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[发明专利]低色度和颜色稳定的异氰酸基有机硅烷的制造方法和由其衍生的产品-CN201580037758.5有效
发明人： D-T.乌;F.D.门迪西诺;S.R.巴尔;L.赵;J.R.凯尔比;V.库马尔;D.M.威尔科克斯 -专利权人：莫门蒂夫性能材料股份有限公司
申请日： 2015-07-13 - 公布日： 2019-10-11 - 主分类号： C07F7/02 文献下载
摘要：本发明涉及制造相对于已知的异氰酸基硅烷具有低色度和改善的颜色稳定性的异氰酸基有机硅烷的方法、涉及通过所述方法制造的异氰酸基硅烷、和涉及包含通过所述方法制造的异氰酸基有机硅烷的涂料和可用在大量工业中的许多其它工业应用，所述制造方法包括其中用酸将氨基甲酸酯基有机硅烷中间产物中和到等于或大于6.0的pH的中和步骤。
色度颜色稳定氰酸有机硅烷制造方法衍生产品

[发明专利]形成含硅膜的组合物及其使用方法-CN201680016301.0有效
发明人：让-马克·吉拉尔;张鹏;安东尼奥·桑切斯;马尼什·坎德尔沃;根纳迪·伊多;里诺·佩萨雷西 -专利权人：乔治洛德方法研究和开发液化空气有限公司
申请日： 2016-03-30 - 公布日： 2019-09-24 - 主分类号： C07F7/02 文献下载
摘要：披露了经单取代的TSA前体的、形成含硅膜的组合物。这些前体具有式：(SiH₃)₂N‑SiH₂‑X，其中X是选自卤素原子；异氰酸酯基；氨基；含N的C₄‑C₁₀饱和或不饱和杂环；或烷氧基。还披露了使用所披露的经单取代的TSA前体形成含硅膜的方法。
形成含硅膜组合及其使用方法

[发明专利]一种烷氧基氢硅烷单塔反应工业化制备工艺-CN201610655811.4有效
发明人：吴兵兵;刘明锋;陈圣云;甘俊;甘书官 -专利权人：荆州市江汉精细化工有限公司
申请日： 2016-08-12 - 公布日： 2019-04-02 - 主分类号： C07F7/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种烷氧基氢硅烷单塔反应工业化制备工艺，属精细化工技术领域。本发明以含氢单体、醇类为原料，在气、液醇类双向酯化条件下进行反应合成烷氧基氢硅烷产品。本发明采用单塔气相醇类下塔进料，含氢单体中塔进料，液相醇类上塔进料酯化工艺，通过溢流釜可实现准连续化生产，生产过程中严格控制质量比，确保两反应物料等摩尔反应，从而使得各种副反应降到最低。此方法解决了烷氧基氢硅烷现有制备方法的诸多不足，生产效率得到了有效的提高，满足了市场对烷氧基氢硅烷的需求。
一种烷氧基氢硅烷反应工业化制备工艺

[发明专利]酸敏感的吉非替尼轴向取代酞菁硅配合物及其制备方法和在医药上的应用-CN201710872009.5有效
发明人：蒋雄杰;黄华静;梁艳红;刘瑶 -专利权人：深圳市声光动力生物医药科技有限公司
申请日： 2017-09-25 - 公布日： 2019-03-19 - 主分类号： C07F7/02 文献下载
摘要：本发明涉及微酸环境敏感的缩酮连接的吉非替尼轴向取代酞菁硅配合物及其制备方法和在医药上的应用。特别地，本发明涉及通式(I)所示的酞菁硅‑吉非替尼配合物及其制备方法及含有该配合物的药物组合物，以及其作为光敏剂的用途，特别是在治疗癌症中的用途，其中通式(I)中的各取代基与说明书中的定义相同。在正常组织环境下由于酞菁硅基团和吉非替尼基团的相互影响，该配合物有较低的细胞毒性，但在肿瘤组织细胞外微酸环境下，缩酮发生水解反应，水解产物酞菁硅碎片展现极高的光敏活性，而另一水解产物吉非替尼衍生物可以作为表皮生长因子受体(EGFR)酪氨酸酶抑制剂，抑制肿瘤生长。它们可制备成肿瘤细胞外微酸环境和EGFR酪氨酸激酶双靶向的光动力治疗和化疗双疗效抗癌药物。
敏感吉非替尼轴向取代酞菁硅配合及其制备方法医药应用

