[发明专利]相移掩模无效
| 申请号： | 95104026.X | 申请日： | 1995-03-21 |
| 公开（公告）号： | CN1039465C | 公开（公告）日： | 1998-08-05 |
| 发明（设计）人： | 咸泳穆 | 申请（专利权）人： | 现代电子产业株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027 |
| 代理公司： | 柳沈知识产权律师事务所 | 代理人： | 马涛 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 相移 | ||
【权利要求书】：
1、一种相移掩模，用于在光刻胶膜上形成图案，其包括：
一个透明衬底(1)；
一个遮光层(2)，其设置在所述透明衬底(1)上，以形成一个所述透明衬底(1)上的主透光部分，用于传输主光波形；和
一个相移层(3)，其设置在所述遮光层(2)上，适合于使仅通过遮光层(2)的光产生相移；
其特征在于，所述遮光层(2)还形成一个所述透明衬底上的辅助透光部分(10)，由所述辅助透光部分(10)传输的光去除主光波形的相对两边形成的衍射光成分。
2、按照权利要求1的相移掩模，其特征在于，辅助透光部分(10)把入射在其上面的光相位相移0°，而相移层(3)将入射在其上面的光相位相移180度。
3、按照权利要求1的相移掩模，其特征在于，辅助透光部分足够小，以致在光刻胶膜上呈现主光波形折射成分的部分不形成图案。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
