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[发明专利]有序介孔炭材料的合成工艺-CN201410635678.7在审
发明人：赵建英 -专利权人：赵建英
申请日： 2014-11-13 - 公布日： 2016-05-18 - 主分类号： C01B31/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种有序介孔炭材料的合成工艺，在一定条件下，用硫酸，三嵌段表面活性剂(P123：E020P070E020)、正硅酸乙酯和蔗糖混合并搅拌，经过溶胶-凝胶，晶化与预炭化得到无机/有机复合物，再炭化与去硅化得到有序介孔炭材料。其主要特点由于合成过程简单，无需非常精确的合成条件，合成出的介孔炭材料具有规则排列的孔道结构、较大的比表面积、较好的化学稳定性以及高度发达的内表面和孔隙率，而且通过改变合成条件可以控制比表面积与孔径的大小。
有序介孔炭材料合成工艺

[发明专利]一种三维多孔碳的制备工艺及其在钠离子电池中的应用-CN201610117428.3在审
发明人：倪世兵;张继成;杨学林 -专利权人：三峡大学
申请日： 2016-03-02 - 公布日： 2016-05-18 - 主分类号： C01B31/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种三维多孔碳的制备工艺，所述材料具体制备方法为：将碳源和可溶性离子盐按一定的质量比投料，放置于容器中加适量去离子水搅拌，得到均匀溶液；将得到的均匀溶液烘干，在500～800℃，氮气条件下烧结5～10小时，自然冷却得到黑色粉末样品；将黑色粉末样品加入去离子水中，超声、搅拌得到悬浊液，随后对悬浊液进行多次离心处理，除去黑色粉体中的可溶性离子盐；将得到的产物烘干便得到一种三维多孔碳纳米片。本发明将三维多孔碳纳米片应用于钠离子电池负极材料上。本发明所制备样品呈现出三维多孔结构，由大量纳米片构成；所制备的三维多孔碳作为钠离子电池负极材料，具有较高充、放电容量和稳定的循环性能。
一种三维多孔制备工艺及其钠离子电池中的应用

[发明专利]一种制备无分散剂半导体性单壁碳纳米管薄膜的方法-CN201510990471.6在审
发明人：邱松;韩杰;李红波;金赫华;李清文 -专利权人：苏州希印纳米科技有限公司
申请日： 2015-12-25 - 公布日： 2016-05-18 - 主分类号： C01B31/02 文献下载
摘要：本发明揭示了一种制备无分散剂半导体性单壁碳纳米管薄膜的方法，该方法包括以下步骤：将单壁碳纳米管与共轭聚合物分散剂共同分散在有机溶剂一中制得分散溶液一；离心处理分散溶液一，收集上清液并过滤，得到表面包裹有分散剂的半导体性单壁碳纳米管；提供有机溶剂二，清洗表面包裹有共轭聚合物分散剂的半导体性单壁碳纳米管；提供有机溶剂三，将上述清洗后的半导体性单壁碳纳米管进行分散制得分散溶液二；将分散溶液二涂敷在一基底上获得无分散剂半导体性单壁碳纳米管薄膜。与现有技术相比，通过本发明方法制备的无分散剂半导体性单壁碳纳米管薄膜能够表现出单壁碳纳米管的本征性能，可适用于高性能碳纳米管薄膜半导体器件的制备。
一种制备分散剂半导体性单壁碳纳米薄膜方法

[发明专利]一种超高密度单壁碳纳米管水平阵列及其可控制备方法-CN201410594881.4在审
发明人：张锦;胡悦;康黎星;赵秋辰;张树辰 -专利权人：北京大学
申请日： 2014-10-29 - 公布日： 2016-05-11 - 主分类号： C01B31/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种超高密度单壁碳纳米管水平阵列及其制备方法。该方法，包括如下步骤：在单晶生长基底上加载催化剂，退火后，在化学气相沉积系统中通入氢气进行所述催化剂的还原反应，并保持氢气的通入进行单壁碳纳米管的定向生长即得。该方法制备得到超高密度单壁碳纳米管水平阵列的密度超过130根/微米，这是目前世界上已报道直接生长密度最高的单壁碳纳米管水平阵列。对本发明制备的超高密度单壁碳纳米管水平阵列进行电学性能测试，其开电流密度达到380μA/μm，跨导达到102.5μS/μm，均是目前世界上碳纳米管场效应晶体管中的最高水平。
一种超高密度单壁碳纳米水平阵列及其可控制备方法

