[发明专利]改进的抛光浆料和其使用方法无效
| 申请号: | 96197567.9 | 申请日: | 1996-10-04 |
| 公开(公告)号: | CN1087870C | 公开(公告)日: | 2002-07-17 |
| 发明(设计)人: | 王君芳;A·塞苏拉曼;王惠明;L·M·库克 | 申请(专利权)人: | 罗德尔控股公司 |
| 主分类号: | H01L21/302 | 分类号: | H01L21/302;C23F1/00;B24B37/00 |
| 代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人: | 龙传红 |
| 地址: | 美国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 改进 抛光 浆料 使用方法 | ||
1.一种水基浆料,可用于含有一种金属的被加工件的化学-机械抛光,它含有水、亚微米α-氧化铝颗粒和一种或多种选自铝水合物、铝的氢氧化物、γ-氧化铝、δ-氧化铝、无定形氧化铝和无定形二氧化硅的低磨耗的亚微米固体颗粒,其中在所说浆料中所说α-氧化铝构成全部固体的1~50%重量。
2.权利要求1的水基浆料,其中在所说浆料中所说α-氧化铝构成全部固体的5~25%重量。
3.权利要求1的水基浆料,进一步含有一种氧化剂。
4.权利要求2的水基浆料,进一步含有一种氧化剂。
5.权利要求3的水基浆料,其中被加工件进一步含有二氧化硅,该浆料进一步含有一种抑制该二氧化硅清除速度的试剂。
6.权利要求4的水基浆料,其中被加工件进一步含有二氧化硅,该浆料进一步含有一种抑制该二氧化硅清除速度的试剂。
7.权利要求1、2、3、4、5或6的水基浆料,其中所说的α-氧化铝与γ-氧化铝的亚微米颗粒一起使用。
8.权利要求1、2、3、4、5或6的水基浆料,其中所说的α-氧化铝与无定形氧化铝的亚微米颗粒一起使用。
9.权利要求1、2、3、4、5或6记载的水基浆料,其中所说的α-氧化铝与勃姆石(α-铝水合物)的亚微米颗粒一起使用。
10.一种用于抛光或平整化含有金属的被加工件表面的方法,包括(a)将一种水基浆料施于所说的被加工件表面,该水基浆料含有:水、亚微米α-氧化铝颗粒和一种或多种低磨耗的亚微米固体颗粒,所说的固体颗粒选自铝水合物、铝的氢氧化物、γ-氧化铝、δ-氧化铝、无定形氧化铝和无定形二氧化硅,其中在所说浆料中所说α-氧化铝构成全部固体的1~50%重量,(b)通过化学-机械抛光方法抛光或平整化所说被加工件的表面。
11.权利要求10的方法,其中在所说的浆料中,所说α-氧化铝构成全部固体的5~25%重量。
12.权利要求10的方法,其中所说的浆料进一步含有一种氧化剂。
13.权利要求11的方法,其中所说的浆料进一步含有一种氧化剂。
14.权利要求12的方法,其中被加工件进一步含有二氧化硅,该浆料进一步含有一种抑制该二氧化硅清除速度的试剂。
15.权利要求13的方法,其中被加工件进一步含有二氧化硅,该浆料进一步含有一种抑制该二氧化硅清除速度的试剂。
16.权利要求10、11、12、13、14或15的方法,其中在所说被加工件中含有的金属是钨。
17.权利要求10、11、12、13、14或15的方法,其中在所说被加工件中含有的金属是铝。
18.权利要求10、11、12、13、14或15的方法,其中在所说被加工件中含有的金属是铜。
19.权利要求10、11、12、13、14或15的方法,其中在所说的被加工件中含有的金属是镍。
20.权利要求10、11、12、13、14或15的方法,其中在所说的被加工件中含有的金属是钽。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





