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[发明专利]管理非易失性存储器(NVM)中的多个名称空间-CN201810547709.1有效
发明人： M·伊什;S·S·威廉斯;J·蒙希尔 -专利权人：希捷科技有限公司
申请日： 2018-05-31 - 公布日： 2023-07-07 - 主分类号： G06F12/02 文献下载
摘要：本发明题为“管理非易失性存储器(NVM)中的多个名称空间”。本发明公开了用于管理非易失性存储器快速(NVMe)控制器环境中的名称空间的装置和方法。非易失性存储器(NVM)被布置成将映射单元(MU)作为可寻址数据块存储在一个或多个名称空间中。前向映射具有一系列映射单元地址(MUA)条目，这些条目将MU中的每一个与NVM中的物理位置相关联。MUA条目被分组成名称空间中的每一个的紧邻的连续范围。基础MUA阵列识别每个名称空间的起始MUA条目在前向映射内的地址。可以通过将新范围的MUA条目紧接在最后一个MUA条目之后附加到前向映射，并且通过向基础MUA阵列添加新条目来识别新名称空间的起始MUA条目在前向映射内的地址，从而可添加新的名称空间。
管理非易失性存储器 nvm 中的名称空间

[发明专利]Spi Nand flash坏块管理方法和系统-CN202310339626.4在审
发明人：黄柱光;张波 -专利权人：深圳市芯存科技有限公司
申请日： 2023-03-27 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： G06F12/02 文献下载
摘要：本发明的目的是提供Spi Nand flash坏块管理方法和系统，该方法包括：构建逻辑组件；构建可视化编排区；使用者从逻辑组件中拖拽组件到可视化编排区，完成逻辑编排测试程序，从程序的报警状态显示Spi Nand flash坏块，并删除坏块。该方法可以使得芯片的内部环境可视化管理，从而可以明确知道哪些模块是否出现问题，从而方便用户规划数据写入的空间。
spi nand flash 管理方法系统

[发明专利]多级存储器装置性能通知-CN202180050367.2在审
发明人：梁卿;M·余;何德平 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2021-08-05 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： G06F12/02 文献下载
摘要：本发明描述用于多级存储器装置性能通知的方法、系统和装置。存储器系统可包含与第一性能等级相关联的第一类型的第一存储器单元集和与第二性能等级相关联的第二类型的第二存储器单元集。所述存储器系统可具有接口和与所述第一存储器单元集和所述第二存储器单元集耦合的控制电路。所述控制电路可配置成确定与所述第一性能等级和所述第二性能等级之间的转换相关联的第一参数。所述控制电路还可配置成至少部分地基于确定所述第一参数而将所述第一参数存储在第一寄存器中。
多级存储器装置性能通知

[发明专利]数据写入方法、存储器控制电路单元以及存储器存储装置-CN201910362079.5有效
发明人：杨杰;林仪玹;黄泰元;林炳全 -专利权人：群联电子股份有限公司
申请日： 2019-04-30 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： G06F12/02 文献下载
摘要：本发明提供一种数据写入方法、存储器控制电路单元以及存储器存储装置。所述方法包括：从主机系统接收第一写入指令；当可用以写入的实体抹除单元的数量大于第一门槛值时，从可用以写入的实体抹除单元中选择第一实体抹除单元，并使用单页程序化模式或多页程序化模式将对应第一写入指令的数据写入至第一实体抹除单元中；以及当可用以写入的实体抹除单元的数量非大于第一门槛值时，从可用以写入的实体抹除单元中选择第二实体抹除单元，并仅使用单页程序化模式将对应第一写入指令的数据写入至第二实体抹除单元中。
数据写入方法存储器控制电路单元以及存储装置

[发明专利]数据存储装置及该数据存储装置的操作方法-CN201910138695.2有效
发明人：李周映;洪性宽 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2019-02-25 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： G06F12/02 文献下载
摘要：本发明提供一种用于控制非易失性存储器装置的控制器，该控制器包括：读取计数表，包括多个读取计数数据，其中每个读取计数数据包括一个数据存储区域的读取计数值；读取计数地址表，包括读取计数地址，该读取计数地址指示存储读取计数数据的存储器区域的地址；闪存转换层(FTL)，控制非易失性存储器装置的操作，并且管理读取计数表和读取计数地址表；以及闪存接口层(FIL)，控制FTL和非易失性存储器装置之间的数据通信，并且当对数据存储区域执行了读取操作时，基于读取计数地址来更新读取计数值。
数据存储装置操作方法

