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[发明专利]一种制备双层单晶石墨烯的方法-CN202110215730.3有效
发明人：徐小志;梁智华;曾凡凯;王然;唐志列 -专利权人：华南师范大学
申请日： 2021-02-26 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： C30B29/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种制备双层单晶石墨烯的方法，该方法包括如下步骤：1)将含碳类化合物和铜箔放置于刚玉盒中，再将所述刚玉盒放置于气相沉积炉中；2)往所述气相沉积炉内通入氩气和氢气，将所述气相沉积炉加热至高温1030‑1045℃；3)保持所述气相沉积炉的温度，增大氢气的通入量，将所述铜箔退火；4)往所述气相沉积炉内通入甲烷，减小氢气的通入量，开始双层单晶石墨烯在所述铜箔上的生长过程；5)双层单晶石墨烯生长完毕后，停止通入甲烷，使所述气相沉积炉在氢气和氩气的氛围下自然冷却到室温。本发明的方法通过简单方便的方式优化双层石墨烯的生长，生长出质量高的双层单晶石墨烯，该方法具有步骤简单、制备条件易于控制的优点。
一种制备双层晶石方法

[发明专利]一种单晶铜纳米线的制备方法-CN202210559422.7在审
发明人：高建军;徐佳星;庄丹;刘志扬;朱霖鹏 -专利权人：福州大学
申请日： 2022-05-23 - 公布日： 2022-08-05 - 主分类号： C30B29/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种单晶铜纳米线的制备方法，是一种基于二元共晶合金系制备单晶金属铜纳米线的方法，采用定向生长结合选择性腐蚀技术，以二元共晶合金为基础，通过定生长技术制备具有铜纤维相的共晶合金，然后根据共晶体组成相的电极电位差异性，在合适的溶液中腐蚀去除基体相，从而获得单晶铜纳米线。本发明的制备过程简单可控，铜纳米线的形貌和分布可根据生长速率以及腐蚀时间调控，纳米线的尺寸控制精度高。制备出的单晶铜纳米线可以作为柔性电极中的柔性基体材料。采用定向生长结合选择性腐蚀的方法为制备单晶铜纳米线提供了新的方法。
一种单晶铜纳米制备方法

[实用新型]一种用于生产重掺单晶锑的单晶炉设备-CN202220792379.4有效
发明人：高剑涛;苏波;周小渊;任伟;温洋;沈自阳;吴建成;马占东 -专利权人：宁夏中晶半导体材料有限公司
申请日： 2022-04-07 - 公布日： 2022-07-26 - 主分类号： C30B29/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种用于生产重掺单晶锑的单晶炉设备，属于单晶锑生产技术领域，其技术方案要点包括与单晶炉设备连通的连接管，所述连接管的顶端通过法兰盘连通有小通径调节阀，所述小通径调节阀的顶端通过法兰盘连通有排气管，所述排气管的内部设置有防反气装置，通过小通径调节阀的设置，提高了对炉压控制的精确度，而且小通径调节阀可以形成压力差，使得排气流速加快，减少了管道堵塞，通过防反气装置的设置，可以防止炉气反流，具体为炉气进入安装筒的内部，从阀芯的顶部排出，当发生反气情况时，反气会推动阀芯向下移动，使得阀芯的外壁底端与安装筒的内壁紧密接触，对安装筒进行封堵，有效防止了炉气回流，避免影响产品的质量。
一种用于生产重掺单晶锑单晶炉设备

[实用新型]一种用于生产超高纯砷棒的装置-CN202123160610.2有效
发明人：陈伟杰;白平平;周铁军;李旺森 -专利权人：广东先导微电子科技有限公司
申请日： 2021-12-15 - 公布日： 2022-06-28 - 主分类号： C30B29/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种用于生产超高纯砷棒的装置，旨在可以一管生成多根超高纯砷棒，提高产率，降低生产成本，其技术方案：一种用于生产超高纯砷棒的装置，包括石英管，所述石英管包括粗管体，所述粗管体的一端为开口、另一端上均匀布置有多个细管体，多个所述细管体均沿远离粗管体的方向延伸并与粗管体的长度方向相平行，所述细管体靠近粗管体的一端为开放端并与粗管体连通，其远离粗管体的一端为封闭端，属于半导体材料生产技术领域。
一种用于生产高纯装置

[发明专利]一种单晶铟微米片及其合成方法、应用-CN202110906900.2有效
发明人：胡锦莲;高创 -专利权人：安徽工业大学
申请日： 2021-08-09 - 公布日： 2022-06-03 - 主分类号： C30B29/02 文献下载
摘要：本发明提供一种单晶铟微米片及其合成方法、应用，在有机溶剂中用化学方法合成。本发明所合成的铟微米片由厚度为35～80nm，长度为5～50μm，宽度为0.5～5μm或宽度为5～50μm的单晶铟构成。在惰性气氛下，将铟盐、柠檬酸盐和多元醇混合后，边搅拌边加热溶解，然后在70～150℃或室温下加入还原剂硼氢化盐进行还原反应，最后经快速冷却或直接在室温下，得到单晶铟微米片。本发明制备过程简单，一步湿化学合成结合后续快速冷却，或直接室温还原，实验要求较低，是一种操作方便且绿色环保的制备方法。
一种单晶铟微米及其合成方法应用

