[发明专利]一种大规模光交换芯片的混合封装结构及验证方法在审

专利信息
申请号: 202310893682.2 申请日: 2023-07-20
公开(公告)号: CN116609897A 公开(公告)日: 2023-08-18
发明(设计)人: 张欢;李佳;黄欣雨;王真真;叶德好;储涛 申请(专利权)人: 之江实验室
主分类号: G02B6/42 分类号: G02B6/42;C23C14/35;C23C14/16;C23C14/18;C23C16/40;C23C16/34;H05K1/18
代理公司: 杭州求是专利事务所有限公司 33200 代理人: 邱启旺
地址: 311121 浙江省杭*** 国省代码: 浙江;33
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摘要:
搜索关键词: 一种 大规模 交换 芯片 混合 封装 结构 验证 方法
【权利要求书】:

1.一种大规模光交换芯片的混合封装结构,该封装结构包括由转接板(1)、芯片(5)、PCB板(6)、芯片植球焊盘(12)、倒装焊接焊盘(11)、引线键合焊盘(7)和倒装焊焊盘引出导线(9),其特征在于,所述芯片(5)上有交替连接的芯片植球焊盘(12)和导线;所述转接板(1)上有用于和外部键合引线进行键合的交替连接的引线键合焊盘(7)、倒装焊可靠性测试焊盘(8)、倒装焊焊盘引出导线(9)、有交替连接的BGA焊盘(10)、倒装焊接焊盘(11);所述芯片(5)和转接板(1)之间通过倒装焊接工艺Flip Chip形成菊花链;其中转接板(1)和PCB板(6)通过BGA焊接形成菊花链;该结构上设有2048个端口。

2.根据权利要求1所述的一种大规模光交换芯片的混合封装结构,其特征在于,所述芯片(5)的衬底为Si和蓝宝石中的任意一种。

3.根据权利要求1所述的一种大规模光交换芯片的混合封装结构,其特征在于,所述转接板(1)为Si、陶瓷和PCB转接板的一种,所述转接板(1)的形状应根据需要进行设计。

4.根据权利要求1所述的一种大规模光交换芯片的混合封装结构,其特征在于,所述外部键合引线为Al丝或Au丝。

5.根据权利要求1所述的一种大规模光交换芯片的混合封装结构,其特征在于,所述倒装焊接工艺所用的焊料为90Pb10Sn 、95Pb5Sn、SAC305和SAC307中的任意一种高熔点焊料;所述通过BGA焊接工艺形成菊花链所用的焊料为63Pb37Sn的低熔点焊料。

6.根据权利要求1所述的一种大规模光交换芯片的混合封装结构,其特征在于,所述转接板(1)焊盘上有倒装焊可靠性测试焊盘(8)和交替连接的倒装焊接焊盘(11),直接采用探针测试倒装焊接性能。

7.根据权利要求1所述的一种大规模光交换芯片的混合封装结构,其特征在于,所述PCB板(6)上通过布线将转接板(1)上的交替连接的BGA焊盘(10)和交替连接的倒装焊接焊盘(11)引出,以便封装完成后测试BGA焊接工艺和倒装焊接工艺的性能。

8.根据权利要求1所述的一种大规模光交换芯片的混合封装结构,其特征在于,所述转接

板(1)的形状设计为工字型,其两侧作为光纤阵列的输入端口,即可应用于芯片光电混合封装。

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