[发明专利]一种多维碳纳米管异质结构制备方法-CN201510990572.3在审
发明人：黄宗波 -专利权人：重庆乐乎科技有限公司
申请日： 2015-12-25 - 公布日： 2016-05-11 - 主分类号： C01B31/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种多维碳纳米管异质结构制备方法，包括如下步骤：将Si样片为阳极，铂为阴极，在去离子水、无水乙醇和氢氟酸混合的电解液中电解，使得Si表面形成锥形孔；通过高温液相法合成Fe₃O₄纳米粒子催化剂；将乙酰丙酮铁溶入油酸油脂和二醇中，在苯醚环境中高温热解；将制备的Fe₃O₄纳米粒子溶液滴在多孔硅表面上，放在空气中自然干燥；将制备好的多孔硅样品置于真空室中，抽本底真空并通入H₂，开启微波源进行预处理，基底靠加热系统和等离子体轰击共同升温至预定温度；预处理后，通入CH₄和B₂H₆气体，进行掺硼碳纳米管的制备；停止通入B₂H₆，将CH₄流量增大，进行纯碳纳米管的制备。本发明方法简单、成本低廉，获得的异质结构性能稳定、光学、电学性能更强。
一种多维纳米管异质结构制备方法

[发明专利]三维石墨烯包覆单粒子纳米金刚石材料的纯化过程中的氧化方法-CN201410539296.4在审
发明人：彭雁;杜桂香 -专利权人：彭碳科技有限公司
申请日： 2014-10-13 - 公布日： 2016-05-11 - 主分类号： C01B31/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种三维石墨烯包覆单粒子纳米金刚石材料的纯化过程中的氧化方法，应用在经历磁分离、酸化、氧化、碱化和重液分离过程的纯化过程中，在氧化过程中，采用氧化性较小的氧化性溶液来进行氧化处理，在氧化之后采用过滤设备并结合纯净水对氧化的混合溶液过滤清洗，从而可以去除混合物中的不定型碳，为后续的进一步纯化提供了有利条件；本发明的氧化方法，由于采用的氧化性溶液的氧化性较小，可以减小对氧化设备的腐蚀损伤，延长其使用寿命，节约了成本；并且，有效地去除了混合物中的不定型碳，提高了纯化率。
三维石墨烯包覆单粒子纳米金刚石材料纯化过程中的氧化方法

[发明专利]一种二维有序介孔碳骨架薄膜材料的制备方法-CN201510951794.4在审
发明人：董安钢;汲丽;杨东;韩丹丹;汪碧微;胡建华 -专利权人：复旦大学
申请日： 2015-12-17 - 公布日： 2016-05-11 - 主分类号： C01B31/02 文献下载
摘要：本发明属于无机材料技术领域，具体为一种二维有序介孔碳骨架薄膜材料的制备方法。本发明采用溶液法制得单分散四氧化三铁纳米颗粒，通过溶剂挥发诱导纳米颗粒在不同基底上自组装成有序的纳米超晶格二维薄膜，再将颗粒表面的有机分子高温碳化获得碳包覆的四氧化三铁纳米超晶格二维薄膜，在薄膜表面镀一层聚合物后，通过刻蚀将四氧化三铁纳米颗粒和基底除去以获得有聚合物包覆的高度有序的二维介孔碳骨架薄膜材料。本发明方法简单，原料易得，成本较低，可对薄膜的厚度及介孔碳骨架的尺寸进行调控。基于二维有序介孔碳骨架薄膜具有较大的比表面积和孔体积，表面易于修饰等特点，本发明将在吸附与分离、传感、储能等方面具有巨大的应用前景。
一种二维有序介孔碳骨架薄膜材料制备方法

