[其他]光学信息记录介质及信息的记录与擦抹的方法和装置

说明书

本发明涉及的是在光盘上存贮光学信息的介质。具体来讲，本发明涉及的光学信息记录介质，可以擦抹其中已记录的信息并记录新的信息。本发明也涉及到用这样的记录介质进行信息的记录，擦抹和读取的方法与装置。

自从高速度和高密度记录在光学信息存贮中成为可能，光学信息存贮方法作为一种有前途的信息存贮方法引起了人们的注意。一般的光学信息记录介质是通过用激光来照射介质上的金属膜，在照射的部分烧成一个小洞的方法来存贮信息的。这种介质可以记录，但它擦抹信息的能力有限，也不可能再记录新的信息。作为记录介质，不仅能记录光学信息，而且也应该可以擦抹和再记录。已知的一种记录介质是非晶半导体薄膜，如Te₈₁Ge₁₅S₂P₂，它有两种结构状态，即：稳定的高阻状态（即所谓的非晶状态，这种状态下原子或分子的排列是杂乱无章的），和稳定的低阻状态（即所谓的结晶状态，其原子或分子有规律地排列），两种状态间的相互转换便可完成信息的记录、擦抹和再记录（见美国专利NO.3，530，441，和日本专利审查公报（Kokoku）NO.47-26897）。

但是，在上面提到的可擦抹记录介质中，因为使用了杂乱原子排列的状态（即非晶状态），所以信息的保存必定是不稳定的。这是因为，非晶状态是一个易于变成结晶状态的亚稳态，通过施以热能或化学能非晶态就容易变为结晶态。因此，被存贮的信息就容易丢失。尤其是，当转换发生在两种截然不同的状态（即非晶态和结晶态）之间时，由于反复的记录和擦抹，就会产生介质疲劳，因此，记录和擦抹的重复次数是有限的。

对于与本发明所使用的材料相似的合金已经进行了研究，但是，这些材料还没有用来作为一种在两个稳定的结晶态间进行记录和擦抹信息的记录介质，因为上述研究目的在于发现可能存在两种状态的记录介质，即非晶态和结晶态（例如：M.Wihl，M.Cardona    and    J.Tauc，“RAMAN    SOATTERING    IN    AMORPHOUS    Ge    andⅢ-ⅤCOMPOUNDS，Journal    of    Non-Crysballine    Solids    8-10（1972），172-178;G-Fuxi，S.Baorong    and    W.Hao，GLASS    FORMATION    OF    SEVERAL    SEMICONDUCTORS    AND    ALLOYS    BY    LASER    IRRADIARION;Journal    of    Non-Orystalline    Solids    56（1983），201-296;W.Eckenback，W.Fuhs    and    J.Stuke，PREPARATION    AND    ELELTRICAL    PROPERTIES    OF    AMORPHOUS    INSb，Journal    of    Non    Crystalline    Solids    5（1971），264-275;J.Feinleib，J.deNeufville，S.C.Moss    and    S.R.Obshinsky，RAPID    REVERSIBLE    LIGHT-INDUCED    CRYSTALLIZATION    OF    AMORPHOUS    SEMIOONDUCTORS，Appliel    physics    Letters，Vol.18，No.6，Mar.3（1971）254-257;IBM    Thomas    J.Watson    Research    Center，LASER    WRITING    AND    ERASING    ON    CHALOOGENIDE    FILMS，Journal    of    Applied    physics，Vol.43，No.11.Nov.（1972），4688-4693）。

本发明的主要目的在于提供一个光学信息记录介质，通过用光脉冲照射，将信息记录在介质上，如果需要，记录的信息可以被擦抹或被稳定地保存。