[发明专利]一种大规模光交换芯片的混合封装结构及验证方法在审
| 申请号: | 202310893682.2 | 申请日: | 2023-07-20 |
| 公开(公告)号: | CN116609897A | 公开(公告)日: | 2023-08-18 |
| 发明(设计)人: | 张欢;李佳;黄欣雨;王真真;叶德好;储涛 | 申请(专利权)人: | 之江实验室 |
| 主分类号: | G02B6/42 | 分类号: | G02B6/42;C23C14/35;C23C14/16;C23C14/18;C23C16/40;C23C16/34;H05K1/18 |
| 代理公司: | 杭州求是专利事务所有限公司 33200 | 代理人: | 邱启旺 |
| 地址: | 311121 浙江省杭*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 大规模 交换 芯片 混合 封装 结构 验证 方法 | ||
1.一种大规模光交换芯片的混合封装结构,该封装结构包括由转接板(1)、芯片(5)、PCB板(6)、芯片植球焊盘(12)、倒装焊接焊盘(11)、引线键合焊盘(7)和倒装焊焊盘引出导线(9),其特征在于,所述芯片(5)上有交替连接的芯片植球焊盘(12)和导线;所述转接板(1)上有用于和外部键合引线进行键合的交替连接的引线键合焊盘(7)、倒装焊可靠性测试焊盘(8)、倒装焊焊盘引出导线(9)、有交替连接的BGA焊盘(10)、倒装焊接焊盘(11);所述芯片(5)和转接板(1)之间通过倒装焊接工艺Flip Chip形成菊花链;其中转接板(1)和PCB板(6)通过BGA焊接形成菊花链;该结构上设有2048个端口。
2.根据权利要求1所述的一种大规模光交换芯片的混合封装结构,其特征在于,所述芯片(5)的衬底为Si和蓝宝石中的任意一种。
3.根据权利要求1所述的一种大规模光交换芯片的混合封装结构,其特征在于,所述转接板(1)为Si、陶瓷和PCB转接板的一种,所述转接板(1)的形状应根据需要进行设计。
4.根据权利要求1所述的一种大规模光交换芯片的混合封装结构,其特征在于,所述外部键合引线为Al丝或Au丝。
5.根据权利要求1所述的一种大规模光交换芯片的混合封装结构,其特征在于,所述倒装焊接工艺所用的焊料为90Pb10Sn 、95Pb5Sn、SAC305和SAC307中的任意一种高熔点焊料;所述通过BGA焊接工艺形成菊花链所用的焊料为63Pb37Sn的低熔点焊料。
6.根据权利要求1所述的一种大规模光交换芯片的混合封装结构,其特征在于,所述转接板(1)焊盘上有倒装焊可靠性测试焊盘(8)和交替连接的倒装焊接焊盘(11),直接采用探针测试倒装焊接性能。
7.根据权利要求1所述的一种大规模光交换芯片的混合封装结构,其特征在于,所述PCB板(6)上通过布线将转接板(1)上的交替连接的BGA焊盘(10)和交替连接的倒装焊接焊盘(11)引出,以便封装完成后测试BGA焊接工艺和倒装焊接工艺的性能。
8.根据权利要求1所述的一种大规模光交换芯片的混合封装结构,其特征在于,所述转接
板(1)的形状设计为工字型,其两侧作为光纤阵列的输入端口,即可应用于芯片光电混合封装。
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