[发明专利]单根多壁碳纳米管分散液及其制备方法-CN201610104571.9在审
发明人：冀健龙;乔畅;桑胜波;菅傲群;段倩倩;李朋伟;胡杰;李刚;张文栋 -专利权人：太原理工大学
申请日： 2016-02-26 - 公布日： 2016-05-04 - 主分类号： C01B31/02 文献下载
摘要：本发明涉及纳米电子器件、纳米复合材料领域，具体属于碳纳米管材料领域，是一种单根多壁碳纳米管分散液及其制备方法。所述单根多壁碳纳米管分散液是由1g/L的多壁碳纳米管、0.4g/L的富勒醇以及pH大于或等于7的极性溶剂构成的。本发明采用富勒醇作为表面活性剂，对纯化的多壁碳纳米管进行分散，通过混合、超声、离心三步工序制备一种均匀稳定的单根碳纳米管分散液，这将进一步拓展碳纳米管的应用领域，特别是对其在纳米电子器件、纳米复合材料等领域的发展具有重要意义。
单根多壁碳纳米分散及其制备方法

[发明专利]一种富勒烯的制备方法-CN201610052844.X在审
发明人：崔乘幸;郎剑锋;焦红艳;廖志雄;魏征;张飞扬;张鑫 -专利权人：河南科技学院
申请日： 2016-01-17 - 公布日： 2016-05-04 - 主分类号： C01B31/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种富勒烯的制备方法，包括如下步骤：按重量份称取ABS橡胶粉20-80份、导电炭黑4-10份、二硫化碳1-5份、磷酸二氢钠0.2-2份、AS树脂1-10份混合均匀后和助燃气体混合燃烧，在1800-2300℃进行高温燃烧碳化，并在300-600℃的低温区收集碳化后形成的炭灰，将炭灰经过有机溶剂萃取后，通过色谱柱进行分离纯化；所述导电炭黑为具链状结构的导电炭黑。本发明以低成本且易获取的ABS橡胶粉、AS树脂和低成本的导电炭黑作为主要原料，大大降低了成本，通过催化剂二硫化碳的添加，大大提高了所得富勒烯的硬度，且降低了生成所需要的压力，实现了大规模的生成，具有较强的市场价值。
一种富勒烯制备方法

[发明专利]一种蒙脱土改性炭泡沫复合材料制备方法-CN201510851534.X在审
发明人：郝青 -专利权人：陕西玉航电子有限公司
申请日： 2015-11-30 - 公布日： 2016-05-04 - 主分类号： C01B31/02 文献下载
摘要：一种蒙脱土改性炭泡沫复合材料制备方法，属于炭泡沫材料制备领域，尤其涉及一种蒙脱土改性炭泡沫复合材料制备方法。针对现有技术缺陷，提供一种孔隙率低、压缩强度高、热导率低的蒙脱土改性炭泡沫复合材料制备方法。该方法以酚醛树脂、BJO-0930酚醛微球为原材料,与蒙脱土混合,采用模压成型法制备出酚醛泡沫前驱体,在Ar气保护下进行800℃炭化处理,得到蒙脱土改性炭泡沫复合材料。该方法制备得到的蒙脱土改性炭泡沫复合材料基体相与微球相结合紧密,孔隙率低，压缩强度提高到25.54MPa，热导率也明显降低,800℃下的热导率降为0.588W/(m·K)。
一种土改泡沫复合材料制备方法

[实用新型]一种碳纳米管生成装置-CN201521014857.5有效
发明人：不公告发明人 -专利权人：赵屹坤
申请日： 2015-12-08 - 公布日： 2016-05-04 - 主分类号： C01B31/02 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种碳纳米管生成装置，包括气体预热器和反应器，所述气体预热器通过进气管与反应器相连接，所述反应器上设置有排气管，所述反应器内设置有等离子体发射器和加热板，本实用新型将碳源气体先经过气体预热器的预加热，使碳源气体分解出活性成分，再进入反应器中经过等离子体发射器的处理进一步分解，使加热板以较低温度加热即可使碳源气体与催化剂反应生成碳纳米管，是一种用于较低温度环境生成碳纳米管的装置。
一种纳米生成装置

