[发明专利]用于微控制器的可遥控改编程序的程序存储器无效

专利信息
申请号: 94190541.1 申请日: 1994-06-08
公开(公告)号: CN1046168C 公开(公告)日: 1999-11-03
发明(设计)人: 莫仲棣 申请(专利权)人: 爱特梅尔股份有限公司
主分类号: G06F13/00 分类号: G06F13/00
代理公司: 上海专利商标事务所 代理人: 张政权
地址: 美国加利*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 用于 控制器 遥控 改编 程序 存储器
【权利要求书】:

1.一种带微控制器的可改编程序的存储器系统,包括:

具有单低压电源的单片微控制器,所述单片微控制器具有RAM存储单元,其特征在于所述系统还包括:

其存储器存储修改程序的遥控主计算机,该修改程序用于现场微控制器执行;

所述微控制器与所述遥控主计算机电气通信,且拥有PEROM存储单元,该PEROM存储单元作为一个主要的程序存储器连接,其电源变换装置用以利用低压电源清除PEROM单元和写入其中。

2.如权利要求1所述的存储器系统,其特征在于,所述电源变换装置包括具有低压输入和高压输出的多级充电泵,以及用以按指令保持该高压的箝位电路装置。

3.如权利要求1所述的存储器系统,其特征在于,所述电源变换装置包括具有低压输入和高压输出的多级充电泵,以及用以按指令对放电成为高压的放电电路装置。

4.一种设置于集成电路微控制器内的程序存储电路,所述微控制器具有算术逻辑单元以及与执行程序指令且按数据操作的算术单元有关的多个寄存器,它包括:    

只读存储器晶体管阵列;

连接至所述阵列的地址总线,所述地址总线与能从外部资源接收微指令的端口进行双向通信;

连接到所述阵列的数据总线;

连接到所述数据总线的随机存取存储器阵列;以及

用以对程序地址和数据信息进行双向交换的多个双向输入/输出端口装置;其特征在于:

所述只读存储器晶体管阵列是以块设置的电可编程序和可擦只读存储器晶体管阵列,该晶体管块由此可同时擦除;

所述数据总线以单向方式作为输出连接到所述阵列,并连接到微控制器电路,所述阵列由此在数据总线上与从该数据总线直接收到的数据隔离,但在所述数据总线上与微控制器电路外部通信;所述电路还包括:

分隔地址总线与数据总线,但允许双方之间通信的反向缓冲器;以及

拥有与充电泵装置相连的低压电源,该充电泵用以将低压电源转换为适合于编程和擦除电可编程、可擦只读存储器晶体管的电压电平。

5.如权利要求4所述的电路,其特征在于,所述电可编程可擦只读存储器晶体管阵列包括由选择晶体管和位存储晶体管组成的双晶体管存储单元,该两个晶体管可依靠单低压电源操作。

6.如权利要求5所述的电路,其特征在于,所述位存储晶体管包括感应栅极和浮空栅极,该浮空栅极设置在薄氧化沟道区域上。

7.如权利要求4所述的电路,其特征在于,所述多个双向输入/输出端口包括:

连接到地址总线和用以与外部程序和数据存储器通信的数据总线的第一和第二双向输入/输出端口装置,以及

连接到共用第一、第二端口装置任务的数据总线的第三双向输入/输出端口装置。

8.一种微控制器,包括算术逻辑单元、向该算术逻辑单元提供数据的累加器和寄存器、双向输入/输出端口、地址总线、数据总线以及程序存储电路,所述程序存储电路包括经由地址和数据总线连接到微控制器电路的随机存取存储器晶体管阵列,其特征在于所述程序存储电路还包括:

以块设置的电可编程可擦只读存储器晶体管阵列,由此该晶体管块可同时擦除,且所述阵列通过地址和数据总线连接到微控制器电路;以及

具有已连接的充电泵装置的低压电源,该充电泵装置用以将低压电源变换为编程和擦除电可编程可擦只读存储器晶体管的电压电平。

9.如权利要求8所述的微控制器,其特征在于,电可编程可擦存储器晶体管阵列包括闪光晶体管阵列。

10.如权利要求8所述的微控制器,其特征在于,电可编程可擦存储器晶体管阵列包括由选择晶体管和位存储晶体管组成的双晶体管存储单元,该两晶体管可依靠单低压电源操作。

11.如权利要求8所述的微控制器,其特征在于,所述位存储晶体管包括感应栅极和浮空栅极,该浮空栅极设置在薄氧化沟道区域上。

12.如权利要求11所述的微控制器,其特征在于进一步包括有选择地对所述感应栅极放电的装置。

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