[实用新型]清洗SiC粉的设备

说明书

本实用新型涉及半导体技术领域，具体而言，涉及一种清洗SiC粉的设备。清洗SiC粉的设备包括清洗槽、加热器、导流管路和收集槽；加热器与清洗槽连接；清洗槽用于容纳酸性清洗液和碳化硅粉；导流管路的进口设置在清洗槽上方，导流管路的出口设置在收集槽上方，收集槽用于容纳碱性收集液。酸性清洗液酸性清洗液如此能够将碳化硅粉上附着的碳颗粒清洗掉，提升了晶体生长的质量，减少了包裹物等缺陷的产生。

技术领域

本实用新型涉及半导体技术领域，具体而言，涉及一种清洗SiC粉的设备。

背景技术

碳化硅是继Si、GaAs之后发展起来的具有宽禁带、高热导率、高击穿场强、高载流子饱、高抗辐射特性的第三代半导体材料，因其本身，将在节能减排、信息技术、国防科技三大领域催生上万亿元潜在市场，近年来迅速渗透到照明、电子电力器件、微波射频等领域的各个角落，市场规模快速提升，在新能源汽车、汽车灯照、通用照明、电动车、5G通讯应用等领域有着广泛的应用市场，将成为未来新能源发展的方向之一。

目前用于制备碳化硅粉料的方法有很多，如Lely法、自蔓延高温合成法、碳热还原法等；其主要是通过加热到1800-2300℃，在一定保护气氛下保持一定压力进行制备得到一定粒径的SiC粉料。

由于在制备过程中的温度高于碳化硅的分解温度，因此产出的碳化硅粉往往会碳化，并在其表面附着一些碳化后的石墨粉或者细小的碳颗粒。这部分附着物在晶体生长时极易造成晶体的包裹物缺陷而导致晶体NG，或者导致晶片含有碳白点、包裹物等，对外延及器件的制备不可避免的造成了损失。而这部分附着物通过超声清洗、筛分等方式无法完全去除。

实用新型内容

本实用新型的目的包括，例如，提供了一种清洗SiC粉的设备，其能够将碳化硅粉上附着的碳颗粒清洗掉，还实现了清洗剂的回收利用，提升了晶体生长的质量，减少了包裹物等缺陷的产生。

本实用新型的实施例可以这样实现：

第一方面，本实用新型提供一种清洗SiC粉的设备，包括：

清洗槽、加热器、导流管路和收集槽；

所述加热器与所述清洗槽连接；

所述清洗槽用于容纳酸性清洗液和碳化硅粉；

所述导流管路的进口设置在所述清洗槽上方，所述导流管路的出口设置在所述收集槽上方，所述收集槽用于容纳碱性收集液。

本方案的清洗SiC粉的设备通过在清洗槽内酸性清洗液与碳化硅粉中碳粉反应，从而实现对碳化硅粉清洗的作用。因为酸性清洗液具有强氧化性，且酸性清洗液只有加热情况下才能够与碳粉反应，如此本方案将酸性清洗液和碳化硅粉放置在清洗槽中，同时加热器能够将清洗槽内的液体加热至预设温度值，从而使得酸性清洗液能够与碳化硅粉中的碳粉发生化学反应，碳粉被消耗并生成尾气。而产生的尾气通过导流管路引导至收集槽中，尾气被收集槽中的碱性收集液处理。进一步的，将清洗槽中与酸性清洗液反应过后去除了碳颗粒的碳化硅粉取出，用DI水或碱水清洗干净至表面不残留酸/碱后，将碳化硅粉进行干燥处理即可得表面不含碳颗粒的碳化硅粉。这样的清洗SiC粉的设备能够有效处理碳化硅粉表面附着的碳颗粒，从而减少晶体包裹的产生，降低晶体或晶片因包裹物、碳白点等缺陷不合格的比例。

在可选的实施方式中，所述清洗槽为高纯石英材质制成。

在可选的实施方式中，还包括超声机，所述超声机与所述清洗槽配合。

在可选的实施方式中，所述超声机至少包括两个，多个所述超声机对称地设置在所述清洗槽的周侧。

在可选的实施方式中，还包括导流管路和收集槽；

所述导流管路的进口设置在所述清洗槽，所述导流管路的出口设置在所述收集槽上。

在可选的实施方式中，所述导流管路包括顺次连接的进气管、中间管和出气管；