[其他]带有保护膜的硅抛光片与外延片无效
| 申请号: | 85203385 | 申请日: | 1985-08-16 |
| 公开(公告)号: | CN85203385U | 公开(公告)日: | 1986-07-23 |
| 发明(设计)人: | 刘玉岭 | 申请(专利权)人: | 河北工学院 |
| 主分类号: | H01L21/02 | 分类号: | H01L21/02 |
| 代理公司: | 天津市专利事务所 | 代理人: | 李国茹 |
| 地址: | 天津市红桥区*** | 国省代码: | 天津;12 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 带有 保护膜 抛光 外延 | ||
该实用新型属于半导材料。
目前半导体器件厂所用的半导体材料是材料厂生产的硅抛光片与外延片。而硅抛光片与外延片的存放和运输大多是用盒装或袋装,这样硅抛光片与外延片表面容易划伤,又因长期在空气中暴露而容易使镜面污染。这就影响了硅材料的质量,从而影响半导体器件的质量。虽然象美国Mon Sante公司等采用外金属壳、内硬塑盒、间隙立插式、高纯密封包装,可使硅抛光片与外延片少沾污、少划伤,但是工艺复杂、占空间大、成本高。
该实用新型的目的是使硅抛光片与外延片在使用之前便于保存和运输,并且不划伤、不沾污,以保持硅抛光片与外延片镜面的高完美度和高洁净度,从而提高半导体器件的性能。
该实用新型是在原来合格的硅抛光片或外延片上用热氧化方法或气相淀积法等器件制备中的钝化方法生长一层保护膜。此膜的厚度为500以上。此保护膜可是有机物,也可是无机物,如SiO2、Al2O3、Si3N4、和光刻胶、硅油等。带有保护膜的硅抛光片和外延片可根据保护膜的不同及不同的厚度而呈现不同的颜色。其结构示意图如附图所示。
图1 为带保护膜的硅抛光片(外延片)的俯视图,内部为硅抛光片或外延片,阴影部分为保护膜,厚度500以上。
图2 为全保护硅抛光片(外延片)的侧视图,内部为硅抛光片或外延片,阴影部分为保护膜,厚度500以上。
图3 为镜面保护硅抛光片(外延片)的侧视图,内部为硅抛光片(外延片),阴影部分为保护膜,其厚度为500以上。
硅抛光片与外延片因外加一层致密而坚硬的保护膜,所以用袋装或盒接触存放及运输方便,而且不沾污、不划伤。使用之前用漂洗液进行漂洗即可去除保护膜。这样就有效地保持了硅抛光片与外延片的高完美度和高洁净度,从而提高了硅材料的质量,相应也可以提高半导体器件的质量。同时此保护膜生长工艺简单、成本低。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