[发明专利]一种晶体红磷纳米线及其制备方法-CN202110460543.1有效
发明人：许并社;张帅;马淑芳;陈炤汝;马寒羽 -专利权人：陕西科技大学
申请日： 2021-04-27 - 公布日： 2022-05-31 - 主分类号： C30B29/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种晶体红磷纳米线及其制备方法，属于红磷制备技术领域，包括以下步骤：以红磷、碘和锡单质为原料，在真空密封条件下，并控制压力值1.0～5.3MPa，随后程序升温至612‑628℃下进行热处理，之后分段冷却至室温，即得晶体红磷纳米线。本发明以红磷、碘和锡为原料，控制压力1.0～5.3MPa时，导致红磷的结晶动力学不稳定性下降，矿化剂的作用不足以达到较低的能量状态，只能形成晶体红磷纳米线，获得了超长晶体红磷纳米线，同时也为研究一维纳米材料奠定基础。
一种晶体红磷纳米及其制备方法

[实用新型]一种连续制备单晶高纯铜的装置-CN202123018820.8有效
发明人：王俊;丁旭 -专利权人：辽宁雪凌金属材料发展有限公司
申请日： 2021-12-03 - 公布日： 2022-05-13 - 主分类号： C30B29/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种连续制备单晶高纯铜的装置，包括第一箱体、第二箱体、传送机构和第三箱体，所述第一箱体的上表面固定安装有安装盒，安装盒的内部固定安装有电机，电机的输出轴延伸至第一箱体的内部并固定安装有搅拌杆，搅拌杆的表面固定安装有搅拌叶片，第一箱体的上表面设置有进料口，第一箱体的内底壁嵌设有加热块。该连续制备单晶高纯铜的装置，通过设置加热块和电机，将铜溶液和适量的氯化氢通过进料口放进第一箱体内，在加热块的作用下对其进行加热使其产生化学反应，在电机的作用下通过搅拌杆带动搅拌叶片转动，搅拌叶片的转动对第一箱体内的混合物进行搅拌，为后续单晶铜的提炼工作带来保障的同时提高了工作效率。
一种连续制备高纯装置

[发明专利]防腐蚀性铜及电真空器件-CN202011227437.0在审
发明人：寇金宗;刘科海;何梦林;王恩哥 -专利权人：松山湖材料实验室
申请日： 2020-11-05 - 公布日： 2022-05-06 - 主分类号： C30B29/02 文献下载
摘要：本申请实施例提供一种防腐蚀性铜及电真空器件，属于电真空设备材料领域。在防腐蚀性铜中，铜晶界数量≤10个/cm2；该防腐蚀性铜为晶畴为Cu(111)、Cu(200)和Cu(220)其中一种的单晶铜，单晶铜的XRD测试的单晶峰强＞3*103。电真空器件具有真空作业元件，该真空作业元件的材质为该防腐蚀性铜。本申请的防腐蚀性铜在单位面积内具有特定的铜晶界数量，且其晶畴具有特定的单晶取向以及单晶峰强，使得铜材料自身具有较好的防腐蚀性能，能够有效改善真空作业元件的腐蚀问题，提高真空作业元件的散热性能和使用寿命。
腐蚀性真空器件

[发明专利]一种具有在高温条件下保持稳定的晶体空间结构的金属材料-CN202011244493.5有效
发明人：李秀艳;周鑫;金朝晖;卢柯;周建城;郑显贵 -专利权人：中国科学院金属研究所
申请日： 2020-11-10 - 公布日： 2022-05-06 - 主分类号： C30B29/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有在高温条件下保持稳定的晶体空间结构的金属材料，属于材料技术领域。该金属材料的晶体空间结构由多个晶粒组成，晶粒间界面具有最小面特征，晶界面积和平均曲率均具有最小化特征。所述金属材料在高温和高应力下保持稳定，可用于高温下各种超常规性能的获得。
一种具有高温条件下保持稳定晶体空间结构金属材料

[发明专利]一种在云母衬底上制备二维碲单晶的方法-CN202110767095.X有效
发明人：招瑜;黄宝权;刘俊;魏爱香 -专利权人：广东工业大学
申请日： 2021-07-07 - 公布日： 2022-04-22 - 主分类号： C30B29/02 文献下载
摘要：本发明涉及二维半导体单晶材料和器件制备技术领域，特别涉及一种在云母衬底上制备二维碲单晶的方法。以In2Te3为生长源，剥离后的云母剥离面为衬底，将剥离后的两片云母片叠放在石英舟的上方，然后将石英舟放置在管式炉内通过气相沉积的方法，制备得到二维碲，本发明具有所需设备和制备工艺简单、生长时间短，可直接得到结晶良好、纯度高、尺寸大的二维碲单晶等优点。
一种云母衬底制备二维碲单晶方法

