[发明专利]用于建立差别注入条件的方法

权利要求书

1.一种方法，其用于通过根据一条件调节在离子注入装置中的射束线路的真空度和/或路程，建立使MOSFET的表示性能的指数在许可范围内的条件，以通过差别注入离子到晶片的方法形成源/漏区，

该改进方法包括如下步骤：

作一条表示与结深度对应的能量污染量的曲线，以及

确定与所需结深度相对应的许可能量污染量作为所述条件。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于表示能量污染量的曲线由如下步骤所形成：

通过在第一条件下把离子注入到晶片确定第一指数，使得基本上没有能量污染发生，以及在退火之后测量结深度；

通过在第一条件下把离子注入到晶片确定第二指数，使得基本上没有能量污染发生，以形成基本上与在第一指数确定步骤中的结深度相同的结深度，在第二条件下把离子注入到晶片，使得发生能量污染，并且在退火之后测量结深度；

确定使第一和第二指数在许可范围内的能量污染量；以及

绘制所测量的结深度和所确定的能量污染许可量。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于当结深度取横坐标轴并且能量污染量取纵坐标轴时，对于结深度的许可值在该曲线的下方的区域内。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于该指数是一阈值电压。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于该指数表示短沟道效应。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于该射束线路的真空度被提高或者该射束线路的长度被减小以满足该条件。