[发明专利]低功耗电流源、电流源电路、芯片及具有其的电子设备在审

专利信息
申请号: 202310904194.7 申请日: 2023-07-24
公开(公告)号: CN116633116A 公开(公告)日: 2023-08-22
发明(设计)人: 伍滔 申请(专利权)人: 深圳市思远半导体有限公司
主分类号: H02M1/00 分类号: H02M1/00;H02M1/36;H02M1/08;H02M3/158;G05F3/26
代理公司: 深圳市君之泉知识产权代理有限公司 44366 代理人: 程苗
地址: 518000 广东省深圳市南山区粤海*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 功耗 电流 电路 芯片 具有 电子设备
【权利要求书】:

1.一种电流源电路,其特征在于,包括:

P管电流镜(1),其电源输入端连接至电源(VDD),所述P管电流镜(1)用于被镜像引出电源,以向外提供电源;

N管电流镜(2),连接在所述P管电流镜(1)和地(GND)之间,所述N管电流镜(2)与所述P管电流镜(1)构成电流源;

简并点切换模块(3),连接在所述P管电流镜(1)的偏置节点和地(GND)之间,所述简并点切换模块(3)在所述电流源的稳定输出电源之前,保持常通状态,当所述P管电流镜(1)接入电源(VDD)时,所述P管电流镜(1)的偏置节点流出的电流经由所述简并点切换模块(3)流通,当所述P管电流镜(1)的偏置节点流出的电流超过阈值时,所述简并点切换模块(3)断开,以使所述电流源电流零点的稳定状态切换到电源稳定输出的稳定状态。

2.如权利要求1所述的电流源电路,其特征在于,所述简并点切换模块(3)包括:耗尽型晶体管(MN4)和上拉电阻(R2),

所述耗尽型晶体管(MN4)的第一极连接至所述P管电流镜(1)的偏置节点,所述耗尽型晶体管(MN4)的第二极连接至所述上拉电阻(R2)的一端;所述上拉电阻(R2)的另一端与所述耗尽型晶体管(MN4)的控制极接地;

当所述P管电流镜(1)接入电源(VDD)时,所述P管电流镜(1)的偏置节点流出的电流经由所述耗尽型晶体管(MN4)的第一极和第二极流通,以使所述上拉电阻(R2)的一端的电位逐渐上升,以在上升至所述耗尽型晶体管(MN4)的阈值电压时断开所述耗尽型晶体管(MN4),以使所述简并点切换模块(3)断开。

3.如权利要求2所述的电流源电路,其特征在于,所述P管电流镜(1)包括第一P型晶体管(MP1)和第三P型晶体管(MP3),所述N管电流镜(2)包括第一N型晶体管(MN1)和第三N型晶体管(MN3),其中:

所述第一P型晶体管(MP1)的第一极和所述第三P型晶体管(MP3)的第一极连接至电源(VDD),所述第一P型晶体管(MP1)的控制极与所述第三P型晶体管(MP3)的控制极连接,所述第一P型晶体管(MP1)的控制极连接至所述第一P型晶体管(MP1)的第二极形成所述P管电流镜(1)的偏置节点;

所述第一N型晶体管(MN1)的第一极连接至所述第一P型晶体管(MP1)的第二极,所述第三N型晶体管(MN3)的第一极连接至所述第三P型晶体管(MP3)的第二极,所述第一N型晶体管(MN1)的控制极与所述第三N型晶体管(MN3)的控制极连接,所述第一N型晶体管(MN1)的第二极和所述第三N型晶体管(MN3)的第二极连接所述上拉电阻(R2)的一端,所述第三N型晶体管(MN3)的控制极连接至所述第三N型晶体管(MN3)的第一极形成所述N管电流镜(2)的偏置节点。

4.如权利要求3所述的电流源电路,其特征在于,还包括:

第一电阻(R1),所述第一N型晶体管(MN1)的第二极经由所述第一电阻(R1)连接所述上拉电阻(R2)的一端。

5.如权利要求3所述的电流源电路,其特征在于,

所述第一P型晶体管(MP1)的宽长比和所述第三P型晶体管(MP3)的宽长比相等;

所述第一N型晶体管(MN1)的宽长比是所述第三N型晶体管(MN3)的宽长比的k倍,其中,k为大于1的自然数。

6.如权利要求3-5任意一项所述的电流源电路,其特征在于,还包括:

增益放大电路,连接在所述P管电流镜(1)和所述N管电流镜(2)之间,用于增大负反馈环路增益。

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