[发明专利]从样品台取走被静电吸附的样品的方法和装置无效
| 申请号: | 98114940.5 | 申请日: | 1998-06-19 |
| 公开(公告)号: | CN1203443A | 公开(公告)日: | 1998-12-30 |
| 发明(设计)人: | 石村裕昭;椿武士;佐藤孝;中田健二;平野裕义;吉开元彦;坂口正道 | 申请(专利权)人: | 株式会社日立制作所 |
| 主分类号: | H01L21/3065 | 分类号: | H01L21/3065;C23C14/00;C23C16/00 |
| 代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人: | 王永刚 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 样品 取走 静电 吸附 方法 装置 | ||
1.一种样品取走方法,其中从样品台取走通过给安装在真空室中的样品台施加静电吸附电压而被静电吸附的样品,所述方法包括下列步骤:
第一步骤,从样品台上推顶针到相对预定高度,以使晶片从样品台取走;
第二步骤,在第一步骤结束后,顶针在预定时间内静止不动;
重复第一和第二步骤,从样品台取走该样品。
2.如权利要求1的样品取走方法,其中所述第一步骤包括相对顶针向下推样品台,通过将至少所述部分提升到预定高度,以从样品台取走样品,所述第二步骤包括在第一步骤结束后使样品台在预定时间内静止不动。
3.一种样品取走方法,其中从样品台取走通过给安装在真空室中的样品台施加静电吸附电压而被静电吸附的样品,所述方法包括下列步骤;
第一步骤,从样品台上推顶针到相对预定高度,以使晶片从样品台取走;
第二步骤,在第一步骤结束后,顶针在预定时间内静止不动;
第三步骤,相对顶针向下推样品台到预定高度,以使样品从样品台取走;
第四步骤,第三步骤结束后,使样品台在预定时间内静止不动;
重复第一、第二、第三和第四步骤,将样品从样品台取走。
4.一种样品取走装置,其中利用顶针从样品台取走通过给安装在真空室中的样品台施加静电吸附电压而被静电吸附的样品,该装置包括:
用于驱动顶针相对离开样品台的驱动单元;
用于控制驱动单元进行重复控制的控制单元,其中所重复的控制是从样品台向上推顶针到相对预定的高度以从样品台取走样品和使顶针在预定时间内静止不动,以便从样品台取走样品。
5.如权利要求4的样品取走装置,其中所述控制单元用于控制驱动单元相对顶针重复进行向下推样品台到预定高度以从样品台取走样品的控制和使样品台在预定时间静止不动的控制以从样品台取走样品。
6.如权利要求4的样品取走装置,其中所述控制单元控制驱动单元重复上推顶针使其从样品台伸长到预定高度,在两次上推动作期间,使顶针在预定时间内静止不动,以及该控制单元控制驱动单元重复下推样品台预定高度,在两次下推动作期间,使样品台在预定时间内静止不动。
7.一种样品取走方法,其中利用顶针从样品台取走通过给安装在真空室中的样品台施加静电吸附电压而被静电吸附的样品,所述方法包括下列步骤:
第一步骤,向上推顶针到单位高度,该单位高度是指把从样品台基本上解除静电吸附的影响所需要的高度分成许多份的高度;
第二步骤,在第一步骤结束后,在预定时间之内停止顶针和样品台的相对运动;
通过重复第一和第二步骤,样品从样品台被向上推到从样品台基本上解除静电吸附的影响所需的高度。
8.一种样品取走装置,其中利用顶针从样品台取走通过给安装在真空室中的样品台施加静电吸附电压而被静电吸附的样品,该装置包括:
用于驱动顶针相对离开样品台的驱动单元;
用于控制驱动单元进行重复控制的控制单元,其中所重复的控制是向上推顶针到单位高度的控制,该单位高度是指把样品从样品台基本上解除静电吸附影响所需的高度分成许多份的高度,和使在预定时间内停止顶针和样品台的相对运动的控制,以从样品台上推样品到从样品台基本上解除静电吸附影响所需的高度。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





