[发明专利]烷基卤硅烷的生产方法

权利要求书

1、一种控制烷基卤硅烷生产过程的方法，其中包括使烷基卤与冶金级硅在250-350℃的温度下在锡或锡化合物以及铜或铜化合物存在下相互接触，其特征在于在含硅的接触物料中加入以硅的重量为基准、按照单质金属计算的0.2-10%(重)铜或铜化合物以及5-200ppm作为助催化剂的锡或锡化合物，其特征还在于在所述的接触物料中除了通常存在于冶金级硅中的一定量的磷以外还加入了25-2500ppm以所存在的硅为基准、按照单质金属计算的选自下列组分的磷促进剂：

(Ⅰ)单质磷，

(Ⅱ)金属磷化物；

(Ⅲ)能够在反应物料中形成金属磷化物的化合物。

2、按照权利要求1所述的方法，其中在所述的接触物料中加入以所存在的硅为基准、按照单质金属计算的10-200ppm锡或锡化合物。

3、按照权利要求1或2所述的方法，其中在所述接触物料中加入以所存在的硅为基准、按照单质金属计算的100-10000ppm锌。

4、按照权利要求3所述的方法，其中在所述的接触物料中加入以所存在的硅为基准、按照单质金属计算的0.02-1%（重）铝。

5、按照权利要求4所述的方法，其中在所述的接触物料中加入以所存在的硅为基准、按照单质金属计算的0-1%（重）铁。