[实用新型]功率开关半导体器件保护器

说明书

本实用新型涉及一种紧急保护装置，用以保护功率开关的半导体器件免遭损坏。

已往人们也考虑过检测电路中的电流或电压，通过一些复杂的电路对半导体器件进行保护，但是这些考虑因其电路复杂，功耗大，而且灵敏度低反映迟后迟缓，起不到保护作用，时至今日对于功率开关半导体器件进行保护仍无成功的方法。

本实用新型的目的在于提供一种功率开关半导体器件保护器，以保护该半导体器件不使损坏。

其方案是：一种功率开关半导体器件保护器，由电阻、电容、二极管、稳压二极管等元件及反相器组件等连接而成，其特征在于：该保护器具有两个节点，节点a由电阻R₁、二极管D₁、稳压管DW₂和二极管D₂、电容C以及稳压管DW₁构成，节点d由稳压管DW₁、电阻R₂以及反相器组件A构成，两节点间以稳压管DW₁相连。

因为人们在考虑这个问题时有一个思维定式，贯用先检测出被保护电路的某些参量而后通过复杂的电路来行动，这样不仅电路复杂耗费大而且行动滞后，以至于时至今日这一问题尚未成功解决，本实用新型则成功地保护功率开关半导体器件不受损坏。况且其线路简单，不仅集成电路易做成，即便用分立元件成电路也不困难。

图面说明。

图1是本实用新型的基本线路图；

图2是图1中反相器的线路图；

图3是图1的使用联接图；

图4是实施例2的插入件；

图5是实施例3的插入件；

图6是实施例4的插入件；

图7是实施例5的线路图；

图8是实施例5的使用联接图；

图9是实施例6的线路图；

图10是实施例6的使用联接图；

图11是实施例7的线路图；

图12是实施例7的使用联接图。

实施例1：正如方案中所述，其电路由元件电阻R、二极管D₁、稳压管DW₂和二极管D₂、电容C、稳压管DW₁构成的节点a和由稳压管DW₁、电阻R₂、组件反相器A构成的节点d通过DW₁连接而成。该例所用的反相器由三个场效应管T₁、T₂、T₃和两个负载电阻R₄、R₅连接而成，其连接方法示于图2，并预装了一只G极悬空的场效应管T，此管在本实施例中似无大用，但在下述数实施例中颇有作用。自图3可以看出当被保护管T截止时a点电位为D₂、DW₂、R₆的电压降，较低，DW₁不导通，或者即使DW₁导通d点电位也达不到反相器A的域值，f点到e点为高阻态，而当T管导通无故障时节点a的电位为D₁、T的饱和电压降，DW₁不导通，d点电压不可能达A的域值，f到e仍是高阻态，保护器形同虚设，并不动作，被保护电路仍按原来方式通或止，但当被保护电路导通并有故障时(激励不足或者过流、负载短路)b点电位升高，c点电位也升高，造成a点及d点电位都升高，反相器A反转，使f到e点成低阻态，使被保器件T截止，被保电路T、R_L截止。这就是说被保电路正常工作或截止时，保护器不输出保护信号，而当既有工作信号又有故障时，则保护器输出保护信号，使被保护管立即截止，实现同步保护。

实施例2：是将图4的一段导线接入图2的OO’之中，使T₄管的G极接于T₃的G极，这样一旦保护电路动作f点到e即被T₄箝位于低阻态，一直输出保护信号，这种保护器有记忆功能。

实施例3：是将图5两端接入图2的O’和地之间就得到一个具有缓冲功能的保护器，由于T₃的G极接了一个电容，动作时只能缓慢升高电位，T₃导通出就缓慢，此例具有缓冲保护功能。