[实用新型]一种高耐腐蚀性硅烷生产设备-CN201820657873.3有效
发明人：陆国建;李颖;毛小平;季建华 -专利权人：浙江五源科技股份有限公司
申请日： 2018-05-04 - 公布日： 2019-01-22 - 主分类号： C07F7/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种高耐腐蚀性硅烷生产设备，包括罐体、导气管和冷凝器，所述安装板表面固定连接有接地线，所述罐体内腔旋转连接有主轴，所述主轴表面固定连接有陶瓷叶片，所述主轴一侧固定连接有加热盘管，所述罐体内腔表面焊接有镀锌铝合金板，所述镀锌铝合金板表面固定连接有聚四氟乙烯涂层，所述罐体顶部固定连接有蒸馏塔，所述导气管一端固定连接有冷凝器，所述冷凝器一端固定连接有压缩机，所述陶瓷叶片一端固定连接有pvc套管。本实用新型通过接地线把罐体携带的静电导入大地，防止引燃硅烷，通过在罐体内设置耐腐蚀材料，延长设备使用寿命，通过压缩机和冷凝器对硅烷处理然后收集，结构简单维护方便。
冷凝器罐体硅烷本实用新型罐体内腔耐腐蚀性生产设备陶瓷叶片导气管接地线压缩机镀锌聚四氟乙烯涂层铝合金板表面设备使用寿命安装板表面耐腐蚀材料表面焊接罐体顶部硅烷处理加热盘管铝合金板维护方便旋转连接主轴表面静电蒸馏塔引燃携带

[发明专利]酞菁硅配合物、其制备方法及其在医药上的应用-CN201510385988.2有效
发明人：蒋雄杰;黄权华;杨战鏖 -专利权人：深圳华润九新药业有限公司
申请日： 2015-06-30 - 公布日： 2018-11-09 - 主分类号： C07F7/02 文献下载
摘要：本发明涉及酞菁硅配合物、其制备方法及其在医药上的应用。特别地，本发明涉及通式(I)所示的酞菁硅配合物、其制备方法及含有该配合物的药物组合物，以及其作为光敏剂的用途，特别是在治疗癌症中的用途，其中通式(I)中的各取代基与说明书中的定义相同。
酞菁硅配合制备方法及其医药应用

[发明专利]用于烯烃聚合的催化剂体系-CN201480053629.0有效
发明人： M·A·苏德维尔德;J·B·萨伊纳尼;M·P·维马尔库马 -专利权人：沙特基础工业公司;SABIC环球技术有限责任公司
申请日： 2014-08-11 - 公布日： 2018-09-28 - 主分类号： C07F7/02 文献下载
摘要：本发明涉及包含主催化剂、助催化剂和外部电子给体的催化剂体系，其中该外部电子给体包括具有根据式I的结构的化合物：Si(L)n(OR11)4‑n(式I)，其中，Si为具有价态4+的硅原子；O为具有价态2‑的氧原子且O经由硅氧键与Si键合；n为1、2、3或4；R11选自具有至多20个碳原子的直链、支链和环状烷基和取代的和未取代的具有6‑20个碳原子的芳族烃基；L为式II表示的基团，其中，L经由氮硅键与所述硅原子键合；L在氮原子上具有单取代基，其中该单取代基为亚胺碳原子；以及X和Y独立地选自氢原子；选自IUPAC元素周期表第13、14、15、16或17族的杂原子；具有至多20个碳原子的直链、支链和环状烷基，该烷基任选地含有选自IUPAC元素周期表第13、14、15、16或17族的杂原子，和具有6‑20个碳原子的取代的和未取代的芳族烃基，该芳族烃基任选地含有选自IUPAC元素周期表第13、14、15、16或17族的杂原子。Si(L)n(OR11)4‑n(式I)，
用于烯烃聚合催化剂体系

