[发明专利]输出缓冲器控制电路无效

专利信息
申请号: 99102996.8 申请日: 1999-03-12
公开(公告)号: CN1233110A 公开(公告)日: 1999-10-27
发明(设计)人: 北尾一郎 申请(专利权)人: 日本电气株式会社
主分类号: H03K17/687 分类号: H03K17/687;H03K19/0185
代理公司: 中原信达知识产权代理有限责任公司 代理人: 穆德骏,余朦
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 输出 缓冲器 控制电路
【权利要求书】:

1.一种输出缓冲器控制电路,包括:

多个电压源端,其上分别输入有电压值相互不同的直流电压;

绝缘栅场效应晶体管,用于为输出端提供电流;

电压选择装置,用于从所述多个电压源端上输入的直流电压中选出一个电压;

装置,响应待输出至外层部分的源输出信号而将所述电压选择装置的输出电压以与所述源输出信号周期相同的形式输入至所述绝缘栅场效应晶体管的栅极。

2.如权利要求1所述的输出缓冲器控制电路,其特征在于所述电压选择装置的输出电压是在制造过程中就已被固定选出的。

3.如权利要求1所述的输出缓冲器控制电路,其特征在于所述电压选择装置的输出电压能够根据外层部分的程序化控制信号而有选择性地变化成为多个所述直流电压中的任何一个电压。

4.一种输出缓冲器控制电路,包括:

多个电压源端,其上分别输入有电压值相互不同的直流电压;

输出用绝缘栅场效应晶体管,用于为输出端提供电流;

电平转换装置,该装置上输入有所述多个电压源端上的多个直流电压之一以及一个从外层部分输入的待通过所述输出用绝缘栅场效应晶体管输出的源输出信号,该装置响应所述源输出信号而以与所述源输出信号周期相同的形式为绝缘栅场效应晶体管的栅极提供所述的一个输入电压,而在没有源输出信号时终止输入电压;以及

电线,处于所述多个电压源端的任意一端与所述电平转换装置的电压输入点之间。

5.一种输出缓冲器控制电路,包括:

多个电压源端,其上分别输入有电压值相互不同的直流电压;

电压选择装置,其响应外层部分输入的程序化控制信号而从输入到多个电压源端的多个直流电压中选出一个电压;

输出用绝缘栅场效应晶体管,用于为输出端提供电流;

介于所述电压选择装置与所述输出用绝缘栅场效应晶体管之间的电平转换装置,该装置响应待通过所述输出用绝缘栅场效应晶体管输出的源输出信号而以与源输出信号周期相同的方式为所述绝缘栅场效应晶体管的栅极提供所述电压选择装置所选择输出的电压,同时它还可在没有源输出信号时终止输入电压。

6.如权利要求5所述的输出缓冲器控制电路,其特征在于包括一个由权利要求5所述的输出缓冲器控制电路构成的第一输出缓冲器控制电路以及一含有权利要求5所述的电平转换装置和输出用绝缘栅场效应晶体管的第二输出缓冲器控制电路,且所述第一输出缓冲器控制电路的电平转换装置的电压输入点与所述第二输出缓冲器控制电路的电平转换装置的电压输入点连接在一起,因而使得所述第一输出缓冲器控制电路和所述第二输出缓冲器控制电路可以共同使用所述第一输出缓冲器控制电路的电压选择装置。

7.如权利要求5所述的输出缓冲器控制电路,其特征在于包括多个输出缓冲器控制电路,其中的各个输出缓冲器控制电路的相应电压源端分别连接在一起。

8.一种输出缓冲器控制电路,包括:

N个电压源端(N为大于2的自然数),其上分别输入有电压值相互不同的直流电压;

输出用n沟道MOS场效应晶体管,其连接于输出端与地电位之间以提供一条电流通路;

具有N组转换电路的电压选择装置,其转换电路包括p沟道MOS场效应晶体管和可利用所述p沟道MOS场效应晶体管的栅电极来执行开关操作的模拟开关以及受外层部分的二进制控制信号控制的高电压源,该电压选择装置将一个具有最大电位的电压源端上的电压加载到各转换电路的所述高电压源上,它还能够将输入至所述N个电压源端上的N个直流电压分配给所述各转换电路的所述p沟道MOS场效应晶体管的源极上,该装置还能够将外层部分发出的N个二进制控制信号以所述二进制控制信号的形式分配给所述各转换电路,并且能使所述各转换电路的所述p沟道MOS场效应晶体管的漏极连接在一起;以及

介于电压源与所述输出用n沟道MOS场效应晶体管的栅极之间的电平转换装置,该装置含有多个开关,它们可以根据待通过所述输出用n沟道MOS场效应晶体管输出至外层部分的一个源输出信号来执行开关操作,而且所述电压源与所述电压选择装置的N个p沟道MOS场效应晶体管的公共漏极相连。

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