[发明专利]数据存储装置及其操作方法-CN202211578310.2在审
发明人：姜寭美 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2022-12-09 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： G06F12/02 文献下载
摘要：本申请公开了一种数据存储装置及其操作方法。数据存储装置可以包括存储装置和控制器。存储装置可以包括第一物理地址范围的第一区域和第二物理地址范围的第二区域。控制器可以生成包括多个映射区段、第一区段条目和第二区段条目的映射数据，并且将除了第一映射区段之外的映射数据存储在第二区域中。映射区段中的每一个包括与多个顺序逻辑地址相对应的物理地址组。第一区段条目包括与第一映射区段相关联并且属于第一物理地址范围的第一区段物理地址，并且第二区段条目包括与第二映射区段相关联并且属于第二物理地址范围的第二区段物理地址。
数据存储装置及其操作方法

[发明专利]用于优化碎片整理操作期间的写入放大因子、耐久性和时延的存储系统和方法-CN202210486599.9在审
发明人： E·齐伯尔斯坦;H·奥辛斯基;O·B·哈云;R·赛拉;A·伦贝格 -专利权人：西部数据技术公司
申请日： 2022-05-06 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： G06F12/02 文献下载
摘要：一种存储系统以碎片整理单元的分辨率分析数据的逻辑块地址范围。所述存储系统确定给定碎片整理单元是否碎片化高于阈值且相应地执行碎片整理操作。另外或替代地，所述存储系统可从主机接收所建议的逻辑块地址读取次序以改进性能。
用于优化碎片整理操作期间写入放大因子耐久性存储系统方法

[发明专利]一种内存垃圾的回收方法及电子设备-CN202310182903.5在审
发明人：种洋;朱金鹏;肖继伟 -专利权人：荣耀终端有限公司
申请日： 2022-09-30 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： G06F12/02 文献下载
摘要：本申请提供一种内存垃圾的回收方法及电子设备，涉及终端技术领域。解决电子设备内GC能耗高以及常驻内存多的问题。具体方案为：接收用户针对第一应用的第一操作；响应于第一操作，启动第一应用。在第一应用GC后占用内存大小为第一内存数值的场景下，如果第一应用占用的内存大小由第一内存数值达到第一预设阈值，再次针对第一应用进行GC；接收用户针对第二应用的第二操作；响应于第二操作，启动第二应用，在第二应用GC后占用内存大小为第一内存数值的场景下，如果第二应用占用的内存大小由第一内存数值达到第二预设阈值时，再次针对第二应用进行GC，其中，第二预设阈值小于第一预设阈值，第二应用的应用程序安装包的大小小于第一应用。
一种内存垃圾回收方法电子设备

[发明专利]用于量化存储碎片和预测性能下降的存储系统和方法-CN202210597029.7在审
发明人： E·齐伯尔斯坦;H·奥辛斯基;M·苏利曼;K·因巴尔 -专利权人：西部数据技术公司
申请日： 2022-05-30 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： G06F12/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种存储系统，该存储系统确定针对多个逻辑块地址范围中的每个逻辑块地址范围的存储器碎片级。根据以下项确定针对给定逻辑块地址范围的存储器碎片级：读取处于其当前碎片状态的该逻辑块地址范围所需的存储器感测的数量，以及读取假设没有碎片的该逻辑块地址范围所需的存储器感测的数量。存储器碎片级与针对该逻辑块地址范围的顺序读取性能相关，因为存储器碎片级增加导致顺序读取性能降低。
用于量化存储碎片预测性能下降存储系统方法

[发明专利]数据处理方法及相关设备-CN202080106444.7在审
发明人：苏杰;刘光辉 -专利权人：华为技术有限公司
申请日： 2020-11-30 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： G06F12/02 文献下载
摘要：本申请公开了一种数据处理方法及相关设备，该方法应用于计算机系统，当主设备要对第一数据进行更新或舍弃的时候，可以向存储控制器发送包括读指令和删除指令的指示命令，以使得存储控制器从所管理的存储阵列读取并返回第一数据，并删除该第一数据，该指示命令只进行一次交互，即可同时实现读指令和删除指令，减少了交互次数，并且存储控制器删除第一数据不需要等待主设备再次下发删除命令，可以减少写放大。
数据处理方法相关设备

