201、203)提供增加的热消散以及克尔效应，并由此允许磁光存储介质(200)具有增加的数据密度。
存储介质

[发明专利]磁光记录介质和磁光记录装置-CN03819920.3无效
发明人：细川哲夫 -专利权人：富士通株式会社
申请日： 2003-03-28 - 公布日： 2005-10-05 - 主分类号： G11B11/105 文献下载
摘要：一种磁光记录介质，至少由相位凹坑基板/电介质层/记录层/电介质层/反射层构成，可以同时再生ROM和RAM。该相位凹坑的形状被构造为5＜100×Ip/Im＜22，其中，Im和Ip分别是照射偏振方向水平于该介质的轨道方向的再生光时，在镜面上的反射电平以及最短标记的相位凹坑信号强度电平。由于可以把磁光记录/再生信号和相位凹坑信号的抖动抑制在最佳的范围内，因此可以提高同时再生ROM和RAM时的再生信号的质量。
记录介质装置

[发明专利]磁光记录系统-CN03818442.7无效
发明人： F·C·彭宁;F·兹普;A·A·A·卡斯特恩;A·H·J·伊姆明克 -专利权人：皇家飞利浦电子股份有限公司
申请日： 2003-07-16 - 公布日： 2005-09-21 - 主分类号： G11B11/105 文献下载
摘要：用于磁光记录装置的致动器(6)包括致动器底座(20)；可活动地与所述致动器底座连接的平台(30)；由所述平台(30)支撑的至少一个致动器线圈(31)；所述平台(30)支撑的至少一个写入线圈(43)。一个公共导线(22a；22b)将致动器线圈驱动信号以及写入线圈驱动信号从所述致动器底座(20)传导到所述平台(30)。
记录系统

[发明专利]具有反铁磁耦合畴扩展双层结构的磁光记录介质-CN03815893.0无效
发明人： H·W·范科斯特伦 -专利权人：皇家飞利浦电子股份有限公司
申请日： 2003-06-23 - 公布日： 2005-09-07 - 主分类号： G11B11/105 文献下载
摘要：本发明涉及一种磁光记录介质以及制造这种介质的方法，其中读取扩展层(EL)包含反铁磁层的双或两层结构，例如，GdFeCo或TbFeCo，耦合在比较薄的非磁金属层上，例如，Ru层。在由读取辐射光束以及来自于存储层(SL)的杂散磁场引起的温度升高的影响下，双层中的磁化将会从反平行状态切换到平行状态。这种层结构的主要优点在于它针对存储层(SL)的上下磁化提供了一种对称读取响应，并且原则上可在没有外部读取磁场时使用。
具有反铁磁耦合扩展双层结构记录介质

[发明专利]用于域扩展读出的动态复制窗口控制-CN03814026.8无效
发明人： A·H·J·英明克;C·A·维斯楚伦;M·W·布鲁姆 -专利权人：皇家飞利浦电子股份有限公司
申请日： 2003-06-05 - 公布日： 2005-08-31 - 主分类号： G11B11/105 文献下载
摘要：用于读出磁光域扩展记录媒体(10)的方法和设备，其中域复制过程的空间复制窗口的大小通过响应于得自读出脉冲的控制信息来改变预先确定的读出参数而被控制。预先确定的附加变化模式被应用于所述预先确定的参数并且所述控制信息随后被从时钟信号的偏差得出。所述复制窗口的大小因此可以被动态地控制以便获得一个健壮和可靠的读出过程。
用于扩展读出动态复制窗口控制

[发明专利]光磁性用光集成化单元和光磁性用光拾波装置-CN200410082245.X无效
发明人：小川胜 -专利权人：夏普株式会社
申请日： 2004-12-22 - 公布日： 2005-08-24 - 主分类号： G11B11/10 文献下载
摘要：一种光磁性用光集成化单元包括具有用于接受来自光磁性记录媒体反射光的多个受光部的光检测器(15)、用于分离从光源朝向前述光记录媒体的发射光和反射光的第1偏振光分离机构、用于使来自第1偏振光分离机构的前述反射光至少一部分衍射并将衍射光引导到前述光检测器(15)的偏振光全息化部件(14a)。前述偏振光全息化部件(14a)包括多个衍射区域(14a1、14a2)，能使每个前述衍射区域中的反射光沿不同方向衍射，还能使2个以上的前述衍射区域的衍射光朝向一个前述受光部。
磁性用光集成化单元装置

