[发明专利]萃取分离生产高纯氧化镥的工艺有效
| 申请号: | 98100226.9 | 申请日: | 1998-01-13 |
| 公开(公告)号: | CN1101476C | 公开(公告)日: | 2003-02-12 |
| 发明(设计)人: | 廖春生;严纯华;贾江涛;李标国 | 申请(专利权)人: | 北京大学 |
| 主分类号: | C22B3/40 | 分类号: | C22B3/40;//C22B5900 |
| 代理公司: | 北京华一君联专利事务所 | 代理人: | 周政 |
| 地址: | 100871 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 萃取 分离 生产 高纯 氧化 工艺 | ||
本发明提供一种溶剂萃取分离铥、镱、镥富集物或粗氧化镥,连续生产纯氧化镥的新方法。属于湿法冶金领域。
目前,高纯氧化镥均以铥、镱、镥富集物或粗氧化镥为原料,采用萃取色层法或溶剂萃取法生产。萃取色层法的主要不足在于:所需设备复杂,试剂昂贵,并且需要恒温装置,对厂房环境的要求也较高,因此设备投资大、维护困难,且生产过程不连续,一次投料量小,生产周期长,单位产量产品的酸、碱等试剂消耗高,产品收率低;同时该方法对人员素质和生产管理水平要求较高。用溶剂萃取法生产,所采用的萃取剂有二(2-乙基己基膦酸(Cyanwx272)和2-乙基己基膦酸单2-乙基己基脂(P507)。其中Cyanex272体系萃取剂价格昂贵,萃取容量低,平均分离系数小(-1.3),试剂、设备投资大,料液质量要求高,分离体系易乳化,生产过程较难控制;而P507体系生产时,虽然分离系数较大,但要求平衡时间很长(约30分钟),是一般萃取分离平衡时间的5倍,使得试剂、设备的利用率大大降低,而且萃取平衡酸度高,有机相难于反萃再生,产品收率低,甚至不能连续生产。
针对上述不足,本发明采用一种在P507体系中加入添加剂的方法,克服了P507生产体系中平衡时间长、有机相反萃再生困难等缺点,同时保留该体系分离系数大、萃取容量高、料液质量要求低等优点。其特点是设备简单、生产连续、处理量大、易于操作、试剂单耗小、便于同现有稀土工艺流程衔接。
本发明的溶剂萃取分离生产氧化镥的工艺包括:
(1).待分离的原料:其中含镥量为5-99%,其余的稀土组分任意,各元素含量
之和相应为1-95%;
(2).萃取体系的有机相:为2-乙基己基膦酸单2-乙基己基酯、胺类萃取剂添
加剂和煤油的混合物,其中的胺类萃取剂添加剂选自如下式的化合物:
+-
R1R2R3N或R1R2R3R4NX,式中的R1,R2,R3,R4可以相同或不同,并可以各
自为氢原子或C6-10的直链或支链的烷基,X为负一价的氯离子或硝酸根。
2-乙基己基膦酸单2-乙基己基酯与煤油或磺化煤油的体积比为1比1-2,添
加剂的浓度为0.5-20%(重量),该有机相经氢氧化纳或氨水皂化后使用,
皂化度为25-40%; (3).实施参数:皂化有机相与稀土并流3-5级后成稀土皂形式进槽,料液浓度
0.5-2.0摩尔,酸度0.01-1.5摩尔,盐酸洗液浓度3.0-6.0摩尔,萃取段级数
(n)为30-60,洗涤段级数(m)为20-60,各相流比为:有机相(Vs)∶料液(Vf)∶
洗液(Vw)=(6.0-20.0)∶1∶(0.3-1.8);
在上述条件下,从水相出口可得到浓度为0.1-1.5摩尔,酸度为0.1-2.5摩尔的非镥元素,从有机相获得纯度等于或大于99.99%的氧化镥,再经常规后处理,即可得高纯氧化镥产品。本发明的突出优点是:
<1>.与萃取色层法相比,可数倍降低设备和试剂投资;
<2>.与Cyanex272体系相比,试剂、设备投资小,生产过程容易控制,生产成本
低;
<3>.与P507体系相比,平衡时间短,约6分钟,试剂、设备的利用率大为提高,有
机相再生彻底,产品收率高,对镥含量低的原料也能实现连续生产。
为了更清楚地说明本发明,列举如下实例,但这对本发明的范围无任何限制。
实施例:
采用分馏萃取工艺进行Yb/Lu分离,萃取有机相的体积百分组成为:P507:季铵盐添加剂∶煤油=33∶3∶64,其中P507的浓度1.0mol,萃取有机相的皂化度为30%,皂化有机相与稀土并流4级后进入萃取段第一级;稀土料液浓度为1.5mol,酸度约pH=1,其中含镥7-10%,其余元素(Ho-Tm)2O3含7-10%,Yb2O3含80-86%;洗液盐酸浓度为5.0mol,萃取段级数为40,洗涤段级数为40,流比为:有机相∶料液∶洗酸=20∶1∶1.5。在所述条件下从水相萃余液得到浓度1.0mol、酸度约1.0mol的镥前混合物;从有机相出口可得到纯镥产品(>99.99%)。其中主要稀土杂质为:Ho2O3<3μg/g、Er2O3<3μg/g、Tm2O3<3μg/g、Yb2O3<20μg/g、Y2O3<3μg/g。
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