[发明专利]一种高性能读写链表缓存的装置及方法-CN202111183720.2有效
发明人：朱修利 -专利权人：芯河半导体科技（无锡）有限公司
申请日： 2021-10-11 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： G06F12/02 文献下载
摘要：本发明涉及数据处理技术领域，尤其涉及一种高性能读写链表缓存的装置，包括访问窗口控制模块、入队push的buffer缓存、出队pop的buffer缓存、链表RAM和读写冲突模块，所述访问窗口控制模块用于保证push不在pop访问链表RAM窗口内；入队push的buffer缓存和出队pop的buffer缓存用于使链表RAM的入队和出队处理不会因为上下游模块数据没有准备好而空闲；所述的读写冲突模块用于监控入队和出队冲突操作。本发明把入队push和出队pop独立开来，使得push和pop对链表的访问同时进行，提高了读写链表缓存的效率。
一种性能读写缓存装置方法

[发明专利]使用低延迟非易失性存储器进行逻辑至物理映射管理-CN201911256033.1有效
发明人： A·H·戈拉米普尔;M·D·米兰;C·米什拉;N·杨;陶俊 -专利权人：西部数据技术公司
申请日： 2019-12-10 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： G06F12/02 文献下载
摘要：本发明题为“使用低延迟非易失性存储器进行逻辑至物理映射管理”。本发明公开了用于使用低延迟NVM来提供逻辑至物理(L2P)表管理以减少固态驱动器(SSD)随机存取存储器(RAM)占有面积的系统和方法。一种方法，该方法包括针对指向逻辑地址的操作，确定逻辑地址至闪存存储器中的物理地址的逻辑至物理(L2P)映射。该方法还包括将包括L2P映射的数据条目添加到RAM中的开放日志结构。该方法还包括将包括L2P映射的日志条目添加到RAM中的缓冲区。该方法还包括响应于确定缓冲区已满足大小阈值而将缓冲区刷新到低延迟NVM存储器。还描述了读取、快照和L2P表恢复。
使用延迟非易失性存储器进行逻辑物理映射管理

[发明专利]一种动态增强FLASH擦写次数的方法及系统-CN202011062884.5有效
发明人：苏昆;肖灵;何涛;董逢华 -专利权人：武汉天喻信息产业股份有限公司
申请日： 2020-09-30 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： G06F12/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种动态增强FLASH擦写次数的方法及系统，涉及智能卡领域，该方法包括写FLASH数据和读FLASH数据操作，所述写FLASH数据操作包括：获取待写数据及待写数据的目标地址；按照页对齐方式将待写数据的目标地址分成多个待写地址，待写数据分成多个待写数据块，且目标地址的待写地址和待写数据的待写数据块之间相对应；依次判断每个待写地址是否为坏页，若是，则获取当前待写地址对应的新页，并将当前待写地址对应的待写数据块写入该新页的地址中；若否，则在当前待写地址中写入对应的待写数据块；本发明能够有效提升FLASH的使用效率。
一种动态增强 flash 擦写次数方法系统

[发明专利]基于位旗标草图的存储器管理的方法及利用所述方法的存储器装置-CN201880029965.X有效
发明人： S·E·布拉德肖 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2018-03-13 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： G06F12/02 文献下载
摘要：本发明描述一种存储器装置，其具有存储器阵列及可操作地耦合到所述存储器阵列的控制器。所述控制器经配置以存储包括d行及w列的草图，其中d及w是正整数。每一行对应于d个散列函数中的不同一者。所述控制器还经配置以检测与存储器地址相关联的事件且利用所述d个散列函数中的每一者对所述存储器地址进行散列运算以产生对应的d个草图位置。所述控制器进一步经配置以针对所述d个草图位置中的每一者，在尚未设定检测窗旗标的情况下设定所述检测窗旗标且将所存储草图值调整对应于所述事件的量。所述控制器还经配置以评估对应于所述d个草图位置中的每一者中的所述所存储草图值的概括度量以确定是否已达到阈值。
基于旗标草图存储器管理方法利用装置

[发明专利]具有数据整形存储器分区的非易失性存储系统-CN201910884919.4有效
发明人： A·纳沃;E·莎伦;I·阿尔罗德;A·巴扎斯基 -专利权人：西部数据技术公司
申请日： 2019-09-19 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： G06F12/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种非易失性存储装置，包括非易失性存储和连接到所述非易失性存储的控制电路。所述非易失性存储结构被组织成多个分区。每个分区都被预先分配到不同的数据整形水平。要存储在所述非易失性存储中的数据基于其熵来整形。所述控制电路被配置为将整形数据写入多个分区中的被预先分配到与整形数据相同的整形水平的分区。
具有数据整形存储器分区非易失性存储系统