[发明专利]一种金属砷晶体脱碘方法-CN202110464611.1有效
发明人：梁彦杰;邓方杰;刘振兴;杨志辉;彭聪;赵飞平;周元;康丽;周艺伟 -专利权人：中南大学
申请日： 2021-04-28 - 公布日： 2022-03-25 - 主分类号： C30B29/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种金属砷晶体中残余碘的高效脱除方法。在密闭容器中，加入特制的活性炭核壳材料，将含有碘的待处理金属砷晶体在特定温控体系下进行退火，并同步将退火气氛冷凝处理。本发明在维持As的晶体结构及形态条件下，有效改善砷和碘的分离选择性，有助于获得超高纯度的抗氧化金属砷晶体。
一种金属晶体方法

[发明专利]一种制备单晶金属箔的方法-CN201810586001.7有效
发明人：黄元 -专利权人：中国科学院物理研究所
申请日： 2018-06-08 - 公布日： 2022-02-11 - 主分类号： C30B29/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种制备单晶金属箔的方法，所述方法包括以下步骤：(1)将纯度在99.9wt％以上的多晶金属箔基本上竖直放置在加热设备中，在真空或保护气氛下，升温至其熔点以下10～100℃的温度进行退火处理；和(2)降温，从而制得单晶金属箔。本发明方法普适性强，可以用于多种金属材料体系，能够简单、高效地制得大面积的单晶金属箔，同时成本低、能耗低，制得的单晶金属箔质量高、形貌均匀。
一种制备金属方法

[发明专利]一种晶体红磷纤维及其高效制备方法-CN202111289911.7在审
发明人：许并社;张帅;马淑芳;王嘉惠 -专利权人：陕西科技大学
申请日： 2021-11-02 - 公布日： 2022-01-21 - 主分类号： C30B29/02 文献下载
摘要：本发明属于晶体磷材料制备技术领域，具体涉及一种晶体红磷纤维及其高效制备方法。所述方法是将红磷粉末加入到密闭环境中，升高温度到580℃以上，保温反应0.5‑5h，反应结束后降温至120℃以下，最后自然冷却至室温，得到晶体磷纤维。本发明提供的所述高效制备晶体红磷纤维的方法，首次实现了无定型红磷向晶体红磷纤维的无催化诱导结晶，材料制备过程操作简单、可稳定合成，市场前景极为广阔。
一种晶体红磷纤维及其高效制备方法

[发明专利]黑磷薄膜反应装置、黑磷薄膜制备方法-CN202111238217.2有效
发明人：张凯;陈程;陈捷 -专利权人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请日： 2021-10-25 - 公布日： 2022-01-07 - 主分类号： C30B29/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种黑磷薄膜反应装置和黑磷薄膜制备方法，所述装置包括真空密闭的反应腔室，所述反应腔室内设置有缓释体，所述缓释体将反应腔室分隔成用以放置反应物的第一反应腔和用以放置生长基底的第二反应腔，所述缓释体内形成有毛细通道，在受热反应过程中控制第二反应腔内的压强小于第一反应腔内的压强。本发明在反应物和生长基底之间设置一段缓释体填充，适度抑制第一反应腔内的气态源向第二反应腔的传输，借此控制生长端的压强不至于过高，也就是第二反应腔的压强小于第一反应腔的压强，提高时间上源供给的均匀性，有效地抑制衬底上的过多成核点的形成，最终得到高结晶质量的单晶薄膜或合金薄膜。
黑磷薄膜反应装置制备方法

[实用新型]一种金属单晶制备装置-CN202121723587.0有效
发明人：王小璐 -专利权人：上海希金维纳新材料科技有限公司
申请日： 2021-07-28 - 公布日： 2022-01-04 - 主分类号： C30B29/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种金属单晶制备装置，包括炉体以及炉体内自上而下依次设置的籽晶杆、与籽晶杆固定的籽晶、保温层、与保温层固定的坩埚盖、与坩埚盖固定的模具、位于保温层围成的空间内的坩埚以及用于支撑坩埚的坩埚支柱，炉体上设进气口且下设出气口，保温层外壁设有为坩埚加热的感应线圈，坩埚支柱与炉体、保温层之间为转动连接，保温层上设开口，籽晶杆与炉体之间为滑动连接，坩埚盖固定于坩埚开口处且模具连通坩埚内腔与籽晶。本实用新型大幅度提升铜原料的成晶率，提升制备材料的单晶质量和工艺重复性；通过模具的介入，可以使得铜熔体按照成品件的形状进行拉制，减少加工成本。
一种金属制备装置