[其他]薄膜形成装置无效

专利信息
申请号: 87104933 申请日: 1987-07-14
公开(公告)号: CN87104933A 公开(公告)日: 1988-01-27
发明(设计)人: 伊藤弘基;伊奈照夫 申请(专利权)人: 三菱电机株式会社
主分类号: C23C16/48 分类号: C23C16/48
代理公司: 中国专利代理有限公司 代理人: 叶凯东,吴秉芬
地址: 日本东京*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 薄膜 形成 装置
【权利要求书】:

1、一种薄膜形成装置,其特征在于具有真空槽和内部槽,在该内部槽的内侧设有气体喷射用的喷咀,同时切去相当于从这喷咀喷出的反应气体的通路部分的内部槽壁,并且在反应性气体的喷出方向的真空槽内,设置印刷电路板,另一方面,在内部槽的反应气体通路方向设置电子束引出电极及电子束放出装置,并在内部槽的反应气体通路及上述壁面的切去部分安装加速电极。

2、权利要求1所述的薄膜形成装置,其特征在于真空槽内的气压调节在10-4~10-3Torr之间。

3、权利要求1所述的薄膜形成装置,其特征在于电子束引出电极为钨丝,由直流电源施加10~100V的电压。

4、权利要求1所述的薄膜形成装置,其特征在于作为电子束的放出装置是灯丝,供以交流电流,将之加热到2000℃的程度。

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