[发明专利]有机氨基乙硅烷前体和包含该前体的薄膜沉积的方法-CN201810308231.7在审
发明人：萧满超;雷新建;D·P·斯彭斯;H·钱德拉;韩冰;M·L·奥内尔;S·G·玛约加;A·玛利卡尔朱南 -专利权人：弗萨姆材料美国有限责任公司
申请日： 2013-06-03 - 公布日： 2018-09-21 - 主分类号： C07F7/02 文献下载
摘要：本文描述了形成含硅薄膜的前体和方法。一方面，提供式I的前体：其中R1选自直链或支链C3‑C10烷基、直链或支链C3‑C10烯基、直链或支链C3‑C10炔基、C1‑C6二烷基氨基、吸电子基团和C6‑C10芳基；R2选自氢、直链或支链C1‑C10烷基、直链或支链C3‑C6烯基、直链或支链C3‑C6炔基、C1‑C6二烷基氨基、C6‑C10芳基、直链或支链C1‑C6氟化烷基、吸电子基团和C4‑C10芳基；任选地其中R1和R2连接在一起形成选自取代或未取代的芳族环或者取代或未取代的脂族环的环；且n＝1或2。
直链或支链前体芳基烷基二烷基氨基吸电子基团炔基烯基薄膜沉积氟化烷基含硅薄膜有机氨基芳族环乙硅烷脂族环

[发明专利]选择性合成三烷氧基硅烷的方法-CN201680064579.5在审
发明人：菲德利斯·赤果纳多;保罗·瓦兹 -专利权人：纳尔逊曼德拉城市大学
申请日： 2016-10-18 - 公布日： 2018-08-31 - 主分类号： C07F7/02 文献下载
摘要：本发明提供了用于选择性合成具有式SiH(OR)3的三烷氧基硅烷的直接无溶剂方法，该方法包括在填充床反应器中提供金属硅和铜基催化剂的混合物，其中金属硅和硅‑催化剂混合物均不经过任何洗涤步骤。权利要求1涉及用于选择性合成具有式SiH(OR)3的三烷氧基硅烷的直接无溶剂方法，其中每个R为C1‑C4烷基，该方法包括以下步骤：在填充床反应器中提供金属硅和铜基催化剂的混合物；在约180℃至约250℃的活化温度下加热所述混合物；在约180℃至小于约250℃的反应温度下将C1‑C4醇引入所述反应器中；在换热器中将反应产物冷凝；以及收集冷凝的反应产物，其中金属硅和硅‑催化剂混合物均不经过包括氢氟酸(HF)洗涤步骤在内的任何洗涤步骤。
金属硅三烷氧基硅烷选择性合成洗涤步骤混合物催化剂混合物填充床反应器铜基催化剂冷凝无溶剂烷基反应器换热器氢氟酸活化加热引入

[发明专利]一种季铵盐化荧光硅点及其制备方法与应用-CN201610255161.4有效
发明人：吴富根;张晓东;陈晓凯;杨婧婧 -专利权人：东南大学
申请日： 2016-04-21 - 公布日： 2018-08-21 - 主分类号： C07F7/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种季铵盐化荧光硅点，它包括一个含硅元素的纳米颗粒和共价接枝在纳米颗粒表面的烷基甜菜碱。本发明还公开了前述季铵盐化荧光硅点的制备方法及其在抗菌和细菌成像方面的应用。与现有技术相比，本发明利用烷基甜菜碱，一步反应就对表面带有氨基的硅点季铵盐化，在保持硅点良好水溶性的同时，又赋予硅点优良的选择性抗菌和细菌成像效果。除此之外，季铵盐化的硅点还具有纯净度高、无需外加荧光标记、稳定性好、制备成本低等优点。
一种铵盐荧光及其制备方法应用

[发明专利]多面体低聚倍半硅氧烷纳米晶体稳定化配体-CN201480022802.0有效
发明人： W·P·弗里曼;P·T·弗鲁塔;R·杜布朗;J·W·帕斯 -专利权人：纳米系统公司
申请日： 2014-03-13 - 公布日： 2018-06-08 - 主分类号： C07F7/02 文献下载
摘要：提供了具有倍半硅氧烷结构部分的量子点结合配体。该量子点结合配体包括与倍半硅氧烷结构部分组合的多个胺或羧基结合配体，其为被结合的量子点提供改进的稳定性。本发明的配体和涂覆的纳米结构适用于密堆纳米结构组合物，所述组合物可以具有改进的量子限制和/或减少的纳米结构之间的串扰。
结合配体量子点倍半硅氧烷纳米结构多面体低聚倍半硅氧烷纳米结构组合物稳定化配体量子限制纳米晶体串扰配体涂覆羧基改进