[发明专利]碳纳米管及其分散液、以及含碳纳米管的膜及复合材料-CN201480051306.8在审
发明人：吉原明彦 -专利权人：日本瑞翁株式会社
申请日： 2014-09-29 - 公布日： 2016-05-04 - 主分类号： C01B31/02 文献下载
摘要：本发明以提供作为各种材料有用的碳纳米管及其分散液为目的。本发明的碳纳米管的特征在于，在升温脱附法中在150～950℃的一氧化碳的脱附量和二氧化碳的脱附量在给定范围。
纳米及其分散以及复合材料

[发明专利]一种碳纳米管羟基磷灰石复合材料制备方法-CN201510763640.2在审
发明人：郝青 -专利权人：陕西玉航电子有限公司
申请日： 2015-11-11 - 公布日： 2016-04-27 - 主分类号： C01B31/02 文献下载
摘要：一种碳纳米管/羟基磷灰石复合材料制备方法，属于碳纳米管复合材料制备领域。提供一种成分均匀，结合好的碳纳米管/羟基磷灰石复合材料制备方法。所述方法对所用的多壁碳纳米管进行表面氧化处理，然后将其分散在水溶液中，利用原位复合的方法制备出碳纳米管/羟基磷灰石复合粉体。采用该方法制备的碳纳米管/羟基磷灰石复合材料，其羟基磷灰石与碳纳米管结合好，成分均匀。
一种纳米羟基磷灰石复合材料制备方法

[发明专利]一种隧道窑真空煅烧竹炭的方法-CN201610001295.3在审
发明人：马俊吉 -专利权人：马俊吉
申请日： 2016-01-05 - 公布日： 2016-04-27 - 主分类号： C01B31/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种隧道窑真空煅烧竹炭方法，步骤如下：将3-5年生毛竹按规格截成段装入钵具内，在干燥洞用余热0°C--350°C烘干，干燥过程提取竹醋液，干燥后用稻壳或耐火材料填埋做好真空处埋，在1000°C—1300°C条件下烧制36小时---60小时，冷却后得到竹炭，隧道窑真空方式煅烧竹炭，可在南方盛产毛竹之地广泛开发，竹炭可在各个领域发挥其独特作用，尤其在环保中起到不可估量价值。产炭率能达到30%--45%，相比传统工艺提高10%--15%，其方法简单，便于温度控制产品质量稳定，不合格率降低且环保节能，有效利用土地，3-5年为周期，可连续发展开发。
一种隧道窑真空煅烧方法

[发明专利]一种孔径大小可控的介孔碳球材料的制备方法-CN201610061161.0在审
发明人：麦亦勇;吴动动;田豪;林志兴;杨祥文;黄银娟;徐富贵;冯新亮 -专利权人：上海交通大学
申请日： 2016-01-28 - 公布日： 2016-04-27 - 主分类号： C01B31/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种孔径大小可控的介孔碳球材料的制备方法，包括如下步骤：步骤1，聚环氧乙烷单甲醚溶解在甲苯中；步骤2，加入溴代化合物，沉淀，干燥萃取；步骤3，加入CuBr和联二吡啶(反应催化剂)；步骤4，苯乙烯除氧；步骤5，将步骤4中的纯净物加入到步骤3的混合物中；步骤6，搅拌，过柱，沉淀，真空干燥；步骤7，加入前驱体多巴胺，净化煅烧，得产物。本发明的制备方法具有如下优点：1、方法简单，常温下制备，设备易操作；2、所需试剂均低毒性或无毒性，是一种环保的制备方法；3、制备方法可制备孔径大，且能精确调节孔径大小的介孔球；4、N掺杂的介孔碳球可作为一种高性能储能材料，首次应用在超级电容器上。
一种孔径大小可控介孔碳球材料制备方法