[实用新型]一种气体与压阻式压力传感器有效
申请号: | 202320734342.0 | 申请日: | 2023-04-06 |
公开(公告)号: | CN219200691U | 公开(公告)日: | 2023-06-16 |
发明(设计)人: | 史晓晶;柳俊文;任青颖;胡引引 | 申请(专利权)人: | 南京元感微电子有限公司 |
主分类号: | G01L9/04 | 分类号: | G01L9/04;G01N27/12 |
代理公司: | 北京中知法苑知识产权代理有限公司 11226 | 代理人: | 陈俊由 |
地址: | 211100 江苏省南京市江宁*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 气体 压阻式 压力传感器 | ||
1.一种气体与压阻式压力传感器,其特征在于,包括:
基底,其上设有气体腔室和压力腔室;
压敏电阻,形成在基底正对所述压力腔室的一侧;
绝缘层,形成在所述基底的一侧且覆盖在所述压敏电阻上;
若干个气敏检测单元,用于检测敏感气体且相邻两个所述气敏检测单元之间设有隔离槽,每个所述气敏检测单元均包括对应设置的加热件、敏感电极及气敏层,所述加热件位于所述绝缘层内,所述敏感电极设置在所述绝缘层背离所述基底的一侧,所述气敏层覆盖在所述敏感电极上,所述敏感电极用于检测所述气敏层的电阻率。
2.根据权利要求1所述的气体与压阻式压力传感器,其特征在于,所述基底包括依次叠设的第一硅衬底和第二硅衬底,所述第一硅衬底与所述第二硅衬底连接的一侧设有所述气体腔室和所述压力腔室,所述第二硅衬底上形成有所述压敏电阻,所述第二硅衬底背离所述第一硅衬底的一侧设有所述绝缘层。
3.根据权利要求1所述的气体与压阻式压力传感器,其特征在于,所述绝缘层包括沿远离所述基底的方向依次叠设的第一子绝缘层、第二子绝缘层、第三子绝缘层、第四子绝缘层及第五子绝缘层,所述加热件设置在所述第三子绝缘层内,所述敏感电极形成在所述第五子绝缘层背离所述第四子绝缘层的一侧。
4.根据权利要求3所述的气体与压阻式压力传感器,其特征在于,所述第二子绝缘层和所述第四子绝缘层均为氮化硅层,所述第一子绝缘层、所述第三子绝缘层和所述第五子绝缘层均为氧化硅层。
5.根据权利要求1所述的气体与压阻式压力传感器,其特征在于,所述加热件呈蛇形且为钛电极或者钨电极,所述敏感电极为钛插指电极或者铂插指电极。
6.根据权利要求1所述的气体与压阻式压力传感器,其特征在于,所述气体与压阻式压力传感器还包括用于检测温度的温度检测电极,所述温度检测电极设置在所述绝缘层的边缘。
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