[其他]光学信息记录介质及信息的记录与擦抹的方法和装置

权利要求书

1、用记录薄膜形成光学信息记录介质，当用光能量在不同条件下照射该薄膜时，它能有选择地形成两种稳定的晶态，它们在晶体结构及光学性质上有区别，因此可以进行信息的记录和(或)擦抹。

2、根据权项1制备的光学信息记录介质，用光学能量在不同条件下照射该记录膜上一点，该点可以熔化，而后又固化，因此形成了不同的结晶分布，因此该点具有不同的反射率或透射率，以至来自或通过记录膜上这点的光束反射或透射也就不同。

3、根据权项1的光学信息记录介质，其记录薄膜由能形成一种共晶混合物的两种或更多种的元素组成，在所述的两种或多种元素的平衡图中具有接近于共晶混合物的结构。

4、根据权项1的光学信息记录介质，其记录薄膜由原子百分数为80或更少的介质（In）和原子百分数为20或更多的介质（Sb）组成。

5、根据权项4的光学信息记录介质，其记录薄膜由原子百分数15～50的In和原子百分数为50～85的Sb组成。

6、根据权项5的光学信息记录介质，其记录薄膜由原子百分数35～45的In和原子百分数为55～65的Sb组成。

7、根据权项4的光学信息记录介质，其记录膜进一步包括原子百分数等于或小于20的下述元素组中的一种或多种元素：Al、Si、P、S、Zn、Ga、Ge、As、Se、Ag、Cd、Sn、Te、Tl、Pb及Bi。

8、根据权项4的光学信息记录介质，其记录膜进一步包括原子百分数5～20的下述元素组中的一种或多种元素：Se，Si，P，S，Ge，As，Zn，Al，Ag，Cd，Sn，Pb，Te，Bi及Ga。

9、根据权项1的光学信息记录介质，其记录薄膜由原子百分数等于或小于70的铊（Tl）和原子百分数等于或大于30的铋（Bi）组成。

10、根据权项9的光学信息记录介质，其记录薄膜由原子百分数为10～40的Tl和原子百分数为60～90的Bi组成。

11、根据权项10的光学信息记录介质，其记录薄膜由原子百分数为20～30的Tl和原子百分数为70～80的Bi组成。

12、根据权项9的光学信息记录介质，其记录薄膜进一步包括原子百分数等于或小于20的下述元素组的一种或多种元素：Al，Si，P，S，Zn，Ga，Ge，As，Se，Ag，Cd，In，Sn，Sb，Te和Pb。

13、根据权项9的光学信息记录介质，其记录薄膜进一步包括原子百分数5～20的下述元素组中的一种或多种元素：A，P，S，Se，Te，Zn，Al，Si，Ge，Ag，Cd，Sn，Pb，Sb，和In。

14、根据权项1的光学信息记录介质，其记录薄膜由原子百分数等于或小于85的镓（Ga）和原子百分数等于或大于15的铋（Bi）组成。

15、根据权项14的光学信息记录介质，其记录薄膜由原子百分数为30～60的Ga和原子百分数为40～70的Bi组成。

16、根据权项15的光学信息记录介质，其记录薄膜由原子百分数为40～60的Ga和原子百分数为40～60的Bi组成。

17、根据权项14的光学信息记录介质，其记录薄膜进一步包括原子百分数等于或小于20的下述元素组中的一种或多种元素：Al，Si，P，S，Zn，Ge，As，Ag，Cd，In，SnSb，Te，Tl和Pb。

18、根据权项14的光学信息记录介质，其记录膜进一步包括原子百分数为5～20的Se，P，S，Ge，As，Zn，Al，Ag，Cd，Sn，Pb，Te，Sb和In。

19、根据权项1的光学信息记录介质，其记录膜由原子百分数等于或小于65的铟（In）和原子百分数等于或大于35的砷（As）组成。

20、根据权项19的光学信息记录介质，其记录膜由原子百分数等于或小于50的In和原子百分数等于或大于50的As组成。

21、根据权项20的光学信息记录介质，其记录膜由原子百分数为15～25的In和原子百分数为75～85的As组成。