[发明专利]磁光记录媒体及磁光存储装置-CN02829432.7无效
发明人：细川哲夫 -专利权人：富士通株式会社
申请日： 2002-08-13 - 公布日： 2005-08-03 - 主分类号： G11B11/105 文献下载
摘要：一种磁光记录媒体，其特征在于具有：基板；设置在该基板上，以Tb和FeCo为主成分，在室温下补偿组分或过渡金属占优势，且表现出垂直磁化的第1记录层；以及设置在上述第1记录层上，具有大于等于100℃的补偿温度，在室温下稀土类元素占优势，且表现出垂直磁化的第2记录层；在上述第1记录层和第2记录层的居里温度分别为Tc1、Tc2，室温下的矫顽力为Hc1、Hc2，膜厚为t1、t2时，有以下的关系：60℃＜Tc2＜Tc1，Hc1·t1＞Hc2·t2。
记录媒体存储装置

[发明专利]磁畴扩展读出中数据相关场切换的拷贝窗控制-CN03807670.5无效
发明人： C·A·维斯楚伦 -专利权人：皇家飞利浦电子股份有限公司
申请日： 2003-03-14 - 公布日： 2005-07-27 - 主分类号： G11B11/105 文献下载
摘要：本发明涉及用于在读出磁畴扩展媒体(10)期间控制拷贝窗的方法和设备，其中外部磁场的切换时间从读脉冲中推导出。所述读脉冲的定时移位被用于控制拷贝窗的尺寸。从而，可以防止由于拷贝窗尺寸的变化而引起的读出错误。
扩展读出数据相关切换拷贝控制

[发明专利]光记录媒体、磁光记录媒体、信息记录/再生装置、信息记录/再生方法及磁记录装置-CN03809083.X无效
发明人：上村拓也;田中努;松本幸治 -专利权人：富士通株式会社
申请日： 2003-04-22 - 公布日： 2005-07-27 - 主分类号： G11B11/105 文献下载
摘要：提供一种光记录媒体、磁光记录媒体、信息记录/再生装置、信息记录/再生方法及磁记录装置。其中，在用聚碳酸酯等形成的有平行平面的基板上依次形成反射层、核形成基底层、核形成层、记录层的层叠结构，在反射层和记录层之间形成的核形成层的表面呈有微小的核(突起部)的微小的凹凸形状。
记录媒体信息再生装置方法

[发明专利]光学记录/再现方法和光学记录介质-CN03806230.5无效
发明人：官田一智;太田辉之;渡辺诚;福岛义仁 -专利权人：索尼株式会社
申请日： 2003-02-06 - 公布日： 2005-07-20 - 主分类号： G11B11/105 文献下载
摘要：一种光记录/再现方法，可以在具有波长选择在780nm±10nm范围内的记录和再现光、以及物镜的数值孔径NA选择在0.45±0.01范围内的光学系统中使用，其中记录和再现具有不同记录容量的第一和第二光记录介质。通过利用具有至少1.5μm直到1.7μm的轨道间距Tp1和至少70nm直到90nm的凹槽深度d1的基底来形成所述第一光记录介质(10)，通过利用具有至少1.2μm直到1.3μm的轨道间距Tp2和至少150nm直到180nm的凹槽深度d2的基底(11)来构成所述第二光记录介质(20)。这样，第二光记录介质能与现有光盘(第一光记录介质)兼容，并以高记录密度记录运动图像。
光学记录再现方法介质

[发明专利]磁场发生器和光磁信息存储装置-CN02829351.7有效
发明人：吉川浩宁 -专利权人：富士通株式会社
申请日： 2002-12-26 - 公布日： 2005-07-13 - 主分类号： G11B11/105 文献下载
摘要：本发明的目的是提供一种允许用诸如覆镀的简单制造技术制造并能够抑制涡流产生的磁场发生器，以及能够进行高速数据记录和重现的光磁信息存储装置。其具有环绕内孔的环形线圈(311)和多个磁棒(312)，磁棒(312)以线圈(311)的内孔为中心径向布置以交叠线圈(311)，磁棒(312)与线圈(311)绝缘并由磁性材料构成，每个棒的最大宽度不大于最小宽度的两倍。
磁场发生器信息存储装置

友情链接：交换友情链接需要网站权重大于4，网站收录10W以上，如符合条件，请联系QQ：76009968。

关于我们寻求报道投稿须知广告合作版权声明网站地图友情链接企业标识联系我们

在线咨询

400-8765-105周一至周五 9:00-18:00

版权所有钻瓜科技（天津）有限公司津ICP备15000985号津公网安备 12019202000206号http://www.vipzhuanli.com/公布日期

咨询在线客服

咨询在线客服

tel code back_top