[发明专利]有机氨基乙硅烷前体和包含该前体的薄膜沉积的方法-CN201310220939.4有效
发明人：萧满超;雷新建;D·P·斯彭斯;H·钱德拉;韩冰;M·L·奥内尔;S·G·玛约加;A·玛利卡尔朱南 -专利权人：弗萨姆材料美国有限责任公司
申请日： 2013-06-03 - 公布日： 2018-05-01 - 主分类号： C07F7/02 文献下载
摘要：本文描述了形成含硅薄膜的前体和方法。一方面，提供式I的前体其中R1选自直链或支链C3‑C10烷基、直链或支链C3‑C10烯基、直链或支链C3‑C10炔基、C1‑C6二烷基氨基、吸电子基团和C6‑C10芳基；R2选自氢、直链或支链C1‑C10烷基、直链或支链C3‑C6烯基、直链或支链C3‑C6炔基、C1‑C6二烷基氨基、C6‑C10芳基、直链或支链C1‑C6氟化烷基、吸电子基团和C4‑C10芳基；任选地其中R1和R2连接在一起形成选自取代或未取代的芳族环或者取代或未取代的脂族环的环；且n＝1或2。
有机氨基硅烷包含薄膜沉积方法

[发明专利]2，2，4，4-四甲硅烷基五硅烷及其组合物、方法和用途-CN201480054107.2有效
发明人：萧冰·周 -专利权人：道康宁公司
申请日： 2014-09-03 - 公布日： 2018-04-27 - 主分类号： C07F7/02 文献下载
摘要：本发明公开了作为2，2，4，4‑四甲硅烷基五硅烷的化合物、包含其的化学组合物、制备和纯化2，2，4，4‑四甲硅烷基五硅烷的方法、由此制备的纯化的2，2，4，4‑四甲硅烷基五硅烷以及使用2，2，4，4‑四甲硅烷基五硅烷作为前体来形成含硅材料的方法。
硅烷及其组合方法用途

[发明专利]卤代有机氨基硅烷前体及包含该前体的薄膜沉积方法-CN201711096518.X在审
发明人：萧满超;雷新建;M·L·奥内尔;韩冰;R·M·皮尔斯泰恩;H·钱德拉;H·R·伯文;A·德雷克斯凯-科瓦克斯 -专利权人：弗萨姆材料美国有限责任公司
申请日： 2012-09-27 - 公布日： 2018-03-30 - 主分类号： C07F7/02 文献下载
摘要：本发明描述了形成薄膜的前体和方法。在一个方面，提供了具有下式I的硅前体XmR1nHpSi(NR2R3)4‑m‑n‑p I其中X选自Cl、Br、I；R1选自直链或支链C1‑C10烷基、C2‑C12烯基、C2‑C12炔基、C4‑C10环烷基和C6‑C10芳基；R2选自直链或支链C1‑C10烷基、C3‑C12烯基、C3‑C12炔基、C4‑C10环烷基和C6‑C10芳基；R3选自支链C3‑C10烷基、C3‑C12烯基、C3‑C12炔基、C4‑C10环烷基和C6‑C10芳基；m是1或2；n是0、1或2；p是0、1或2；且m+n+p小于4，其中R2和R3连接形成环或不连接。
有机氨基硅烷包含薄膜沉积方法

[发明专利]氮杂聚硅烷前体和沉积包含该前体的薄膜的方法-CN201410295578.4有效
发明人：萧满超;雷新建;D·P·斯潘斯 -专利权人：弗萨姆材料美国有限责任公司
申请日： 2014-06-26 - 公布日： 2018-01-19 - 主分类号： C07F7/02 文献下载
摘要：本文描述了用于形成含硅薄膜的前体和方法。一方面，提供包含至少两个Si‑N键、至少一个Si‑Si键和至少两个SiH2基团的氮杂聚硅烷前体，由下式IA、IB和IC表示其中R1和R2独立地选自直链或支链C1‑C10烷基、直链或支链C3‑C10烯基、直链或支链C3‑C10炔基、C3‑C10环烷基、C3‑C10杂环烷基、C5‑C10芳基、C3‑C10杂芳基、C2‑C10二烷基氨基和C3‑C10环烷基氨基；R3和R4独立地选自氢、直链或支链C1‑C10烷基、直链或支链C2‑C10烯基、直链或支链C2‑C10炔基、C3‑C10环烷基、C3‑C10杂环烷基、C5‑C10芳基、C3‑C10杂芳基、C2‑C10二烷基氨基、和C3‑C10环烷基氨基；其中式IA中的R1不能为甲基，式IB中的R1和R2不能同时为异丙基、叔丁基和苄基且R3和R4不能同时为甲基和苯基。
氮杂聚硅烷沉积包含薄膜方法