专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]电路虚拟实验建立方法-CN201810294463.1有效
  • 李亮 - 浙江传媒学院
  • 2018-03-30 - 2023-06-23 - G06F30/30
  • 本发明公开了一种电路虚拟实验建立方法,包括:S10建立电路单元,电路单元包括输入端点、输出端点以及处于输入端点和输出端点之间的可调节器件,并构建电路单元库;S20采用网络分析法,建立电路单元的数学模型,并根据该数学模型建立相应的电路单元的数据处理分支;S30使用电路单元,在虚拟实验区域建立虚拟实验电路,并遍历虚拟实验电路;S40对虚拟实验电路进行流程化处理;S50构建虚拟实验仪器,并建立虚拟实验仪器数学模型;S60运行虚拟实验电路以生成虚拟波形或者完成测试运算。该方法对虚拟实验电路采用网络化分析方法,应用多媒体技术手段,实现复杂的虚拟实验电路的搭建,以及实验运行结果的生成,实现对复杂的虚拟实验电路的实验过程的复现。
  • 电路虚拟实验建立方法
  • [发明专利]一种芯片集成设计方法-CN202210502679.9有效
  • 张辅云;刁永翔;李兵 - 无锡众星微系统技术有限公司
  • 2022-05-10 - 2023-06-06 - G06F30/30
  • 本发明提供了一种芯片集成设计方法,该方法包括:在模板中定义芯片各模块的层次结构;在模板中设置模块的RTL文件路径,同时设置模块名,以及是否属于待生成RTL代码的模块;对已生成RTL代码的模块的RTL文件进行分析,提取模块的端口连接信息和参数信息;接收用户在模板中添加的模块间未连接端口的连接信息及模块的实例化参数值;利用脚本工具分析添加后的模板,对待生成RTL代码的模块生成模块的RTL代码;对已定义端口连接信息的模块生成对应的端口连接,对已定义参数值的模块利用已定义参数值对模块进行实例化。本发明通过自动生成RTL设计代码避免了人为错误,通过快速收敛的芯片集成设计过程提高了芯片集成的设计开发效率。
  • 一种芯片集成设计方法
  • [发明专利]一种仿真方法和装置及可读存储介质-CN201911025744.8有效
  • 王正楠 - 上海华虹宏力半导体制造有限公司
  • 2019-10-25 - 2023-06-02 - G06F30/30
  • 本发明公开了一种仿真方法和装置及可读存储介质,在SPICE仿真系统中采用的三端电路等效电路模型基础上,在模型中加入了修正电路,利用所述修正电路来仿真所述电阻模块的电阻衬偏效应,可以在SPICE仿真系统中反映电阻的电阻衬偏效应。因此,根据所述电阻模块的仿真模型和仿真参数获取的仿真结果可以更好地反映实际电路中电阻的电阻衬偏效应,有效提高了SPICE仿真系统的仿真精度,从而获得更为精确的电路仿真结果。还可通过拟合调试来获取所述电阻模块的衬偏电压的一阶电压修正系数、所述电阻模块的衬偏电压的二阶电压修正系数以及所述电阻模块的衬偏电压随电阻宽度变化的修正系数。从而能较好的实现电阻随不同衬偏电压变化而变化的特性,较好的反映了电阻的电阻衬偏效应。
  • 一种仿真方法装置可读存储介质
  • [发明专利]一种芯片设计方法、装置及相关设备-CN202211576375.3在审
  • 张亚光 - 海光集成电路设计(北京)有限公司
  • 2022-12-09 - 2023-05-30 - G06F30/30
  • 本发明实施例提供一种芯片设计方法、装置及相关设备,所述方法包括:获取处理系统中多个芯片的电压域信息;根据所述电压域信息,确定多个芯片中的共享电压域信息,所述共享电压域信息用于指示至少被2个芯片共享的电压域;基于预设规则,以及所述共享电压域信息,配置所述处理系统的共享静电钳位电路;其中,所述共享静电钳位电路至少被2个芯片共享;所述预设规则至少包括:在n个芯片共享电压域时,配置由所述n个芯片共享的共享静电钳位电路,n为大于或等于2的整数。本发明实施例能够在实现芯片的静电防护情况下,有效节约芯片面积。
  • 一种芯片设计方法装置相关设备
  • [发明专利]一种Si基IMPATT二极管射频输出功率的温度修正计算方法-CN202310040511.5在审
  • 朱晓波;刘业;黄同德;吴文;顾文华 - 南京理工大学
  • 2023-01-13 - 2023-05-26 - G06F30/30
  • 本发明公开了一种Si基IMPATT二极管射频输出功率的温度修正计算方法,首先对载流子迁移率、碰撞电离率进行温度效应关联修正,并在此基础上确定IMPATT管的击穿电压与载流子碰撞电离率的关系,建立Si基IMPATT管临界电场Em、击穿电压VB与结温T的关系式;其次求解器件方程,结合载流子迁移率、碰撞电离率,建立负电导GD的温度特性模型;最后根据射频输出功率计算式,结合击穿电压VB和二极管负电导GD模型,构建射频输出功率的温度修正模型。本方法在传统Si基IMPATT二极管射频输出功率数值计算模型基础上,通过材料参数测试、经验参数拟合、神经网络训练等多种方法,建立相关特征参数温度依赖关系,提高了Si基IMPATT二极管射频输出功率仿真模型在高低温条件下的计算精度。
  • 一种siimpatt二极管射频输出功率温度修正计算方法

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